第5章-存储器ppt课件.ppt

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1、第5章：半导体存储器本章基本要求：1、存储器基本概念2、RAM、ROM存储器工作原理-3、51单片机系统外部存储器的连接*概述存储器是计算机的主要组成部分，它使计算机具有记忆功能。能将数据和程序存入计算机，使之脱离人的干预自动工作。70年代的存储器大多采用磁芯存储器，其速度比CPU慢几个数量级。且体积大，成本高。无论是体积上还是成本上，都是计算机的主要组成部分。计算机工作者在存储器的速度、体积、成本和容量上做了大量工作，解决了很多矛盾，成功地研制出今天的半导体存储器。单极性MOS存储器分类双极性存储器有TTL、ECLMOS存储器按工作特点、作用以及制造工艺可分为：MOS存储器RAMRO

2、M动态DRAM静态SRAMRandomAccessMemory掩膜ROM—ReadOnlyMemory现场可编程PROM—ProgrammableROM可擦可编程EPROM—ErasablePROM电可擦可编程E2ROM—ElectricallyEPROM闪速存储器—FlashMemoryAT89C51/52AT89C1051/2051易失非易失程序存储器数据存储器MCS-15存储器系统配置一、程序存储器MCS-51最小系统8051/8751内部有4KROM/EPROM8052/8752内部有8KROM/EPROMMCS-51最大系统：可寻址64KB单元容量不够时就要扩展片外程序存储器

3、二、数据存储器MCS-51最小系统MCS-51最大系统：可寻址64KB单元容量不够时就要扩展片外数据存储器RAM（I/O）51子系列内部只有128BRAM52子系列内部只有256BRAM系统的扩展设计:存储器I/O接口5.1半导体存储器基础5.1.1存储器的分类5.1.1存储器的分类1.RAM读/写存储器SRAM静态随机读/写存储器DRAM动态随机读/写存储器2.ROM掩模ROM出厂时程序已经写入，不能修改。PROM可编程只读存储器EPROM可擦写PROM3.新型存储器OTPROM一次可编程只读存储器FLASH存储器快擦写存储器FRAM非易失性铁电存储器5.1半导体存储器基础5.1.2

4、存储器的技术指标1、存储容量：是指存储器能够存储信息的容量。可以表示为：存储容量=字数×字长2、最大存取时间：是指CPU从存储器里读或写一个数据所需要的最大时间。3、存储器功耗4、可靠性和工作寿命5、集成度5.1半导体存储器基础5.1.3存储器的结构可以分为单译码和双译码编址存储器两类。注意：①存储器引脚的种类。②存储器容量与引脚的关系。③存储器操作的概念：地址信号、地址译码、数据输入与输出信号。④存储器读写操作过程。5.1半导体存储器基础1、单译码编址存储器如图：注意地址译码器、存储器阵列。5.1半导体存储器基础2、双译码编址存储器如图：注意它的译码与选中单元的过程。5.2只读存储器

5、ROM特点：存放的信息是固定的，不会随停电而丢失。在使用过程中，其信息只可以读取，不可以改写。常用的ROM种类有：1、掩模ROM，由制造厂家写入信息。2、PROM，由用户一次性写入信息。3、EPROM，多次可改写ROM，可由用户使用紫外线灯擦除再次写入信息。4、EEPROM，可用电脉冲擦除，并再次由用户写入信息。5.2只读存储器ROMROM应用举例：以2764为例。1、内部结构：如下图。2、引脚分类和功能。强调：CE的作用。常用的EPROM芯片为：276427128272562751212345678914131211102325262728242221201816151719VPPA

6、12A7A6A5A4A3A2A1A0Q0Q1Q2Q3Q4Q5Q6Q7GNDA10A9A8A11NCVCCCEOEPGM地址输入线A0～Ai三态数据线D0～D7片选线读出选通线编程脉冲输入线编程电源线工作电源线2764、27128、27256、27512等地线8K816K832K864K8A0～Ai：地址输入线，i=12～15Q0～Q7：三态数据线，读或编程校验时为数据输出线，编程时为数据输入线。维持或禁止时，呈高阻态CE：片选线OE：读出选通线PGM：编程脉冲输入线VPP：编程电源线，其值因芯片型号和制造商而异VCC：电源线，接+5VGND:接地线常用D0～D7表示常用EPRO

7、M芯片的技术指标：型号2764271282725627512容量（KB）8163264引脚数28282828读出时间200200200200最大工作电流75100100100最大维持电流35404040nSmAmAEPROM的操作方式有：编程方式：把程序代码固化到EPROM中编程校验方式：读出EPROM的内容，校对编程操作的正确性读出方式：CPU从EPROM中读出指令和常数维持方式：数据端呈高阻编程方式：用于多片EPROM并行编程EPROM写入