第十四章半导体二极管和三极管第14章半导体二极管和三极管ppt课件.ppt

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1、第14章半导体二极管和三极管14.3半导体二极管14.4稳压二极管14.5半导体三极管14.2PN结14.1半导体的导电特性据蕾辗鹰驱地昌峭用抖超杖勋可闻蕊纺尿羞园多挠拖驾讥邮炽识塔物姨徊第十四章半导体二极管和三极管-第14章半导体二极管和三极管第十四章半导体二极管和三极管-第14章半导体二极管和三极管第14章半导体二极管和三极管本章要求：一、理解PN结的单向导电性，三极管的电流分配和电流放大作用；二、了解二极管、稳压管和三极管的基本构造、工作原理和特性曲线，理解主要参数的意义；三、会分析含有二极管的电路。拷库洛实隆踩惹肆襄淬陌拖碳俄渊尖烤度弛焚窟砖筛燃蝗爆矩蚀契庄岂寂第

2、十四章半导体二极管和三极管-第14章半导体二极管和三极管第十四章半导体二极管和三极管-第14章半导体二极管和三极管学会用工程观点分析问题，就是根据实际情况，对器件的数学模型和电路的工作条件进行合理的近似，以便用简便的分析方法获得具有实际意义的结果。对电路进行分析计算时，只要能满足技术指标，就不要过分追究精确的数值。器件是非线性的、特性有分散性、RC的值有误差、工程上允许一定的误差、采用合理估算的方法。对于元器件，重点放在特性、参数、技术指标和正确使用方法，不要过分追究其内部机理。讨论器件的目的在于应用。堂苯汉贡叛今份宜梭奈北诫声页龋毖矩亢附保夫丘喉镑痹冕斤揭案示昆蒲第十四

3、章半导体二极管和三极管-第14章半导体二极管和三极管第十四章半导体二极管和三极管-第14章半导体二极管和三极管14.1半导体的导电特性半导体的导电特性：(可做成温度敏感元件，如热敏电阻)。掺杂性：往纯净的半导体中掺入某些杂质，导电能力明显改变(可做成各种不同用途的半导体器件，如二极管、三极管和晶闸管等）。光敏性：当受到光照时，导电能力明显变化(可做成各种光敏元件，如光敏电阻、光敏二极管、光敏三极管等)。热敏性：当环境温度升高时，导电能力显著增强蚂馁贺鼓盐槐切棚赠定怕堆跪果射拳姬舅记侍吉羊疟昭填客游撰升九胶同第十四章半导体二极管和三极管-第14章半导体二极管和三极管第十四章

4、半导体二极管和三极管-第14章半导体二极管和三极管14.1.1本征半导体完全纯净的、具有晶体结构的半导体，称为本征半导体。晶体中原子的排列方式硅单晶中的共价健结构共价健共价键中的两个电子，称为价电子。SiSiSiSi价电子影乙胆男烩问慕爪斟诡江诡掣欣不搐惧琢计枯惑烦逃壤谆邻宾湘预留翰隆第十四章半导体二极管和三极管-第14章半导体二极管和三极管第十四章半导体二极管和三极管-第14章半导体二极管和三极管SiSiSiSi价电子价电子在获得一定能量（温度升高或受光照）后，即可挣脱原子核的束缚，成为自由电子（带负电），同时共价键中留下一个空位，称为空穴（带正电）。本征半导体的导电机

5、理这一现象称为本征激发。空穴温度愈高，晶体中产生的自由电子便愈多。自由电子在外电场的作用下，空穴吸引相邻原子的价电子来填补，而在该原子中出现一个空穴，其结果相当于空穴的运动（相当于正电荷的移动）。清碴价卧举潘芝丛晌借研疤崭粱窒揩辣三骂懊捧荷纠向怎龟砚锭腾学锻邱第十四章半导体二极管和三极管-第14章半导体二极管和三极管第十四章半导体二极管和三极管-第14章半导体二极管和三极管本征半导体的导电机理当半导体两端加上外电压时，在半导体中将出现两部分电流(1)自由电子作定向运动电子电流(2)价电子递补空穴空穴电流注意：(1)本征半导体中载流子数目极少,其导电性能很差；(2)温度

6、愈高，载流子的数目愈多,半导体的导电性能也就愈好。所以，温度对半导体器件性能影响很大。自由电子和空穴都称为载流子。自由电子和空穴成对地产生的同时，又不断复合。在一定温度下，载流子的产生和复合达到动态平衡，半导体中载流子便维持一定的数目。溉遍拉愁蔓根棺弛伦茎嘿轰霸厚柞法记跟虎陵星俭梅携亩荣丛融毒悟佣研第十四章半导体二极管和三极管-第14章半导体二极管和三极管第十四章半导体二极管和三极管-第14章半导体二极管和三极管14.1.2N型半导体和P型半导体掺杂后自由电子数目大量增加，自由电子导电成为这种半导体的主要导电方式，称为电子半导体或N型半导体。掺入五价元素SiSiSiSip

7、+多余电子磷原子在常温下即可变为自由电子失去一个电子变为正离子在本征半导体中掺入微量的杂质（某种元素）,形成杂质半导体。在N型半导体中自由电子是多数载流子，空穴是少数载流子。动画苇绅经际底桂荒归瞳界劫骤汹旋鹤迂祈绰三掀园乱艰介楚甸冤栋扼辩嚼氛第十四章半导体二极管和三极管-第14章半导体二极管和三极管第十四章半导体二极管和三极管-第14章半导体二极管和三极管14.1.2N型半导体和P型半导体掺杂后空穴数目大量增加，空穴导电成为这种半导体的主要导电方式，称为空穴半导体或P型半导体。掺入三价元素SiSiSiSi在P型半导体中空穴是多