六存储器em实验答案

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1、存储器EM实验<实验目的>1、了解存储器设备MM2、使用小键区进行存储图1EM原理图存储器EM由一片6116RAM构成，通过一片74HC245与数据总线相连。存储器EM的地址可选择由PC或MAR提供。存储器EM的数据输出直接接到指令总线IBUS，指令总线IBUS的数据还可以来自一片74HC245。当ICOE为0时，这片74HC245输出中断指令B8。连接线表连接信号孔接入孔作用有效电平1J2座J3座将K23-K16接入DBUS[7:0]2IRENK6IR,uPC写允许低电平有效3PCOEK5PC输出地址低电平有效4MAROEK4MAR输出地址低电平有效5MARENK3MAR写允许低电平有效6

2、EMENK2存储器与数据总线相连低电平有效7EMRDK1存储器读允许低电平有效8EMWRK0存储器写允许低电平有效9PCCKCLOCKPC工作脉冲上升沿打入10MARCKCLOCKMAR工作脉冲上升沿打入11EMCKCLOCK写脉冲上升沿打入12IRCKCLOCKIR,uPC工作脉冲上升沿打入实验1：PC/MAR输出地址选择置控制信号为：K5(PCOE)K4(MAROE)地址总线红色地址输出指示灯01PC输出地址PC地址输出指示灯亮10MAR输出地址MAR地址输出指示灯亮11地址总线浮空00错误,PC及MAR同时输出PC及MAR地址输出指示灯亮以下存贮器EM实验均由MAR提供地址实验2：存储

3、器EM写实验将地址0写入MAR二进制开关K23-K16用于DBUS[7:0]的数据输入，置数据00HK23K22K21K20K19K18K17K1600000000置控制信号为：K6(IREN)K5(PCOE)K4(MAROE)K3(MAREN)K2(EMEN)K1(EMRD)K0(EMWR)1110111按CLOCK键,将地址0写入MAR将地址11H写入EM[0]二进制开关K23-K16用于DBUS[7:0]的数据输入，置数据11HK23K22K21K20K19K18K17K1600010001置控制信号为：K6(IREN)K5(PCOE)K4(MAROE)K3(MAREN)K2(EMEN

4、)K1(EMRD)K0(EMWR)1101010按CLOCK键,将地址11H写入EM[0]将地址1写入MAR二进制开关K23-K16用于DBUS[7:0]的数据输入，置数据01HK23K22K21K20K19K18K17K1600000001置控制信号为：K6(IREN)K5(PCOE)K4(MAROE)K3(MAREN)K2(EMEN)K1(EMRD)K0(EMWR)1110111按CLOCK键,将地址1写入MAR将地址22H写入EM[1]二进制开关K23-K16用于DBUS[7:0]的数据输入，置数据22HK23K22K21K20K19K18K17K1600100010置控制信号为：K6

5、(IREN)K5(PCOE)K4(MAROE)K3(MAREN)K2(EMEN)K1(EMRD)K0(EMWR)1101010按CLOCK键,将地址22H写入EM[1]实验3：存储器EM读实验将地址0写入MAR二进制开关K23-K16用于DBUS[7:0]的数据输入，置数据00HK23K22K21K20K19K18K17K1600000000置控制信号为：K6(IREN)K5(PCOE)K4(MAROE)K3(MAREN)K2(EMEN)K1(EMRD)K0(EMWR)1110111按CLOCK键,将地址0写入MAR读EM[0]置控制信号为：K6(IREN)K5(PCOE)K4(MAROE)

6、K3(MAREN)K2(EMEN)K1(EMRD)K0(EMWR)1101101EM[0]被读出:11H将地址1写入MAR二进制开关K23-K16用于DBUS[7:0]的数据输入，置数据01HK23K22K21K20K19K18K17K1600000001置控制信号为：K6(IREN)K5(PCOE)K4(MAROE)K3(MAREN)K2(EMEN)K1(EMRD)K0(EMWR)1110111按CLOCK键,将地址0写入MAR读EM[1]置控制信号为：K6(IREN)K5(PCOE)K4(MAROE)K3(MAREN)K2(EMEN)K1(EMRD)K0(EMWR)1101101EM[1

7、]被读出:22H实验3：使用实验仪小键盘输入EM1．连接J1,J22．打开电源3．按TAB键,选择EM4．输入两位地址,005．按NEXT,进入程序修改6．按两位程序数据7．按NEXT选择下个地址/按LAST选择上个地址8．重复6,7步输入程序9．按RESET结束问题：1、写入存储器操作步骤一：将地址0写入MAR①MAREN←0②正脉冲步骤二：将数据11H写入存储器①MAREN←1②MAROE←0③EMWR←