模电选择填空判断.doc

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1、1、晶体管工作在三个区域的条件是：放大区b；饱和区a；截至区c。a)发射结正偏，集电极结正偏b)发射结正偏，集电极结反偏c)发射结反偏，集电极结反偏d)发射结反偏，集电极结正偏2、整流电路就是将c变换成a的电路。构成整流电路的关键元件是d。a)直流电b)晶体三极管C）交流电d）晶体二极管3、静态工作点稳定电路既分压式共发射极放大电路具有以下特点：具有静态工作点的作用、输出电压与输入电压相位c，电压放大倍Auf。a)相同b)稳定C）相反d）不稳定e)小于1f)大于14、既能放大电压，又能放大电流的是c组态放大电路；可以放大电流，但不能放大电压的是a组态放大电路；只能放

2、大电压，但不能放大电流的是b组态放大电路。a)共集电极b)共基极c)共发射极5、对理想集成运算放大器组成的基本运算电路，它的反相输入端和同相输入端之间的电压具有b的现象，称为“f”。理想集成运放的输入电流为d的现象，称为“c”。a)不相等b)相等c)虚断d)等于0e)不等于0f)虚短6、放大电路加入负反馈后，其许多性能得到了改善，主要表现为：放大倍数的稳定性a;非线性失真　d　；输入电阻及输出电阻发生　f　。a)提高　　b)降低　c）增大　d）减小e)不变　f)改变7、差分放大器的作用是抑制e信号，其中KCMR是衡量差分放大电路对b信号的抑制能力。其数值c越好。a）

3、差模b）共模c）愈大d）愈小e)零点漂移8、在本征半导体中掺入一定微量的元素就可以使其性质发生变化。当在本征半导体中掺入b元素，就能使其转变为P型半导体，并且c为该半导体的多数载流子，a为少数载流子。a）电子b）三价c）空穴d）五价9、已知某三极管处于放大状态，用电压表测得U，则A为b，则B为__c___,则C为__a__,三极管为__d__型。a)基极b）集电极c）发射极d）NPNe)PNP10、稳压管也是一种二极管。它与普通二极管的区别在于：稳压管具有c作用，其工作区域位于伏安特性曲线的e　区域。a)稳定电流b)正向特性c)稳定电压d)击穿特性e)反向特性11、

4、差分放大电路中的发射极电阻RE的作用是：对d有抑制能力，而对b无抑制能力。a)交流信号b）差模信号c）直流信号d）共模信号12、按照反馈信号在放大电路的输出端和输入端的取样方式和比较方式的不同，负反馈放大器应有　b　基本类型。要想稳定输出电压、提高输入电阻应采用的是c电路。a）三种b）四种c）电压串联负反馈d）电流并联负反馈13、直接耦合多级放大器能放大c信号；阻容耦合放大电路能放大b信号。a）直流b）交流c）交、直流14、桥式整流电路在接入b滤波后，输出c电压会升高。a)电感b)电容c)直流d)交流判断题1、用万用表测的放大电路中的晶体管的发射结电压UBE=0伏，

5、则该管处于截止工作状态。　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　2、两级阻容耦合放大器组成一个多级放大器时，其总的电压放大倍数等于两级放大器单独使用时的电压放大倍数的乘积。　　　　　　3、差放大器能够抑制零点漂移现象，而这种能力是通过共模抑制比来衡量的。共模抑制比越小(大)，抑制零漂移的能力就愈强。　　　　　　　　　4、共发射极放大电路的电压放大倍数不可能大于1，共集电极放大电路的电流放大倍数不可能小于1。5、【单相】桥式整流电路在输入交流电压时，每半个周期内都有一对二极管导通。6、既然深度负反馈能够稳定放大倍数，那么电路所用的元件都不必选择性能稳定的7、固定偏

6、置共射放大电路出现饱和失真现象，是由于放大电路的静态集电极电流选得过大所造成的。改善这种失真的方法是增加基极电阻的数值。8、是晶体管的动态电阻，它的大小与放大电路的静态工作点无（有）关。9、放大电路引入负反馈可以减小非线性失真。因此，当输入信号是一个失真的正弦波时，通过负反馈电路，其失真程度一定可以得到改善。10、所有的理想集成运放不仅存在着“虚短”和“虚断”现象，同时也存在着“虚地”现象。