第1章电力电子器件作业答案.doc

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1、第一章电力电子器件填空题:1.电力电子器件一般工作在开关状态。2.在通常情况下,电力电子器件功率损耗主要为通态损耗,而当器件开关频率较高时,功率损耗主要为开关损耗。3.电力电子器件组成的系统,一般由控制电路、驱动电路、电力电子器件三部分组成,由于电路中存在电压和电流的过冲,往往需添加保护电路。4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况,电力电子器件可分为单极型、双极型、复合型三类。5.电力二极管的工作特性可概括为正向导通、反向阻断。6.电力二极管的主要类型有普通、快恢复、肖特基。7.肖特基二极管的开关损耗_小于快恢复二极管的开关损耗。8.晶闸管的基本

2、工作特性可概括为阻断正向有触发则导通、反向截止阻断。  9.对同一晶闸管,维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL=(2-4)IH。 10.晶闸管断态不重复电压UDRM与转折电压Ubo数值大小上应为,UDRM

3、止区对应后者的截止区、前者的饱和区对应后者的放大区、前者的非饱和区对应后者的饱和区。15.电力MOSFET的通态电阻具有正温度系数。16.IGBT的开启电压UGE(th)随温度升高而略有下降,开关速度慢于电力MOSFET。17.功率集成电路PIC分为二大类,一类是高压集成电路,另一类是智能功率模块。18.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质,可将电力电子器件分为电流驱动和电压驱动两类。19.为了利于功率晶体管的关断,驱动电流后沿应是一定负值。20.GTR的驱动电路中抗饱和电路的主要作用是使GTR导通时处于临界饱和状态。21.抑制过电压的

4、方法之一是用阻容吸收可能产生过电压的能量,并用电阻将其消耗。在过电流保护中,快速熔断器的全保护适用于小功率装置的保护。22.功率晶体管缓冲保护电路中的二极管要求采用快恢复型二极管,以便与功率晶体管的开关时间相配合。23.晶闸管串联时,给每只管子并联相同阻值的电阻R是静态均压措施,给每只管子并联RC支路是动态均压措施,当需同时串联和并联晶闸管时,应采用先串后并的方法。24.IGBT的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有________温度系数,在1/2或1/3额定电流以上区段具有________温度系数。(没找到答案)25.在如下器件:电力二极管

5、(PowerDiode)、晶闸管(SCR)、门极可关断晶闸管(GTO)、电力晶体管(GTR)、电力场效应管(电力MOSFET)、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)中,属于不可控器件的是PowerDiode,属于半控型器件的是SCR,属于全控型器件的是GTO、GTR、电力MOSFET、IGBT;属于单极型电力电子器件的有电力MOSFET,属于双极型器件的有GTO、GTR,属于复合型电力电子器件得有IGBT;在可控的器件中,容量最大的是SCR,工作频率最高的是电力MOSFET,属于电压驱动的是电力MOSFET、IGBT,属于电流驱动的是SCR、GTO、GTR。

6、简答题:26.电力电子器件是如何定义和分类的?同处理信息的电子器件相比,它的特点是什么?(略)27.应用电力电子器件的系统组成如题图1-27所示,试说明其中保护电路的重要意义?(答案参见教材P12。了解)28.二极管的电阻主要是作为基片的低掺杂N区的欧姆电阻,阻值较高且为常量,为何二极管在正向电流较大时管压降仍然很低?(答案参见教材P15页倒数第二段。了解)29.二极管在恢复阻断能力时为什么会形成反向电流和反向电压过冲?这与它们的单相导电性能是否矛盾?这种反向电流在电路使用中会带来什么问题?(答案参见教材P17。了解)30.使晶闸管导通的条件是什么?答

7、:晶闸管阳极与阴极之间、门极与阴极之间同时承受足够大的正向电压31.维持晶闸管导通的条件是什么?怎样才能使晶闸管由导通变为关断? 答:IA>IH。增大主回路电阻或减少主回路电压。32.GTO和普通晶闸管同为PNPN结构,为什么GTO能够自关断,而普通晶闸管不能?答:(答案参见教材P26。了解)33.GTR的安全工作区是如何定义的?如题图1-33所示,GTR带电感性负载时,如果不接二极管VD会产生什么问题?有了二极管VD是否还要加缓冲电路呢?(无图,此题略去)  34.如何防止电力MOSFET因静电感应应起的损坏?(此题略去)35.晶闸管的触发电路有哪些

8、要求?(此题暂时略去)36.GTO与GTR同为电流控制器件,前者的触发信号与后者的驱动信号有哪

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