组织与体系结构实验及课程设计课件.ppt

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1、实验一运算器实验目的了解运算器的组成结构；掌握运算器的工作原理；学习运算器的设计方法；掌握简单运算器的数据传输通路；验证运算功能发生器74LS181的组合功能。实验环境TDN-CM+或TDN-CM++教学实验系统一套实验原理：由两片74LS181芯片以并/串形式构成的8位字长的运算器。右方为低4位运算芯片，左方为高4位运算芯片。低位芯片的进位输出C（n+4）与高位芯片的进位输入端Cn相连，使低4位运算产生的进位送进高4位中。低位芯片的进位输入端Cn可与外来进位相连，高位芯片的进位输出引至外部。两个芯片的控

2、制端S0~S3和M各自相连。为进行双操作数运算，运算器的两个数据输入端分别由两个数据暂存器DR1、DR2（用锁存器74LS273实现）来锁存数据。要将内总线上的数据锁存到DR1或DR2中，则锁存器74LS273的控制端LDDR1或LDDR2需为高电平。当T4脉冲到来时，总线上的数据就被锁存进DR1或DR2中。在输出端连接了一个三态门（用74LS245实现），用来控制运算器向内总线上输出运算结果。如果要将运算结果输出到总线上，则要将三态门74LS245的控制端ALU-B置低电平，否则需要高电平。实验二移位发

3、生器实验实验目的了解移位发生器74LS299的功能；验证移位控制电路的组合功能。实验环境TDN-CM+或TDN-CM++教学实验系统一台实验原理：一片74LS299作为移位发生器，其8位输入/输出端可连接至内部总线。当控制信号299-B为低电平时有效，T4为其控制脉冲信号，由"W/RUNIT"单元中的T4接至"STATEUNIT"单元中的单脉冲发生器KK2上而产生，S0、S1、M作为移位控制信号，则当输入数据后，当操作时，每按一次T4数据位就向右移位一次，每个数要移8位。移位控制逻辑功能如下表实验三存储器

4、实验实验目的掌握静态随机存储器RAM工作特性及数据的读/写方法。实验环境TDN-CM+或TDN-CM++教学实验系统一台PC机一台实验原理：实验中的静态存储器由一片6116（2K×8）构成，其数据线接至数据总线，地址线由地址锁存器（74LS273）给出。地址灯AD0～AD7与地址线相连，显示地址线内容。数据开关经一个三态门（74LS245）连至数据总线，分时给出地址和数据。因地址寄存器为8位，所以接入6116的地址为A7～A0，而高三位A8～A10接地，所以其实际容量为256字节。6116有三个控制线：C

5、E（片选线）、OE（读线）、WE（写线）。当片选有效（CE=0）时，OE=0时进行读操作，WE=0时进行写操作。本实验中将OE常接地，在此情况下，当CE=0、WE=0时进行读操作，CE=0、WE=1时进行写操作，其写时间与T3脉冲宽度一致。实验时将T3脉冲接至实验板上时序电路模块的TS3相应插孔中，其脉冲宽度可调，其它电平控制信号由"SWITCHUNIT"单元的二进制开关模拟，其中SW-B为低电平有效，LDAR为高电平有效。因地址寄存器为8位，所以接入6116的地址为A7～A0，而高三位A8～A10接地，

6、所以其实际容量为256字节。6116有三个控制线：CE（片选线）、OE（读线）、WE（写线）。当片选有效（CE=0）时，OE=0时进行读操作，WE=0时进行写操作。本实验中将OE常接地，在此情况下，当CE=0、WE=0时进行读操作，CE=0、WE=1时进行写操作，其写时间与T3脉冲宽度一致。实验时将T3脉冲接至实验板上时序电路模块的TS3相应插孔中，其脉冲宽度可调，其它电平控制信号由"SWITCHUNIT"单元的二进制开关模拟，其中SW-B为低电平有效，LDAR为高电平有效。地址单元写入数据读出数据00Ｈ

7、11H01Ｈ22H02Ｈ33HＦＦＨ实验四指令格式和寻址方式的认识实验实验目的了解汇编语言的编辑、汇编、连接、运行的过程。掌握指令格式和寻址方式。实验环境PC机一台MASM实验步骤及要求1．开机：进入MS-DOS方式(从开始＞运行＞cmd)2.在DOS提示符下进行汇编、连接、动态调试等操作。例如:对源文件EXAMPLE.ASM进行的操作E:MASM5MASM>EDITEXAMPLE.ASM编辑（输入）源程序操作E:MASM5MASMEXAMPLE汇编源程序操作E:MASM5LINKEXAMPL

8、E连接并生成扩展名为.EXE的可执行文件E:MASM5DEBUGEXAMPLE.EXE对可执行文件进行调试3.调试命令(在DEBUG中使用的命令)a:U-反汇编命令用法:-U代码段地址:起始偏移地址如:-UCS:100b:D-显示内存中的数据命令用法:-D数据段地址:存放数据的偏移地址如:-DDS:0020c:T-单步执行程序命令用法:-T要执行的指令条数如:-T3d:G-连续执行程序命令用法:-G=代码段地址:指令的起始