第六章存储器讲义-PPT课件.ppt

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1、存储器半导体存储器的分类及特点随机存取存储器RAM只读存储器ROM主存储器的设计存储器的分类及特点存储器的分类按记忆材料分类磁、光存储器半导体存储器按CPU与存储器的耦合程序内存储器——半导体存储器外存储器——磁、光存储器按存储器的读写功能读写存储器——RWM（Read/WriteMemory）只读存储器——ROM（ReadOnlyMemory）存储器的分类及特点存储器的分类按照数据存取方式直接存取存储器——DAM（DirectAccessMemory）顺序存取存储器——SAM（SequentialAccessMemory）随机存取存储器——RAM（RandomAcessMemory）

2、存储器的分类及特点存储器的分类按器件原理分类双极性TTL器件存储器相对速度快、功耗大、集成度低单极性MOS器件存储器相对速度低、功耗小、集成度高按存储原理分类随机存取存储器——RAM（RandomAcessMemory）易失性存储器，掉电丢失数据仅读存储器——ROM（ReadOnlyMemory）非易失性存储器，掉电保持数据存储器的分类及特点存储器的存储量bit——用二进制位定义存储量Byte——用二进制字节定义存储量常用单位字节——B（Byte）千字节——KB（KiloByte）兆字节——MB（MegaByte）吉字节——GB（GigaByte）单位换算1KB=1024B1MB=10

3、24KB1GB=1024MB存储器的分类及特点半导体存储器的性能指标存储器存取时间CPU与存储器单元间读写数据所需时间存储器工作功耗存储器单元工作功耗存储器芯片工作功耗存储器工作电源TTL器件时，工作电源为+5VMOS器件时，工作电源为+3V~+18VRAM——随机存取存储器RAM的类型RAM具有读写功能，在计算机中大量使用静态SRAM（StaticRAM）相对集成度低外围控制电路简单多用于单板机的数据存储动态DRAM（DynamicRAM）相对集成度高外围控制电路复杂多用于系统机中的程序、数据存储SRAM——随机存取存储器静态SRAM存储位结构图存储单元由6个MOS场效应管组成触发器

4、锁存方式SRAM——随机存取存储器SRAM芯片内部原理图SRAM——随机存取存储器SRAM常用芯片及存储量SRAM——2147存储量=4096*1=4096bit=0.5KBSRAM——2114存储量=1024*4=4096bit=0.5KBSRAM——6116存储量=2048*8=18Kbit=2KBSRAM——6264存储量=8K*8=64Kbit=8KBSRAM——随机存取存储器SRAM芯片的引脚特点字线An接地址总线AB位线Dn接数据总线DB片选线/CS由AB线译码产生读写线/OE、/WE由控制线/RD、/WR控制ABDBVCCGND/RD/WR/OE/WE/CSA0~AnD0

5、~Dn译码电路SRAM——随机存取存储器SRAM芯片6264介绍存储量字线=13条、213=8KA0–A12位线=8条、D0–D7存储量=8K*8=64Kbit=8KB片选线/CE1=L且CE2=H读写线读有效/WE=H且/OE=L写有效/WE=L且/OE=HORLSRAM——随机存取存储器6264中片选线/CE1、CE2的应用提供两条片选线是为了应用时控制方式多样/CE1CE2/CE1CE2GNDVCC/CE1接低、CE2控制CE1接高、/CE1控制62646264SRAM——随机存取存储器6264中读写线/WE、/OE的应用读写线为两条是为不同型号CPU服务MOTOROLA的68系

6、列CPU的读写线为一条R/W6805CPU与6264SRAM的接线图如下R//W/WE/OEGND6805CPU6264SRAM读：R//W=H/WE=H、/OE=L写：R//W=L/WE=L、/OE=L68056264SRAM——随机存取存储器6264中读写线/WE、/OE的应用读写线为两条是为不同CPU服务IENTEL的80系列CPU的读写线为二条/RD、/WR8086CPU与6264SRAM的接线图如下/WE/OE8086CPU6264SRAM读：/RD=L、/WR=H/WE=H、/OE=L写：/RD=H、/WR=L/WE=L、/OE=L80866264/WR/RDDRAM——随

7、机存取存储器动态DRAM存储位结构图存储单元由1个MOS场效应管加电容组成电荷方式DRAM——随机存取存储器DRAM存储器的特殊性在读取数据时，电容电荷量减少由于电容漏电，电容电荷量减少为保持电容电荷量，应定时充电DRAM需要外围刷新控制器注：DRAM刷新控制器一般由专用刷新控制器芯片或者DMA可编程芯片构成DRAM——随机存取存储器DRAM芯片2164介绍存储量64K*1字线=8A0–A7采用地址线复用技术解决寻址所需16条地址线位线=2Di