GJB128A-1997半导体分立器件试验方法.pdf

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1、中华人民共和国国家军用标准半导体分立器件试验方法TestmethodsForsemicondctordiscretedevicesGJB128A-97代替GJB128-861范围1.1主题内容本标准规定了半导体分立器件以下简称器件的通用试验方法包括军用条件下抗损害能力的基本环境试验机械性能试验和电特性测试1.2适用范围本标准适用于军用半导体分立器件1.3应用指南1.3.1规定试验室中的试验条件要适当使试验结果等效于现场使用结果试验结果要能再现但这不能理解为试验条件完全等同某一地区真实的工作条件这是因为只有在某一地区实际工作的试验才是那个地区真实的工作试验用一个标准描述各种通用

2、半导体器件规范中性质相似的试验方法时就可以使这些方法保持统一从而可以充分利用设备设施和节省工时为了达到这一目标要使每一种通用试验方法适用于多种器件1.3.2在详细规范中引用本标准的试验方法时应注明本标准编号试验方法编号及所引用试验方法中应规定的细节2引用文件GB313188锡铅焊料GB402386半导体分立器件第2部分整流二极管GB402483半导体器件反向阻断三极晶闸管的测试方法GB458694半导体器件分立器件第8部分场效应晶体管GB458794半导体器件分立器件和集成电路第7部分双极型晶体管GB657086微波二极管测试方法GB657194半导体器件分立器件第3部分信号

3、包括开关和调整二极管GB949188锡焊用液态焊剂松香基GB1149989半导体分立器件文字符号GB12300-90功率晶体管安全工作区测试方法GB33A97半导体分立器件总规范GIB360A96电子及电气元件试验方法GJB762.1一89半导体器件辐射加固试验方法中子辐照试验GJB762.389半导体器件辐射加固试验方法г瞬时拍辐照试验GJB1209一91微电路生产线认证用试验方法和程序GJB164993电子产品防静电放电控制大纲GJB271296测量设备的质量保证要求一计量确认体系3定义本标准采用引用文件中的术语和符号3.1缩写词a.ATE自动试验设备b.BIST反向不稳

4、定性冲击试验c.DPA破坏性物理分析d.DUT受试器件e.ESD静电放电f.ESDS静电放电敏感度g.FET场效应晶体管h.FIST正向不稳定性冲击试验i.FWHM:脉冲幅值的一半所对应的宽度j.JTRB高温反偏k.IF中频l.IGBT绝缘栅双极型晶体管m.LCC:无引线片式载体n.LINAC直线加速O.MOSFET:金属氢化物半导体场效应晶体管p.PIND粒子碰撞噪声检测q.RH相对湿度r.SEM扫描电子显微镜s.SOA安全工作区t.SSOP稳态工作功率u.STU灵敏度检测单元v.SWR驻波比w.TLD热致发光剂量计x.TSP温度敏感参数4一般要求4.1试验条件除非在本标准

5、或详细规范中另有规定所有测量和寿命试验均应在25±3环境温度环境大气压及相对湿度下决平衡的情况下进行试验的标准大气条件为温度1535相对湿度2080气压86106kPa仲裁试验的标准大气条件为温度25±1相对相反4852气压86106kPa4.1.1环境试验箱内允许的温度变化当使用环境试验箱时受试样品应置于符合下列条件的工作区域内a.工作区域内温度变化试验箱温度控制能力应能使工作区域内参考点的温度变化保持在±2或±4以内以大者为准b.工作区域内空间各点的温度变化试验箱的结构应能使工作区域内任一点的温度在给定的时间内都不能偏离参考点±3或±3以大者为准但紧靠发热样品处除外C.规

6、定温度下限的试验例如老炼和寿命试验等在试验要求规定有试验温度下限时试验箱结构和控制应使得工作区域内任一点的温度与规定的温度下限的偏差不超过8-0或+8-0以大者为准但紧靠发热样品处除外4.1.2电测试频率除非另有规定电测试频率为1000±25Hz4.1.3准确度规定的极限是在规定的标称的试验条件下得到的绝对真值在确定用作测量值的工作极限时应为测试误差包括由于偏离标称的测试条件引起的给出适当的裕量以使器件参数的真值正如它们在标称测试条件下那样处于规定的权限以内除非另有规定器件的所有测试3000类4000类和其它规定的电参数应保持下述测试公差和预防措施虽然在有关文件中规定的测试条

7、件严于下述公差但在一般情况下应遵循下述规定的条件和预防措施a.偏置条件应在规定位的全±3以内b.输入脉冲特性重复频率频率等应保持在±10以内标称值的选择应使得±10的变量或实际试验设备的变量当小于±10时不影响规定值的测量准确度或有效性c.击穿试验所加电压应保持在规定值的l以内d.阴性负载的误差应是±5e.容性负载的误差应是±10或±lpF以大者为准f.感性负载的误差应是±10或±5µH以大者为准g.测量静态参数的误差应在±1以内h.测量开关参数的误差应在全±5或1ns以内以大者为准4.1.3.1试验方