第5章 存储器ppt课件.ppt

第5章 存储器ppt课件.ppt

ID:58700145

大小:2.10 MB

页数:69页

时间:2020-10-04

第5章 存储器ppt课件.ppt_第1页
第5章 存储器ppt课件.ppt_第2页
第5章 存储器ppt课件.ppt_第3页
第5章 存储器ppt课件.ppt_第4页
第5章 存储器ppt课件.ppt_第5页
资源描述:

《第5章 存储器ppt课件.ppt》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在教育资源-天天文库

1、第5章半导体存储器《微机原理与接口技术》0本章主要内容:存储器的分类和性能指标随机读写存储器只读存储器高速缓冲存储器存储器的扩展及其与和CPU的连接第5章半导体存储器15.1存储器概述25.1概述微型计算机的存储结构寄存器:位于CPU中。主存:由半导体存储器(ROM/RAM)构成。辅存:指磁盘、磁带、磁鼓、光盘等大容量存储器,采用磁、光原理工作。高速缓存(CACHE):由静态RAM芯片构成CPU(寄存器)CACHE(高速缓存)主存(内存)辅存(外存)31.概念存储元:一个双稳态半导体电路,一个CMOS晶体管或磁性材料的存储元

2、,均可以存储一位二进制代码,这个二进制代码位是存储器中最小的存储单位,称为一个存储位或存储元。存储单元:一个或多个存储位组成一个存储单元。2.存储器分类按存储介质分类半导体存储器:存储单元由半导体器件组成。磁表面存储器:在金属或塑料表面涂一层磁性材料作为存储介质。光表面存储器:用激光在记录介质上进行读写。按存取方式分类随机存储器RAM:存储器任何存储单元的内容都可以随机读写。只读存储器ROM:只能对存储内容读出,而不能写入。5.1.1存储器分类4按在计算机中的作用分类5.1.1存储器分类5(1)内部存储器位于主机内部,简称内

3、存或主存,存放系统软件和正执行的程序和使用的数据,CPU可直接访问内存。为与CPU速度匹配,内存采用速度较快的半导体存储器。按照数据保存方法和读写过程,半导体存储器可分成随机存取存储器RAM和只读存储器ROM两大类。RAM可随机写入和读出,访问速度快,但断电后内容会全部丢失,即具有易失性。存放在ROM中的内容不会因断电而丢失,它属于非易失性存储器,计算机只能对ROM读出不能进行写入,改写要用专门的编程器。5.1.1存储器分类6(2)外部存储器简称外存或辅存,是计算机的数据仓库,用来存放暂不执行的程序或不用的数据。外存不能直接

4、与CPU交换信息,要通过专门的接口电路把信息读进内存。外存容量无限,可存放海量数据。数据不易丢失,能保存几十年甚至100年。访问速度比内存慢。5.1.1存储器分类7存储容量存储容量是指存储器能容纳的最大字节数。存储器芯片的存储容量=存储单元个数×每存储单元的位数。如:Intel2114芯片容量为1K×4位,6264的容量为8K×8位2.存取周期是指从接收到地址,到实现一次完整的读出或写入数据的时间,是存储器进行连续读或连续写操作所允许的最短时间间隔。一般来说,存取周期越短,计算机运行速度越快。3.功耗半导体存储器属于大规模集

5、成电路,集成度高,体积小,但是不易散热,因此在保证速度的前提下应尽量减小功耗。一般而言,MOS型存储器的功耗小于同容量的双极型。5.1.2存储器的技术指标84.可靠性指存储器对电磁场、温度变化等因素造成干扰的抵抗能力(电磁兼容性),以及在高速使用时能否正确地存取。与相同容量的其他类型存储器相比,半导体存储器的抗干扰能力更强。5.集成度存储器由若干片存储器芯片组成。半导体存储器的集成度是指在一块数平方毫米芯片上所制作的基本存储单元数,常以“位/片”表示,也可以用“字节/片”表示。存储器芯片的集成度越高,构成相同容量的存储器的芯

6、片就越少。6.其他输入输出电平是否与外部电路兼容,对CPU总线负载能力的要求,使用的灵活性,价格等。5.1.2存储器的技术指标95.2随机读/写存储器10根据结构和特点,随机读写存储器RAM可分成静态随机存储器SRAM和动态随机存储器DRAM两大类。1)SRAM(StaticRAM,静态RAM)用6个MOS场效应管的双稳态电路构成基本存储单元,电路结构复杂,集成度较低,功耗也大,但存取速度很快,访问时间可小于10ns。不适合做容量很大的内存,主要用作高速缓存(Cache),并用于网络服务器、路由器和交换机等高速网络设施上。2

7、)DRAM(DynamicRAM,动态RAM)用MOS开关管控制电容的充放电来存储信息,电路简单,但存取速度慢,电容上存储的信息会丢失,需要刷新。容量大,价格便宜,PC机上的内存都采用DRAM,而且做成内存条,便于扩充内存容量。此外,还被用在其它需要大量存储的场合,如激光打印机、高清晰数字电视等。5.2随机读/写存储器111.SRAM的存储元静态RAM的基本存储电路(即存储元)一般是由6个MOS管组成的双稳态电路。基本存储元存储电路VCCT3T1T4T2行选线XABDDT5T6T7T8I/OI/O列选线YT1、T2、T3、T

8、4MOS管构成双稳态触发器T5、T6门控管,行选信号高电平时导通T7、T8门控管,列选信号高电平时导通注意:在行选线X和列选线Y均为高电平时,T5、T6、T7、T8导通,这时才能进行读写数据。5.2.1静态MOS存储器12读出过程(1)X与Y选择线均为高电平,T5、T6、T7、T8管均导通

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文

此文档下载收益归作者所有

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文
温馨提示:
1. 部分包含数学公式或PPT动画的文件,查看预览时可能会显示错乱或异常,文件下载后无此问题,请放心下载。
2. 本文档由用户上传,版权归属用户,天天文库负责整理代发布。如果您对本文档版权有争议请及时联系客服。
3. 下载前请仔细阅读文档内容,确认文档内容符合您的需求后进行下载,若出现内容与标题不符可向本站投诉处理。
4. 下载文档时可能由于网络波动等原因无法下载或下载错误,付费完成后未能成功下载的用户请联系客服处理。