理工科专业毕业开题报告范文

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1、理工科专业毕业开题报告范文  论文题目:AMOLED像素驱动电路设计  开题报告内容  ①项目研究的背景和意义  有机发光显示器(OLEDs)是当今平板显示器研究领域的热点之一。与液晶显示器(LCD)相比,OLEDs具有低能耗、生产成本低(比液晶低20%~30%)、自发光、宽视角、工艺简单、成本低、温度适应性好、响应速度快等优点。目前,在手机、PDA、数码相机等小屏显示应用领域OLEDs已经开始取代传统的LCD显示屏。  OLED显示器驱动方式可分为两种类型:无源矩阵OLED(PassiveMatrixOLED,简称PMOLED)和有源矩阵OLED(ActiveMatri

2、xOLED,简称AMOLED)。PMOLED采用行列扫描的方式驱动相应的像素发光,具有结构简单,生产成本低的优点,但器件能耗高,分辨率有限,器件寿命和显示品质也无法同TFT-LCD相抗衡。在AMOLED中,每个发光像素都有独立的TFT电路驱动,不存在交叉串扰问题,亮度、寿命以及分辨率等都较PMOLED有大幅提高。由于显示器未来发展趋势是向着高精细画质应用,PMOLED驱动方式已无法满足要求。因此,发展AMOLED驱动技术,解决有机发光显示器的瓶颈问题显得日益迫切。  像素驱动电路的设计是AMOLED显示器的核心技术内容,具有重要研究意义。本项目致力于基于薄膜晶体管(TFT

3、)的AMOLED显示器像素驱动电路的研究与实现。  ②工作任务分析  目前,应用于AMOLED的薄膜晶体管主要有非晶硅薄膜晶体管(a-SiTFT)和低温多晶硅薄膜晶体管(LTPSTFT),二者实现量产的优势最大。a-SiTFT与LTPSTFT相比具有工艺简单、价格低、制备成品率高、关态漏电流小等优点。但a-SiTFT载流子迁移率低,器件的尺寸要比LTPSTFT大得多,而且驱动电压和信号电压都比较大,这些不利因素会造成显示屏像素开口率下降、OLED的寿命缩短,同时a-SiTFT技术存在着过高的光敏感性问题。LTPSTFT具有较高的载流子迁移率,相比于非晶硅工艺,其特征尺寸可

4、以做到更小,增加OLED像素的开口率,还可以实现将显示器的外围驱动电路集成于显示器的周边。  OLED有源矩阵驱动方式可分为电流编程模式和电压编程模式。电流编程是在数据线上提供一恒定电流通过电流镜的作用控制OLED上流过的电流,即根据通入电流的大小控制像素的明暗程度(灰阶)。文献[4]和[9]是采用电流编程模式。采用电流编程技术的AMOLED画面具有自动补偿LTPSTFT器件差异的功能,由此能提供高均匀度及高精细的画质表现,但在低色阶区电流写入不足。在电流编程之前还需要以电压驱动一小段时间使OLED本身的寄生电容预充电(precharge)使OLED的两端电压达到导通电压

5、,导致建立时间长,扫描频率不能太高,限制了电流编程模式只适用于中小尺寸显示。另外,电流镜设计中一般要求至少两个LTPSTFT的物理特性是一致的(阈值电压、迁移率等相同),对于目前的多晶硅工艺这是很难实现的。电压编程模式是在数据线上使用电压信号控制流经OLED的电流而决定像素的明暗程度。电压编程模式结构简单,开口率高,像素充电迅速,功耗小,控制方便,外围驱动芯片设计容易、成本低。通过像素驱动电路的设计可补偿LTPSTFT阈值电压的差异及OLED导通电压随时间退化,还可以补偿大面积显示中电源线寄生电阻引起的电压降,但无法补偿TFT中载流子迁移率的差异。尽管如此,可以通过优化L

6、TPSTFT制备工艺提高迁移率的均匀性。  最简单的AMOLED像素驱动电路如右图所示,包  含两个薄膜晶体管(TFT)和一个存储电容(简称2T1C  电路),其中一个开关(sesfora-Siand  LTPSAMOLEDdisplays,J.DisplayTechnol.,vol.1,no.2,pp.267–277,  Dec.2005.  [9]J.H.Lee,.HaandM.K.HanAneirrorpixelforactivematrixorganiclightemittingdiode,IEEEElectronDeviceLett.,vol.27,

7、pp.8302006.  [10]J.L.SanfordandF.R.Libsch,Vtpensationperformanceofvoltage  dataAMOLEDpixelcircuits,inProc.IDRC,2003,pp.38–40.  [11]R.DaandM.H.Lu,DesignofanImprovedPixelforaPolysiliconActive-MatrixOrganicLEDDisplay,SID,InternationalSymposiumProceedings,1998,pg.

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