题目：纳米硅氧化硅材料体系发光特性研究

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1、说明：每个论文题目限选一名学生，同时1班只选单号题目，2班选双号题目。选后在论文题目后打勾。题目：分子导线的研究进展适合专业：物理学指导教师：赵朋论文基本内容介绍传统的硅基器件由于受到基本物理规律和制造工艺的限制，其尺寸不可能无限地减小。通常人们认为20-30nm（即P-N结耗散区的宽度）可能是器件特征尺寸的物理极限。在接近这一极限时，量子效应（如载流子隧穿等）会造成器件漏电流的增加，并且制造成本会大幅度提高。如何超越这些极限，推动电子学的进一步发展已经成为本世纪初世界范围内所面临的最重大的科学问题之一。近年来，大量研究表明，采用自下而上的制造路线，发展分子电子学进而构建分子器件和分子电

2、路，完全有希望突破传统器件的物理极限，实现电子学的又一次飞跃。分子导线是分子器件之间或分子器件与宏观世界连接的桥梁，是实现分子电路的关键单元。分子导线通常是具有一定长度的共轭分子，在这种分子中，高度离域的π轨道提供了电子输运的通道。从分子器件概念的提出到现在，分子导线的发展得到了广泛的关注。分子导线的深入发展对研究分子体系电荷传输的机理具有重要的意义。本论文主要综述分子导线的发展历史、种类、测量方法等内容。需要的基础与基本要求(1)态度认真(2)英语基础良好，能够独立阅读英文文献(3)做论文的时间充裕(4)有查阅英文文献的条件89说明：每个论文题目限选一名学生，同时1班只选单号题目，2班

3、选双号题目。选后在论文题目后打勾。题目：分子开关的研究进展适合专业：物理学指导教师：赵朋论文基本内容介绍传统的硅基器件由于受到基本物理规律和制造工艺的限制，其尺寸不可能无限地减小。通常人们认为20-30nm（即P-N结耗散区的宽度）可能是器件特征尺寸的物理极限。在接近这一极限时，量子效应（如载流子隧穿等）会造成器件漏电流的增加，并且制造成本会大幅度提高。如何超越这些极限，推动电子学的进一步发展已经成为本世纪初世界范围内所面临的最重大的科学问题之一。近年来，大量研究表明，采用自下而上的制造路线，发展分子电子学进而构建分子器件和分子电路，完全有希望突破传统器件的物理极限，实现电子学的又一次飞

4、跃。开关是电子线路中的基本控制单元。分子开关是一种具有双稳态的量子化体系，当外界条件（光、电、热、磁等）发生变化时，分子可以在两种状态之间进行转换，这两种状态由于电阻的高低不同而对应于电路的通或断，从而构成开关。本论文主要综述分子开关的发展历史、种类、测量方法等内容。需要的基础与基本要求（1）态度认真（2）英语基础良好，能够独立阅读英文文献（3）做论文的时间充裕（4）有查阅英文文献的条件89说明：每个论文题目限选一名学生，同时1班只选单号题目，2班选双号题目。选后在论文题目后打勾。题目：分子整流器的研究进展适合专业：物理学指导教师：赵朋论文基本内容介绍传统的硅基器件由于受到基本物理规律和

5、制造工艺的限制，其尺寸不可能无限地减小。通常人们认为20-30nm可能是器件特征尺寸的物理极限。在接近这一极限时，量子效应（如载流子隧穿等）会造成器件漏电流的增加，并且制造成本会大幅度提高。如何超越这些极限，推动电子学的进一步发展已经成为本世纪初世界范围内所面临的最重大的科学问题之一。近年来，大量研究表明，采用自下而上的制造路线，发展分子电子学进而构建分子器件和分子电路，完全有希望突破传统器件的物理极限，实现电子学的又一次飞跃。整流器是电路中不可或缺的单元，分子整流器由于其在理论和实践中的重要性而成为研究最多的器件之一。1974年，Aviram和Ratner关于分子整流设想的提出使得分子

6、电子学正式成为一门学科。本论文主要综述分子整流器的发展历史、整流机制等内容。需要的基础与基本要求（1）态度认真（2）英语基础良好，能够独立阅读英文文献（3）做论文的时间充裕（4）有查阅英文文献的条件89说明：每个论文题目限选一名学生，同时1班只选单号题目，2班选双号题目。选后在论文题目后打勾。题目：分子晶体管的研究进展适合专业：物理学指导教师：赵朋论文基本内容介绍传统的硅基器件由于受到基本物理规律和制造工艺的限制，其尺寸不可能无限地减小。通常人们认为20-30nm可能是器件特征尺寸的物理极限。在接近这一极限时，量子效应（如载流子隧穿等）会造成器件漏电流的增加，并且制造成本会大幅度提高。如

7、何超越这些极限，推动电子学的进一步发展已经成为本世纪初世界范围内所面临的最重大的科学问题之一。近年来，大量研究表明，采用自下而上的制造路线，发展分子电子学进而构建分子器件和分子电路，完全有希望突破传统器件的物理极限，实现电子学的又一次飞跃。晶体管是电路中不可或缺的单元，分子晶体管由于其在理论和实践中的重要性而成为研究最多的器件之一。。本论文主要综述分子晶体管的发展历史、种类等内容。需要的基础与基本要求（1）态度认真（2）英语基础良好