最新EEPROM-读写逻辑.doc

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1、精品资料EEPROM-读写逻辑........................................精品资料EEPROM的读写逻辑一:对EEPROM的读和写1,ReadEEPROMlogic读EEPROM的数据和一般读flash数据没什么区别,DZ128有两页EEPROM空间;都共用地址0x3C00~0x3FFF;通过设定寄存器来选择cpu操作第一页或者第二页。读EEPROM函数:INT8UsEepromRead(INT16UwAddr,INT16UwLength,INT8U*pbBuffer)wAddr:读取EEPROM的首地址;wLength:

2、读取数据长度pbBuffer:保存数据的首地址2,WriteEEPROMlogic写EEPROM函数:INT8UsEepromWrite(INT16UwAddr,INT16UwLength,INT8U*pbBuffer)wAddr:写进EEPROM首地址(只是作为一个判定的作用,代码里面都是从0开始写)wLength:数据长度pbBuffer:数据源地址向EEPROM写数据的流程如下:........................................精品资料二,ICM对EEPROM的处理逻辑EEPROM用来保存一些掉电不会消失的数据,如一些校正

3、参数等;ICM对EEPROM进行操作的基本逻辑是:当机器启动时,将EEPROM的相关参数保存至MCU的内部RAM中,如果发生错误则将默认值作为参考值使用,当机器掉电后将RAM中的对应参数保存到EEPROM中去。1,初始化时读EEPROM数据;当机器刚开机时,MCU会将EEPROM的信息保存到MCU的内部RAM中去;当以下条件有一个发生错误则MCU将会认为EEPROM发生错误,会将默认值作为EEPROM的参数值来被MCU引用,并且在断电前将对应参数写进EEPROM中;A,读取的数据长度参数错误B,Checksum错误......................

4、..................精品资料注:问题这样的逻辑是有问题存在的,例如,如果发生了EEPROM的读写错误,机器将会默认值写到EEPROM中去,但是这参数不是校正后的数值,因此需要再次校正才能保证机器的工作精度;所以应该将校正后的参数值作为机器的默认值较为合理。2,掉电后向EEPROM写数据a),断电触发信号会触发MCU将RAM中的对应数据写到EEPROM中,最后两个字节为checksum数据。如上图,当+12V电压掉至10V一下后,PWR-GD会发生翻转,触发MCU中断后,MCU会将电源掉电标识位置起来;50ms任务sOutputLoadJob会

5、将RAM中的相关信息保存到EEPROM中去;为此+12V电源掉电后,为了保证能够有足够的时间来将信息写到EEPROM中去,MCU至少还需持续工作一段时间T;T=T1+T2;T1=50ms,T2为将信息写到EEPROM的时间为148ms;为此从有保存EEPROM的触发信号到MCU断电持续的时间必须大于200ms;........................................精品资料现在的做法是在MCU的VDD端加一个3300UF的电容来支持MCU工作;如下图对EEPROM写的时间和MCU断电时间作了一些测试:1,EEPROM的erase时间;

6、对EEPROM有两种erase的方式,分别为sector和Masserase;Sectorerase有4bytes和8bytes两种方式,每次erase的时间约为20msMasserase是全部erase;时间为100ms左右;我们现在采用的是Masserase的方式;2,EEPROM的program时间;对与EEPROM有两种program方式,分别为Byteprogram和Burstprogram;Byteprogram:时间为9个FCLK;1个字节Burstprogram:时间为4个FCLK;32个字节我们现在采用的是Byteprogram方式测试方案

7、:用一个管脚输出测试信号,来测试对EEPROM的erase和program所用的时间;对EEPROM进行写操作的逻辑是:先erase,后program;测试信号逻辑:开始为低电平,开始进入EEPROM函数时将其置高,开始进入ERASE时将其置低,开始PROGRAM时将其置高,完成对EEPROM写操作时将其置低;波形如CH3:MCUVDD信号;CH4:测试信号........................................精品资料如右图所示:完成整个EEPROMsave的时间为148.6ms如右图所示:完成整个EEPROMprogram的时间为

8、42.9ms如右图所示:完成整个EEPROMeras

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