MEMS原理-04半导体掺杂.ppt

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04半导体掺杂DopingofSemiconductor&薄膜ThinFilms OutlinesThinFilmThinFilmsoverviewPhysicalDepositionEvaporationSputteringChemicalVaporDeposition(CVD)AtmosphericCVD(APCVD)LowPressureCVD(LPCVD)Plasma-EnhancedCVD(PECVD)DopingofSemiconductorDiffusionIonImplantationEpitaxialGrowth DopingofSemiconductor半导体具有一定的自然导电性，但是不能像导体那样导电，可以通过植入一定的外来杂物的方法，将电阻率降低，这种将半导体材料变成电导体的工艺被称为“掺杂”。可通过加到半导体基础材料中的掺杂物和特殊的掺杂形式，控制半导体中的电流密度和路径。在IC中掺杂工艺可以实现微晶体管和微电路。在MEMS中，硅基半导体材料的掺杂可以改变材料在物理和化学腐蚀中的抵抗力，如，硅的掺杂经常被作为“自停止腐蚀”而用作腐蚀屏蔽。 DopingofSemiconductorP型掺杂N型掺杂硅的掺杂半导体的掺杂可以通过扩散工艺或者离子注入工艺获得。 Diffusion在圆片上进行准确控制的局部掺杂的能力是制造各种IC和MEMS器件必不可少的。当杂质掺入圆片后，它们可能在圆片中进行再分布，必须得到控制克监测。扩散是一个缓慢注入的过程。扩散发生在高温下。硅基底的扩散掺杂工艺满足菲克第一定律：F为掺入量，单位时间内通过单位基底面积的掺入原子的数，atoms/cm3·sD为掺杂物相对于基底的扩散系数，即扩散率，cm2/sN为单位基底体积中的掺入浓度，atoms/cm3 Diffusion硅基底掩模高温掺杂气体基底的扩散掺杂 Diffusion——硅的热氧化Si的热氧化技术是典型的扩散工艺。因为当Si表面原子与氧原子结合成一层SiO2后，若要进一步增厚氧化层的话，那么就必须要让外面的氧原子扩散穿过已形成的氧化层、并与下面的Si原子结合，而SiO2膜是非晶体，氧原子在其中的扩散速度很小，因此，往往要通过加热来提高氧原子的热运动能量，使得能够比较容易地进入到氧化层中去，这就是热氧化。所以，Si的热氧化温度一般也比较高，约1000℃左右）。 二氧化硅的热氧化设备示意图Diffusion——硅的热氧化SiO2层厚度/mm0.0500.0750.2750.4650.3100.4930.500.3750.390颜色棕褐色褐色红-紫红蓝色绿-黄绿绿-黄黄几个厚度下二氧化硅层的颜色 Diffusion——掺杂涉及的问题杂质的激活：因为施主或受主杂质原子要能够提供载流子，就必须处于替代Si原子的位置上。这样才有多余的或者缺少的价电子、以产生载流子。所以在半导体中，即使掺入了施主或受主杂质，但是如果这些杂质原子没有进入到替代位置，那么它们也将起不到提供载流子的作用。为此，就还需要进行一定的热处理步骤——激活退火。Au、Pt等重金属杂质原子的扩散：重金属杂质与施主或受主杂质不同，因为重金属杂质的原子半径很小，即使在较低温度下也能够很容易地通过晶格间隙而进入到半导体中去，所以扩散的温度一般较低。例如扩散Au，在700℃下，只要数分钟，Au原子即可分布到整个Si片。 IonImplantation（离子注入）离子注入：为了使施主或受主杂质原子能够进入到晶体中去，需要首先把杂质原子电离成离子，并用强电场加速、让这些离子获得很高的动能，然后再直接轰击晶体、并“挤”进到里面去；这就是“注入”。通过测量离子电流可严格控制剂量。离子注入缺点：(1)入射离子对半导体晶格有损伤；(2)很浅的和很深的注入分布都难以得到；(3)对高剂量注入，离子注入产率受到限制；(4)离子注入设备昂贵。 IonImplantation——离子注入设备离子注入机 IonImplantation——离子注入步骤射束控制器加速器射束控制器高能射束离子源（离子化的掺杂物原子）硅基底高能离子束掺杂物的分布遮光层（如SiO2）离子束硅基底上的离子注入 IonImplantation掺杂物通过遮光层的分布硅基底增强离子束掺杂区遮光层 ThinFilm薄膜工艺ThinFilmsoverviewPhysicalDepositionEvaporationSputteringChemicalVaporDeposition(CVD)AtmosphericCVD(APCVD)LowPressureCVD(LPCVD)Plasma-EnhancedCVD(PECVD)EpitaxialGrowth ThinFilmsoverviewAllthelayersabovethesurfaceofthewafermustbedeposited.Generallythetechniquesusedtodepositmetalsarephysical.Semiconductingandinsulatinglayersdepositionofteninvolvechemicalreactions.Nowthisdistinctionischanging,chemicaldepositionofmetalsisbeingdeveloped.Involve:PhysicaldepositionChemicalvapordepositionEpitaxialgrowth EvaporationWhatisevaporation?Materialtobeevaporatedisheatedtoincreasevaporpressure.Inareasonablyhighvacuum,materialatomsflytoatargetandstickontothesurface.Sourcematerialiscoatedontothetargetsurface. Vaporpressure Unitsofpressure Crucibles 机械泵初级抽气泵扩散泵冷阱放气真空腔圆片淀积材料坩埚EvaporationAsimplediffusion-pumpedevaporator DepositionRatesThenumberofgasmoleculescrossingaplaneunittimeisgivenby：TheLangmuirexpressionforthemassevaporationrate：Themasslossrateofthecrucibleas：(1)(2)(3) DepositionRatesM:atomicmass原子质量k:constant波尔兹曼常数Pe:equilibriumvaporpressureofthecruciblematerial坩埚内材料的平衡蒸汽压T:temperature（K）A:areaofthecrucible坩埚开口的恒定面积DepositionratedependsonthelocationandorientationoftheWaferinthechamber.(4) DepositionRates--ExampleQuestion?Consideradropofwaterinsidearoomtemperaturevacuumchamber.IfthedropformsahemisphereofRadiusr0,andifthedropremainsatroomtemperature,Calculatethetimeitwilltaketoevaporatethedrop.Assumer0=1mm.考虑一滴水处于室温下的真空腔内。若水滴形成半径为r0的半球，而且保持室温，计算蒸发这滴水所需要的时间。假设r0=1mm。 Resolution(1):ThenumberofwatermoleculesinthedropisgivenbyThetimerateofchangeofnisUsingEquation(1): Resolution(2):Sincedr/dtisconstant,t=r0/dr/dtAt27℃,PeforH2Ois27torr=3.6x103Pa.Then,Inreality,waterwillbecooledduringtheevapoartion,reducingPe.Also,thelastfewlayersofwaterwillbeheldatthesurfacebyelectrostaticforces. StepCoverage(1)LowadatommobilityandnonrotatedHeatedandrotated StepCoverage—twomethodtoimprovestepcoverage(1)Rotatethewaferintheevaporatedbeamisusedtoimprovingthestepcoverage.Thehemisphericalcagesusedtoholdthewafersintheevaporatoraredesignedsoastorollthewafer. Asecondmethodtoimprovestepcoverageistoheatthewafer.Manyevaporatorsusebanksofinfraredlampsorlow-intensityrefractorymetalcoilsbehindtheplanetariestodothis.Atomsthatreachthewafercandiffuseacrossthesurfacebeforetheychemicallybondandbecomepartofthegrowingfilm.Oneconcernwithheatingthesubstratewhenappliedtoalloydepositionisthatthesurfacediffusivitiesoftheconstituentatomsmaybeverydifferent.Thus,thecompositionofthefilmatthebottomofacontactmaybedifferentthanthecompositionatthetopofthestructure.Asecondconcernisthattheincreasedsubstratetemperaturecanaffectthefilmmorphology,oftenleadingtolargegrains.StepCoverage—twomethodtoimprovestepcoverage(2) Evaporatorsystems:Crucibleheatingtechniques(1)ResistiveevaporatorsourcesSourcerodHeatedspiralchargeDimpleboatResistiveevaporatorsources.(A)Simplesourcesincludingheatingthechargeitselfandusingacoilofrefractorymetalheatercoilandachargerod.(B)Morestandardthermalsourcesincludingadimpledboatinaresistivemedia. BoronnitrideCrucibleInductiveCoilEvaporatorsystems:Crucibleheatingtechniques(2)InductiveevaporatorsourcesExampleofaninductivelyheatedcrucibleusedtocreatemoderatelyChargedtemperature.Moltencharge Evaporatorsystems:(设备示意图)Crucibleheatingtechniques(3)Electron-beamevaporatorsourcesHighVoltagewireTungstenFilamentcoilRodtobeevaporatedInsulatorsupportSteppermotorFilamentAcceleratinggridDeflectionplatesBendingmagnetElectronbeamCharge Evaporatorsystems:(工作示意图)Crucibleheatingtechniques(3)Electron-beamevaporatorsources Comparisonbetweenthermalevaporationande-gunevaporation Comparisonbetweenthermalevaporationande-gunevaporation WantthisButoftengetthisProblems Evaporatorequipment:Thermalevaporation Evaporatorequipment:E-beamevaporation MulticomponentFilmsshuttershutterAlloymeltMaterial1Material2Material1Material2AlloyfilmAlloyfilmLayereddepositwaferwaferwaferMethodsforevaporatingmulticomponentfilmsincludeSinglesourceevaporationMultisourcesimultaneousevaporationMultisourcesequentialevaporation SputteringPrinciple SputteringPrinciplePossibleoutcomesforanionincidentontheSurfaceofawafer+IncidentionReflectedionsandneutralsSecondaryelectronsSputteredatomsSurfaceSubstratedamage SputteringSimpleparallel-platesputteringsystemAdvantages:betterstepcoverage,lessradiationdamagethanE-beamevaporation,easiertodepositalloys. SputteringTwosputteringsystems DCSputtering(1)DCsputteringwillonlyworkifaDCcurrentcanflow.Thisisnoproblemifthetargetandthesubstratearebothconducting.Ifoneisnot-usuallythetargetsuchasSiO2-thereisaproblem.Thesolutionistoquicklyreversethepolaritybeforethepositiveionshittingtheinsulatingtargetgenerateapositiverepulsivecharge!Uponpolarityreversal,electronswillhitthetargetandneutralizeanypreviouscharge! DCSputtering(2) RFSputtering(1) RFSputtering(2) RFSputtering(3) MagnetronSputtering(1)Magneticfieldsforceelectronstospiral,increasingcollisionswithNeutralions->denserplasma->MagnetronsputteringPlanarMagnetronReactorwithParallelPermanentMagnetsp=0.5Pa,P=5kW/m2B=0.01TTypical MagnetronSputtering(2)磁控溅射过程示意图 MagnetronSputtering(3) ChemicalVaporDeposition(CVD)化学气相沉积合成方法发展化学气相沉积乃是通过化学反应的方式，利用加热、等离子激励或光辐射等各种能源，在反应器内使气态或蒸汽状态的化学物质在气相或气固界面上经化学反应形成固态沉积物的技术。化学气相沉积的英文词原意是化学蒸汽沉积（ChemicalVaporDeposition,CVD），因为很多反应物质在通常条件下是液态或固态，经过汽化成蒸汽再参与反应的。 ChemicalVaporDeposition(CVD)化学气相沉积合成方法发展化学气相沉积的古老原始形态可以追朔到古人类在取暖或烧烤时熏在岩洞壁或岩石上的黑色碳层。作为现代CVD技术发展的开始阶段在20世纪50年代主要着重于刀具涂层的应用。从20世纪60～70年代以来由于半导体和集成电路技术发展和生产的需要，CVD技术得到了更迅速和更广泛的发展。 ChemicalVaporDeposition(CVD)化学气相沉积合成方法发展CVD技术不仅成为半导体超纯硅原料—超纯多晶硅生产的唯一方法，而且也是硅单晶外延、砷化镓等Ⅲ～Ⅴ旋半导体和Ⅱ～Ⅵ旋半导体单晶外延的基本生产方法。在集成电路生产中更广泛的使用CVD技术沉积各种掺杂的半导体单晶外延薄膜、多晶硅薄膜、半绝缘的掺氧多晶硅薄膜；绝缘的二氧化硅、氮化硅、磷硅玻璃、硼硅玻璃薄膜以及金属钨薄膜等。在制造各类特种半导体器件中，采用CVD技术生长发光器件中的磷砷化镓、氮化镓外延层等，硅锗合金外延层及碳化硅外延层等也占有很重要的地位。 ChemicalVaporDeposition(CVD)化学气相沉积合成方法发展在集成电路及半导体器件应用的CVD技术方面，美国和日本，特别是美国占有较大的优势。日本在蓝色发光器件中关键的氮化镓外延生长方面取得突出进展，以实现了批量生产。1968年K.Masashi等首次在固体表面用低汞灯在P型单晶硅膜，开始了光沉积的研究。1972年Nelson和Richardson用CO2激光聚焦束沉积出碳膜，从此发展了激光化学气相沉积的工作。 ChemicalVaporDeposition(CVD)化学气相沉积合成方法发展继Nelson后，美国S.D.Allen，Hagerl等许多学者采用几十瓦功率的激光器沉积SiC、Si3N4等非金属膜和Fe、Ni、W、Mo等金属膜和金属氧化物膜。前苏联DeryaginSpitsyn和Fedoseev等在20世纪70年代引入原子氢开创了激活低压CVD金刚石薄膜生长技术，80年代在全世界形成了研究热潮，也是CVD领域一项重大突破。CVD技术由于采用等离子体、激光、电子束等辅助方法降低了反应温度，使其应用的范围更加广阔。 ChemicalVaporDeposition(CVD)化学气相沉积合成方法发展中国CVD技术生长高温超导体薄膜和CVD基础理论方面取得了一些开创性成果。Blocher在1997年称赞中国的低压CVD(lowpressurechemicalvapordeposition,LPCVD)模拟模型的信中说：“这样的理论模型研究不仅仅在科学意义上增进了这项工艺技术的基础性了解，而且引导在微电子硅片工艺应用中生产效率的显著提高。”1990年以来中国在激活低压CVD金刚石生长热力学方面，根据非平衡热力学原理,开拓了非平衡定态相图及其计算的新领域，第一次真正从理论和实验对比上定量化的证实反自发方向的反应可以通过热力学反应耦合依靠另一个自发反应提供的能量推动来完成。 ChemicalVaporDeposition(CVD)化学气相沉积合成方法发展低压下从石墨转变成金刚石是一个典型的反自发方向进行的反应，它依靠自发的氢原子耦合反应的推动来实现。在生命体中确实存在着大量反自发方向进行的反应，据此可以把激活（即由外界输入能量）条件下金刚石的低压气相生长和生命体中某些现象做类比讨论。因此这是一项具有深远学术意义和应用前景的研究进展。 ChemicalVaporDeposition(CVD)化学气相沉积合成方法发展目前，CVD反应沉积温度的低温化是一个发展方向，金属有机化学气相沉积技术(MOCVD)是一种中温进行的化学气相沉积技术，采用金属有机物作为沉积的反应物，通过金属有机物在较低温度的分解来实现化学气相沉积。近年来发展的等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)也是一种很好的方法，最早用于半导体材料的加工，即利用有机硅在半导体材料的基片上沉积SiO2。PECVD将沉积温度从1000℃降到600℃以下，最低的只有300℃左右，等离子体增强化学气相沉积技术除了用于半导体材料外，在刀具、模具等领域也获得成功的应用。 ChemicalVaporDeposition(CVD)化学气相沉积合成方法发展随着激光的广泛应用，激光在气相沉积上也都得到利用，激光气相沉积(LCVD)通常分为热解LCVD和光解LCVD两类，主要用于激光光刻、大规模集成电路掩膜的修正以及激光蒸发-沉积。在向真空方向发展方面在向真空方向发展方面，出现了超高真空/化学气相沉(UHV/CVD)法。 ChemicalVaporDeposition(CVD)化学气相沉积合成方法发展这是一种制造器件的半导体材料的系统，生长温度低(425～600℃)，但真空度要求小于1.33×10Pa，系统的设计制造比分子束外延(MBE)容易，其主要优点是能实现多片生长。此外，化学气相沉积制膜技术还有射频加热化学气相沉积(RF/CVD)、紫外光能量辅助化学气相沉积(UV/CVD)等其它新技术不断涌现。 ChemicalVaporDeposition(CVD)CVDisusedtogrowathinlayerofadvancedmaterialsonthesurfaceofasubstrate.Applications:•integratedcircuits,optoelectronicdevicesandsensors•catalysts•micromachines,andfinemetalandceramicpowdersprotectivecoatings ChemicalVaporDeposition(CVD)化学气相沉积乃是通过化学反应的方式，利用加热、等离子激励或光辐射等各种能源，在反应器内使气态或蒸汽状态的化学物质在气相或气固界面上经化学反应形成固态沉积物的技术。简单来说就是：两种或两种以上的气态原材料导入到一个反应室内,然后他们相互之间发生化学反应，形成一种新的材料，沉积到基片表面上。从气相中析出的固体的形态主要有下列几种：在固体表面上生成薄膜、晶须和晶粒，在气体中生成粒子。 CVD过程包括以下几步：（1）反应气体从腔体入口向硅片附近输运；（2）这些气体反应生成系列次生分子；（3）这些反应物输运到硅片表面；（4）表面反应释放出硅；（5）气体副产物解吸附；（6）副产物离开硅片表面的输运；（7）副产物离开反应器的输运。（1）thetransportoftheprecursorsfromthechamberinlettotheproximityofthewafer；（2）reactionofthesegassestoformarangeofdaughtermolecules；（3）transportofthesereactantstothesurfaceofthewafer；（4）surfacereactionstoreleasethesilicon；（5）desorptionofthegaseousby-products；（6）transportoftheby-productsawayfromthesurfaceofthewafer；（7）transportoftheby-productsfromthereactor.CVDWorkingPrinciple CVDWorkingPrincipleTiC气相沉积装置 CVDReactionTypesPyrolysisReductionOxidationCompoundformationDisproportionationReversibletransfer CVDReactionTypesPyrolysisChemicaldecompositionorchargeinducedbyheat热裂解反应 CVDReactionTypesReduction CVDReactionTypesOxidation CVDReactionTypesCompoundFormation CVDReactionTypesDisproportionation CVDReactionTypesReversibleTransfer CVD的优点(1)在中温和高温下,通过气态的初始化合物之间的气相化学反应而沉积固体;(2)可以在大气压(常压)或者低于大气压下进行沉积,一般说低压效果更好些;(3)采用等离子和激光辅助技术可以显著促进化学反应,使沉积可在较低的温度下进行;(4)镀层的化学成分可以改变,从而获得梯度沉积物或者得到混合镀层;(5)可以控制镀层的密度和纯度;(6)绕镀性好,可在复杂形状的基体上以及颗粒材料上沉积;(7)气体条件通常是层流的,可在基体表面形成厚的边界层;(8)沉积层通常具有柱状晶结构,不耐弯曲,但通过各种技术对化学反应进行气相扰动,可以得到细晶粒的等轴沉积层;(9)可以形成多种金属、合金、陶瓷和化合物镀层。只要原料气稍加改变,采用不同的工艺参数便可制备性能各异的沉积层;可涂覆各种复杂形状工件,如带槽、沟、孔或盲孔的工件;涂层与基体间结合力强等。 CVD的缺点(1)主要缺点是反应温度较高,沉积速率较低(一般每小时只有几μm到几百μm),难以局部沉积;(2)参与沉积反应的气源和反应后的余气都有一定的毒性;(3)镀层很薄,已镀金属不能再磨削加工,如何防止热处理畸变是一个很大的难题,这也限制了CVD法在钢铁材料上的应用,而多用于硬质合金。 ThermalCVDFilms CVD技术根据反应类型或者压力可分为低压CVD(LPCVD)常压CVD(APCVD)亚常压CVD(SACVD)超高真空CVD(UHCVD)等离子体增强CVD(PECVD)高密度等离子体CVD(HDPCVD)快热CVD(RTCVD)金属有机物CVD(MOCVD)CVD技术CVD分类 CVDReactorTypes（常用） CVDReactorTypes比较制程优点缺点应用APCVDLPCVDPECVD反应结构简单沉积速率快低温制程高纯度步阶覆盖极佳可沉积大面积芯片高纯度步阶覆盖极佳可沉积大面积芯片步阶覆盖差粒子污染高温制程低沉积速率化学污染粒子污染低温气化物高温氧化物多晶硅钨，硅化钨低温绝缘体钝化层 所谓的APCVD，顾名思义，就是在压力接近常压下进行CVD反应的一种沉积方式。APCVD的操作压力接近1atm(101325Pa)，按照气体分子的平均自由径来推断，此时的气体分子间碰撞频率很高，是属于均匀成核的“气相反应”很容易发生，而产生微粒。因此在工业界APCVD的使用，大都集中在对微粒的忍受能力较大的工艺上，例如钝化保护处理。ThermalCVD（APCVD） ThermalCVD（APCVD）简单的连续供片常压反应器 LPCVD低压化学气相沉积技术早在1962年Sandor等人就做了报道。低压CVD的设计就是将反应气体在反应器内进行沉积反应时的操作能力，降低到大约100Torr(1Torr=133.332Pa)一下的一种CVD反应。由于低压下分子平均自由程增加，气态反应剂与副产品的质量传输速度加快，从而使形成沉积薄膜材料的反应速度加快，同时气体分布的不均匀性在很短时间内可以消除，所以能生长出厚度均匀的薄膜。 在低真空的条件下，利用硅烷气体、氮气（或氨气）和氧化亚氮，通过射频电场而产生辉光放电形成等离子体，以增强化学反应，从而降低沉积温度，可以在常温至350℃条件下，沉积氮化硅膜、氧化硅膜、氮氧化硅及非晶硅膜等。在辉光放电的低温等离子体内，“电子气”的温度约比普通气体分子的平均温度高10～100倍，即当反应气体接近环境温度时，电子的能量足以使气体分子键断裂并导致化学活性粒子（活化分子、离子、原子等基团）的产生，使本来需要在高温下进行的化学反应由于反应气体的电激活而在相当低的温度下即可进行，也就是反应气体的化学键在低温下就可以被打开。所产生的活化分子。原子集团之间的相互反应最终沉积生成薄膜。Plasma-EnhancedCVD(PECVD) Plasma-EnhancedCVD(PECVD)人们把这种过程称之为等离子增强的化学气相沉积PCVD或PECVD，亦称为等离子体化学气相沉积，或等离子体化学蒸汽沉积。PCVD按等离子体能量源方式划分，有直流辉光放电（DC-PCVD），射频放电（RF-PCVD）和微波等离子体放电（MW-PCVD）。 Plasma-EnhancedCVD(PECVD) EpitaxialGrowth外延生长外延是指在单晶体基底上生长同样单晶体材料的薄膜。例如，可采用这种工艺在硅衬底的特定位置沉积硅膜，以增加微结构的厚度。这种工艺常被用作微电子工业中的硅二极管和晶体管的制造，对于MEMS来讲，这项技术用来构造器件的三维几何体。外延沉积与CVD工艺在某些应用方面是非常相似的，例如,都利用同样的载体气和在相同的反应基底上采用相同材料的反应物。然而，两者的主要不同点是外延不仅能在硅基底上沉积硅，而且能够在GaAs基底上沉积GaAs材料。MEMS中主要采用硅作为基底材料，因而，我们主要介绍在硅基底上外延沉积硅的工艺。 EpitaxialGrowth外延生长硅外延生长示意图 外延生长的过程1、衬底的清洁处理衬底的表面状况如何对外延层质量有着严重影响，是外延工艺的关键之一。对衬底的要求是表面平整、光洁。即使如此，仍要对衬底片进行化学处理，以去除表面氧化层、微粒和游离的金属等各种沾污以利于外延生长的进行。其化学处理过程如下：甲苯丙酮乙醇去离子水冲→硫酸煮至冒烟三次→去离子水冲→烘干待用。2、装片在超净工作台中，把烘干的衬底片用乙醇棉球擦净后放在基座上，装入反应室内。(1)打开高频炉的水冷和风冷，开启高频炉灯丝电压进行灯丝预热。（2）通人氢气，以排除外延系统中的空气，通气10分钟后方可开启高压。（3）加上高压、待温度升至1160－1200℃时（用光学高温计测量），进行SiCl4赶气，约五分钟。3、外延生长将氢气携带的SiCl4蒸气通入反应室内进行生长，氢气流量8升／分；SiCl4流量：0.45升/分；生长温度1160℃－1200℃；生长速率：1微米/分。4、停止生长（1）关闭SiCl截门，继续通氢气5分钟，以排除生长系统中的SiCl残余气体。（2）关高压，待反应室冷却后取片进行质量分析。 EpitaxialGrowth外延生长气相外延（VPE）分子束外延（MBE）金属有机物CVD（MOCVD）互补金属氧化物半导体（CMOS）外延 补充知识 ThermodynamicsofCVD ThermodynamicsofCVD ThermodynamicsofCVD ThermodynamicsofCVD GasTransport GasTransport GasTransport FilmGrowthKinetics FilmGrowthKinetics FilmGrowthKinetics