模拟电子简明教程 第1讲 11-12.pptx

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1、第一节半导体的特性本征半导体杂质半导体第1章半导体器件1.半导体(semiconductor)共价键Covalentbond半导体的定义:将导电能力介于导体和绝缘体之间的一大类物质统称为半导体。大多数半导体器件所用主要材料是硅和锗一、本征半导体(intrinsicsemiconductors)价电子在硅(或锗)的晶体中,原子在空间排列成规则的晶格。晶体中的价电子与共价键+4+4+4+4+4+4+4+4+42.本征半导体(intrinsicsemiconductors)纯净的、不含杂质的半导体称为本征半导体。在本征半导体中,由于晶体中共价键的结合

2、力很强,在热力学温度零度(即T=0K,)时,价电子的能量不足以挣脱共价键的束缚,晶体中不存在能够导电的载流子,半导体不能导电,如同绝缘体一样。+4+4+4+4+4+4+4+4+4本征半导体中的载流子带负电的自由电子Freeelectron带正电的空穴hole如果温度升高,少数价电子将挣脱共价键束缚成为自由电子。在原来的共价键位置留下一个空位,称之为空穴。+4+4+4+4+4+4+4+4+4半导体中存在两种载流子:带负电的自由电子和带正电的空穴。在一定温度下电子-空穴对的产生和复合达到动态平衡。在本征半导体中,两种载流子总是成对出现称为电子–空穴

3、对本征载流子的浓度对温度十分敏感电子-空穴对两种载流子浓度相等1.N型(或电子型)半导体(N-typesemiconductor)二、杂质半导体则原来晶格中的某些硅原子将被杂质原子代替。杂质原子与周围四个硅原子组成共价键时多余一个电子。这个电子只受自身原子核吸引,在室温下可成为自由电子。在4价的硅或锗中掺入少量的5价杂质元素,在本征半导体中掺入某种特定的杂质,就成为杂质半导体。+5+4+4+4+4+4+4+4+4自由电子+5+4+4+4+4+4+4+4+4失去自由电子的杂质原子固定在晶格上不能移动,并带有正电荷,称为正离子。在这种杂质半导体中,

4、电子的浓度大大高于空穴的浓度。因主要依靠电子导电,故称为电子型半导体。多数载流子Majoritycarrier少数载流子Minoritycarrier5价的杂质原子可以提供电子,所以称为施主原子。+3+4+4+4+4+4+4+4+4在硅或锗晶体中掺入少量的3价杂质元素,空位2.P型半导体(P-typesemiconductor)当它与周围的硅原子组成共价键时,将缺少一个价电子,产生了一个空位。空位为电中性。硅原子外层电子由于热运动填补此空位时,杂质原子成为负离子,硅原子的共价键中产生一个空穴。在这种杂质半导体中,空穴的浓度远高于自由电子的浓度。

5、+3+4+4+4+4+4+4+4+4空穴在室温下仍有电子-空穴对的产生和复合。多数载流子P型半导体主要依靠空穴导电,所以又称为空穴型半导体。3价的杂质原子产生多余的空穴,起着接受电子的作用,所以称为受主原子。少数载流子在杂质半导体中:杂质浓度不应破坏半导体的晶体结构,多数载流子的浓度主要取决于掺入杂质的浓度;而少数载流子的浓度主要取决于温度。杂质半导体的优点:掺入不同性质、不同浓度的杂质,并使P型半导体和N型半导体以不同方式组合,可以制造出形形色色、品种繁多、用途各异的半导体器件。总结第二节半导体二极管PN结及其单向导电性二极管的伏安特性二极管

6、的主要参数稳压管-++++++++++++-----------1.PN结中载流子的运动-++++++++++++-----------空间电荷区内电场Uho又称耗尽层,即PN结。最终扩散(diffusion)运动与漂移(drift)运动达到动态平衡,PN结中总电流为零。内电场又称阻挡层,阻止扩散运动,却有利于漂移运动。硅约为(0.6~0.8)V锗约为(0.2~0.3)V一、PN结及其单向导电性扩散漂移正向电流外电场削弱了内电场有利于扩散运动,不利于漂移运动。空间电荷区变窄2.PN结的单向导电性加正向电压+-U-++++++++++++----

7、-------RE耗尽层内电场Uho-U外电场I称为正向接法或正向偏置(简称正偏)forwardbiasPN结处于正向导通(on)状态,正向等效电阻较小。动画+-U-++++++++++++-----------RE称为反向接法或反向偏置(简称反偏)一定温度下,E超过某一值后I饱和,称为反向饱和电流IS。结论:PN结具有单向导电性:正向导通,反向截止。内电场外电场Uho+U空间电荷区外电场增强了内电场有利于漂移运动,不利于扩散运动。反向电流非常小,PN结处于截止(cut-off)状态。加反向电压I反向电流IS对温度十分敏感。二、二极管的伏安特性

8、阳极从P区引出,阴极从N区引出。1.二极管的类型从材料分:硅二极管和锗二极管。从管子的结构分:对应N区对应P区点接触型二极管,工作电流小,可在高频下工

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