第4章 双极结型三极管及放大电路基础2018ppt课件.ppt

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1、电子技术基础第四章双极结型三极管及放大电路基础模拟电路部分1双极型半导体三极管的结构示意图如图所示。它有两种类型：NPN型和PNP型。4.1BJT两种极性的双极型三极管三极管图片基本结构中间部分称为基区，连上电极称为基极，用B或b表示（Base）；基区很薄，几微米~几十微米一侧称为发射区，电极称为发射极，用E或e表示（Emitter）；掺杂杂质浓度高另一侧称为集电区和集电极，用C或c表示（Collector）。集电区面积大e-b间的PN结称为发射结(Je)c-b间的PN结称为集电结(Jc)内部载流子的传输过程1、

2、发射区向基区注入电子2、电子在基区扩散和复合3、集电区收集扩散过来的电子由KCL：iE=iC+iB放大作用iBiCiEiB瞬时总量ib交流量IB直流量Ib交流有效值β=iC/iB>>1共射放大倍数α=iC/iE<1≈1共基放大倍数β=α/(1-α)内部条件：三区掺杂不同外部条件：Je正偏，Jc反偏。电位关系：对NPN型：VC＞VB＞VE对PNP型：VC＜VB＜VE放大条件共发射极接法，用CE表示；共集电极接法，用CC表示；共基极接法，用CB表示。三种组态iCmAAVVvCEvBERBiBVCCVB实验线路特性曲

3、线实验线路9iB=f(vBE)

4、VCE=const共射极电路的输入特性曲线2、vCE=1V时相当于vCE=0V的正向特性曲线右移；此时集电结反偏，吸收电子能力增强，对于相同VBE，基极电流减少；1、vCE=0V时相当于发射结的正向特性曲线；3、vCE>1V以后，集电极吸收电子能力增强不再明显增强，基极电流也不再明显减少。iC=f(vCE)

5、iB=const共射极电路的输出特性曲线1、vCE<1V，特性曲线很陡；集电结反向电压小，vCE稍增加，集电结对电子吸引力增加很快，iC增加很快；2、vCE>1V以后，特性曲线

6、平坦，略向上倾斜；3、改变iB的值得到一组输出特性曲线；工作区1、放大区：近于水平部分，发射结正偏，集电结反偏IC=βIB线性区2、截止区：IB=0以下区域，发射结反偏，集电结反偏3、饱和区：UCE

7、vCE5、集-射极反向击穿电压U（BR）CEO已知两只晶体管的电流放大系数β分别为50和100，现测得放大电路中这两只管子两个电极的电流如图所示。分别求另一电极的电流，标出其实际方向，并在圆圈中画出管子。例题测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图所示。在圆圈中画出管子的三个极，并分别说明它们是硅管还是锗管,是什么结构。例题直流通路：EB、Rb—保证发射结正偏Rb--基极偏置电阻EC、RC—保证集电结反偏RC—集电极电阻交流通路：Rs、es—信号源C1、C2—耦合电容+ui-+uo-C1C2++iBiCiERs+e

8、s-RLRbEBTbceRcEC+UBE-+UCE-4.2共发射极放大电路的组成静态Rb300kΩVBB12VTbceRc4kΩVCC12V+VBE-+VCE-A+Vi-+Vo-BCb1Cb2++iBiCiEiCt0VCEt0iBt0基极电流(偏流)IB集电极电流IC集电极电压VCE7/27/2021放大作用Rb300kΩVBB12VTbceRc4kΩVCC12V+VBE-+VCE-A+Vi-+Vo-BCb1Cb2++iBiCiEiCt0VCEt0iBt0Vi输入iB变化iC变化Vo输出集电极电压VCE=VCC-

9、iCRCvit0vot07/27/2021习惯画法uic1c2iBiCuBEuCEuoRCRSRBRL+Ucces++RL++++————概念和术语零电位点(参考电位点)：输入电压、输出电压、直流电源的共同点(O点)；称为“地”，以“”表示,并不一定真正接到大地。电压(电位差)：电路中某点的电位实际上就是该点与地之间的电压。规定：电压的正方向是以地为负端，其他点为正端；图中标出的“+”、“-”表示电压的假定正方向；图中标出的箭头“”表示电流的假定正方向；静态：当放大电路没有输入信号时，电路中各处的电压、电流都是不

10、变的直流，称为直流工作状态或静止状态，简称静态。动态：当放大电路有输入信号时，电路中各处的电压、电流处于变动状态，这时电路处于动态工作情况，简称动态。4.3放大电路的分析方法IBICUBEUCE（静态工作点—Q点）Auriro动态是目的，信号放大。静态是保障，不失真。直流通路法uic1c2iBiCuBEuCEuoRCRSRBRL+Ucces++RL++++————iBiC