基于S3C44B0X嵌入式系统应用开发实例(中嵌教育嵌入式linux开发课件)(阅读).ppt

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1、第六章基于S3C44B0X嵌入式系统应用开发实例6.1S3C44B0X处理器介绍6.2S3C44B0X存储控制器功能及应用开发6.3S3C44B0XI/O端口功能及应用开发6.5S3C44B0XUART接口功能及应用开发6.6S3C44B0X中断控制器功能及应用开发6.16基于S3C44B0X的S3CEV40开发介绍6.1S3C44B0X处理器介绍6.1.1SamsungS3C44B0X简介6.1.2SamsungS3C44B0X特点6.1.3S3C44B0X功能结构框图6.1.4S3C44B0X引脚信号描述6.1.1SamsungS3C44B0X简介Sa

2、msungS3C44B0X微处理器片内集成ARM7TDMI核,采用0.25μmCMOS工艺制造,并在ARM7TDMI核基本功能的基础上集成了丰富的外围功能模块,便于低成本设计嵌入式应用系统。片上集成的主要功能如下:片上在ARM7TDMI基础上增加8KB的Cache;外部扩充存储器控制器(FP/EDO/SDRAM控制,片选逻辑);LCD控制器(最大支持256色的DSTN),并带有1个LCD专用DMA通道;2个通用DMA通道/2个带外部请求管脚的DMA通道;2个带有握手协议的UART,1个SIO;1个多主的IIC总线控制器;1个IIS总线控制器;5个PWM定时

3、器及1个内部定时器;看门狗定时器;71个通用可编程I/O口,8个外部中断源;功耗控制模式:正常、低、休眠和停止;8路10位ADC;具有日历功能的RTC(实时时钟);片上集成PLL时钟发生器。6.1.2SamsungS3C44B0X特点一、S3C44B0X体系结构S3C44B0X是基于ARM7TDMI的体系结构,ARM7TDMI是ARM公司最早为业界普遍认可且赢得了最为广泛的应用的处理器核。二、系统(存储)管理支持大、小端模式(通过外部引脚来选择);地址空间:包含8个地址空间,每个地址空间的大小为32M字节,总共有256M字节的地址空间;所有地址空间都可以通

4、过编程设置为8位、16位或32位宽数据对准访问;8个地址空间中,6个地址空间可以用于ROM、SRAM等存储器,2个用于ROM、SRAM、FP/EDO/SDRAM等存储器;7个起始地址固定及大小可编程的地址空间;1个起始地址及大小可变的地址空间;所有存储器空间的访问周期都可以通过编程配置;提供外部扩展总线的等待周期;在低功耗的情况下支持DRAM/SDARM自动刷新;支持地址对称或非地址对称的DRAM。三、Cache和片内SRAM4路组相联统一的8KB指令/数据Cache;未作为Cache使用的0/4/8KbytesCache存储空间可作为片内SRAM使用;C

5、ache伪LRU(最近最少使用)的替换算法;通过在主内存和缓冲区内容之间保持一致的方式写内存;具有四级深度的写缓冲;当缓冲区出错时,请求数据填充。四、时钟和功耗管理低功耗;片上PLL使得MCU的工作时钟最高为66MHz;时钟可以通过软件选择性地反馈回每个功能块;功耗管理模式为:正常模式:正常运行模式;低速模式:不带PLL的低频时钟;休眠模式:只使CPU的时钟停止;停止模式:所有时钟都停止。EINT[7:0]或RTC警告中断可使功耗管理从停止模式中唤醒。五、中断控制器30个中断源(1个看门狗定时器中断,6个定时器中断,6个UART中断,8个外部中断,4个DM

6、A中断,2个RTC中断,1个ADC中断,1个IIC中断,1个SIO中断);矢量IRQ中断模式减少中断响应周期;外部中断源的电平/边沿模式;可编程的电平/边沿极性;支持紧急中断请求的FIQ(快速中断请求)。六、带PWM的定时器(脉宽可调制)5个16位带PWM的定时器,1个16位基于DMA或基于中断的内部定时器;可编程的工作周期、频率和极性;死区(Dead-zone)产生器;支持外部时钟源。七、实时时钟RTC全时钟特点:毫秒、秒、分、时、天、星期、月、年;运行于32.768KHz;CPU唤醒的警告中断;时间滴答(Timetick)中断。八、通用输入/输出端口8

7、个外部中断端口;71个(多功能)复用输入/输出口。九、UART2个基于DMA或基于中断的UART;支持5位、6位、7位、8位串行数据传送/接收;在传送/接收时支持硬件握手;波特率可编程;支持IrDA1.0(115.2kbps);用于回环测试模式;每个通道有2个用于接收和发送的内部32字节FIFO。十、DMA控制器2路通用的无CPU干涉的DMA控制器;2路桥式DMA(外设DMA)控制器;支持I/O到内存、内存到IO、IO到IO的桥式DMA传送,有6种DMA请求方式:软件、4个内部功能块(UART、SIO、实时器、IIS)和外部管脚;DMA之间优先级次序可编程

8、;突发传送模式提高了FPDRAM、EDODRAM和SDRAM的传送

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