山东理工大学模拟电子技术基础(C)期末复习总结.ppt

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1、1、半导体第1章半导体二极管及其应用电路本征半导体N型杂质半导体P型PN结：单向导电性+5自由电子+3空穴总复习多子扩散、少子漂移温度2.二极管硅管锗管导通压降0.6~0.8V0.1~0.3VPND稳压二极管单向导电性：正向导通，反向截止。反向击穿区求二极管所在电路输出电压或画输出波形：（1）选择参考点，断开二极管，分析二极管阳极和阴极的电位，如果输入信号是交流信号，则需分段讨论。（2）判断二极管通断，若有多个二极管且互相影响，则正向电压最高的优先导通。（3）二极管导通看做短路（或恒压），截止看做断路，多个二极管时，需第一个做等效后再逐个分析其他的。（4）分析等效后电路，求出输出

2、电压或画出输出波形。ECBIEICIBNPN型CBEIEICIBPNP型1.晶体管︱UBE︳≈0.2~0.3V(锗管）︱UBE︳≈0.6~0.7V(硅管）第2章双极型三极管及其放大电路（1）根据三极管的电流，判断三极和类型；①中间电位一定出现在基极上，可确定B；②uBE为0.2V（Ge管）或0.6V（si管），可确定E；余下为C；③箭头标在发射极（E）上，由高电位指向低电位（P区指向N区）；如向外则为NPN型，如向内则为PNP型。（2）根据三极管各极电位，判断三极和类型；（3）根据三极管各极电位，判断工作状态。截止饱和放大UBE≤0.5V，UBE(≈0.7)>UCE，UBE(≈0

3、.7)

4、晶体管的等效电路，然后画出放大电路其余部分的交流通路。④列出电路方程并求解。4、基本共发射极放大电路+VCCRSesRbRCC1C2T+++–RLui+–uo+–++–uBEuCE–iCiBiE静态分析：直流通路ICQIBQUCEQ=VCC–ICQRC动态分析——微变等效电路法rbeRbRCRLEBC+-+-+-RS微变等效电路5、射极偏置放大电路稳定静态工作点。静态分析：Rb1RCC1C2Rb2ReRL+++VCCuiuo++––动态分析：rbebcReeRb2+Rb1RcRL+Au减小Ri提高Ro不变Rb1RCC1C2Rb2CeReRL++++VCCuiuo++––R

5、SuS+–增加旁路电容CerbebceRb2+Rb1RcRL+6、共集电极放大电路（射极输出器、电压跟随器）RSC1Rb+VCCC2RL+Re+++－静态分析：（1）电压放大倍数小于1，约等于1;（2）输入电阻高；（3）输出电阻低；（4）输出与输入同相。动态分析：rbeRbRLEBC+-+-+-RSRe7、共基极放大电路（电流跟随器）C1C2VCCRb1Rb2+++++__ReCbRLRcRS+_静态分析：UBRb1RCRb2ReI1I2IB+VCCICIE++__ReRLRcRS+_RoRc动态分析：大(数值同共射电路，但同相)小(小于、近于1)大(十几~一几百)小大(

6、几十~一百以上)大(几十~一百以上)电路组态性能C1C2VCCRb2Rb1+++++__ReCbRLC1Rb+VCCC2RL+Re+++C1Rb+VCCC2RL++++Rc8、三种接法的比较共射组态共集组态共基组态(小于、近于1)频率响应大(几百千欧~几兆欧)小(几欧~几十欧)中(几十千欧~几百千欧)Rc小(几欧~几十欧)大(几十千欧以上)中(几百欧~几千欧)rbe组态性能共射组态共集组态共基组态差较好好Rc9、多级放大电路耦合方式及其特点：阻容耦合、直接耦合交流参数：1、电压放大倍数2、输入电阻3、输出电阻（后一级输入电阻做前一级负载，前一级的输出电阻做后一级的信号源内

7、阻。）结型和绝缘栅场效应管的分类、特点、特性等。FET的栅极g、源极s和漏极d对应BJT的基极b、发射极e和集电极c第3章场效应管及其放大电路+—gdS+—动态分析：sg—+uGS+—uDSd1、功率放大电路的分类第5章功率放大电路按照Q点设置的不同分类，若三极管导通整个周期（），则为甲类放大器；导通半个周期（），则为乙类放大器；导通大半个周期（），则为甲乙类放大器按输出端与负载的耦合方式分为：变压器耦合方式、无输出变压器（OTL）方式和无输出电容（OCL）方式。2、乙类OTL互