电镀方案与锡铅溶化过程教材.ppt

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1、電鍍操作物性電鍍類別鍍層硬度電流密度PH值溫度鎳電鍍300~500Hv0~40ASD3.8~4.850~60℃90~110g/1錫鉛電鍍10~30Hv3~40ASD-------18~25℃30~70g/1硬金電鍍130~210Hv0~15ASD4.0~4.850~60℃1~15g/1純金電鍍90~120Hv0~30ASD5~850~60℃0.3~1.0g/1钯鎳電鍍500~600Hv0~15ASD7.5~8.550~60℃5~25g/1電鍍主要有下幾項的目的(1)賦予產品美麗的外觀,如鍍金、銀、銠、鎳、鉻、黃銅等(2)

2、防腐蝕、防銹,如鍍鋅、銠、鎳、鉻等(3)增加製品的硬度及耐磨耗性,如硬鉻的電鍍(4)對電性要求必須良好的製品,提高其導電度。如鍍銀、銅、金(5)提高製品的潤滑性,如鍍銀、錫、鉛等(6)增加製品的強度如塑膠的各種電鍍,如鍍鎳、鉻、銠等(7)提高製品的抗電磁波特性(EMI) (8)增加製品的焊錫性,以符合電子元件SMT製程所需(9)提高製品的耐熱性及耐候性(10)提高製品防止碳化及氮化的性能以上只是電鍍在表面處理技術的一部份,必項依其各別的需求鍍上不同的金屬膜。電鍍层的分类電鍍方法然而鍍上金屬膜的方法有許多,在現代科技產品的

3、製造中也是相當關鍵的一道製程。電鍍方法依其特徵而有不同的用途,約略介紹如下(1)電解電鍍(2)化學電鍍(又稱無電解電鍍) (3)熔融鍍著法熱浸法(4)熔射鍍金法(5)氣相鍍著(a)真空蒸鍍法(vapordeposition)(b)陰極濺鍍法(sputtering)(c)電漿離子沈積法(plasmadeposition) (6)衝擊鍍著(peenplating) (7)其他如,鋅熱法(sheradizing)、抗熱處(calorizing)、利用陽極氧化法產生氧化膜法及各種化合物皮膜生成法(parkerizing)等總之,

4、以上所述的各種電鍍方法或化成方法,必須依各別材料特性、處理流程、成本及公害管理等問題,預先做充分的了解,而後依製品的用途及表面處理的目的,來決定一個最佳的處理方法。電鍍方法電鍍試驗方法鍍層依製品的用途及其所要求的功能性不同,需採用的試驗方法及項目亦不相同。大致可分為下列幾項方法:A.外觀檢查(appearance)B.厚度試驗(thicknesstest) C.多孔性試驗(porositytest)D.耐蝕性試驗(corrosiontest)E.硬度試驗(hardnesstest) F.密著性和脆性試驗(adhesion

5、andbrittlenesstest) G.電沈積材料應力分析(stressinelectrodeposits) H.光澤度及平滑度試驗(brightnessandlevellingtest)I.電鍍层的定性分析(qualitativeanalysisofelectrodeposits)選擇適當的試驗方法及品管採樣,才能有效的控制量產過程中不良品的持續產生。但不可諱言的大量生產的過程中,電鍍液的動態平衡管理及鍍液壽命是品質管理與成本間的最大的挑戰。錫鉛合金摘要在電子連接器端子上鍍錫和錫合金常常被認為是在降低成本時取代金的

6、選擇,在良好的設計考量下,他們可以成功地用來當金的低廉的﹑有效的替代品.但在應用時有些事項必須特別注意,如正向力﹑機構穩定和潤滑等.本文的準則被找出來判別鍍錫和錫合金電子端子的性能,是否符合我們應用時的需求.簡介使用非貴重金屬來取代金時,必須同時考慮機械性能和成本因素.錫和錫合金在電子端子電鍍上是一個非常吸引人的選擇,因為他們的成本﹑接觸阻抗低而且焊接性良好.但錫和錫合金的應用卻因他們的耐久性差和容易產生微振腐蝕受到限制.如果我們只將錫和錫合金用在低插拔次數情況,並且使用好的端子設計和潤滑來降低微掁腐蝕,那麼錫和錫合金是

7、不錯的選擇.以下是討論決定錫和錫合金是否適用於導電端子設計的準則,這些準則和Whitley所討論類似,但為了因應現況而有所修正,以下所列的就是這十條準則.依據下面的準則錫和錫合金可以取代金,應用在端子電鍍上,以降低成本..1.鍍錫的端子在插入時應保持機構的穩定2.鍍錫端子至少需要100克的接觸力3.鍍錫端子需要潤滑4.在高溫下持續使用不適合鍍錫5.選擇鍍錫的方法如電鍍﹑滾鍍﹑hotairleveled,或hottindipped,並不會對錫或錫合金的電子性能有太大的影響6.鍍錫最少應有100u”厚7.鍍錫端子不適合跟鍍金

8、端子合用8.鍍錫端子在插入時最好有滑動和摩擦的動作9.鍍錫端子不可用在電源開關上10.錫和錫合金可用在乾式元件或低要求的情況下結論以上的準則是用來判斷和鑑定在哪一種情況下,錫和錫合金可使用在電子端子上.在有些情況須使用鍍金的端子,例如低接觸力和軍用飛行連接器,但有些狀況下使用鍍錫端子就可以了.因為在實際使用時有許多未

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