亲水性二氧化硅纳米聚合物的表面改性

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时间:2018-07-17

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1、亲水性二氧化硅纳米聚合物的表面改性摘要纳米二氧化硅(SiO2)接枝水溶性聚合物,即非离子型聚(氧乙烯丙烯酸甲酯)(POEM)和离子型聚(苯乙烯磺酸)(PSSA)通过三个步骤的合成方法来制备:(1)纳米二氧化硅(SiO2)颗粒表面硅烷醇基(-OH)的活化,(2)表面改性氯(-Cl)组和(3)纳米粒子通过原子转移自由基的聚合(ATRP)的接枝聚合。成功合成和化学改性的纳米SiO2颗粒的组合物,可利用红外光谱(FT-IR),紫外可见光谱和X-射线光电子能谱(XPS)得到证实。热重分析(TGA)的结果表明,纳米聚合物中POEM和PSSA接枝

2、量分别为5%和8%(质量分数)。X-射线衍射(XRD)表明该接枝聚合物没有明显改变纳米SiO2的微观结构。纳米粒子接枝水溶性聚合物分散性能在醇类溶剂中的改进,可通过扫描电子显微镜(SEM)来验证。关键词:二氧化硅(SiO2);纳米粒子;原子转移自由基聚合(ATRP);接枝聚合;表面改性1、简介有机-无机混合材料由于其可利用在如纳米材料[1-3]、光电子器件[4-6]、电化学传感器、药物载体和功能量子点材料[7-13]的各个领域,因此受到广泛的重视。尽管有许多优点,要获得有机-无机混合材料的良好分散性仍然很难,因为无机纳米粒子之间有强

3、烈的聚集倾向,而这一倾向会降低纳米粒子的物理化学性能。为了克服这个问题,相当大的努力一直致力于设计和控制制备具有明确定义的有机-无机混合材料。已经有一些方法将聚合物链连接到无机纳米粒子的表面,包括化学吸附[14],末端含有官能团的聚合物通过共价键合到活性表面,即“graftingto”法[15]和由固定的引发剂单体的原位聚合反应,即“graftingfrom”法[16、17]。在这些方法中,“graftingfrom”法包括引入一个或两个引发剂,如偶氮类,过氧化物类,光引发剂或纳米粒子表面上的自由基。接枝聚合物链从界面一步一步地不断

4、增长变化。“graftingfrom”法可以通过阳离子聚合[18]、阴离子聚合[19]、开环聚合反应[20]、传统自由基聚合反应[21]、氮氧介导聚合[22]、可逆加成断裂链转移聚合[23]和原子转移自由基聚合(ATRP)[24-26]进行。在这项工作中,纳米粒子二氧化硅(SiO2)在水溶性聚合物中接枝改性,如聚(氧乙烯丙烯酸甲酯)(POEM)和聚(苯乙烯磺酸)(PSSA)通过三个步骤的合成方法来制备。所得的有机-无机混合材料其特征在于可采用红外光谱(FT-IR),紫外可见光谱,热重分析(TGA),X-射线衍射(XRD),X-射线光

5、电子能谱(XPS)进行分析。2、实验2.1、材料煅制二氧化硅(SiO2,>99.9%,14nm),氯化氢(H-Cl)溶液,2-氯丙酰氯(CPC,>97%),三乙胺(TEA,>99.5%),4-(二甲基氨基)吡啶(DMAP,>99%),二氯甲烷(MC,>99.8%),聚(氧乙烯丙烯酸甲酯)(POEM,聚(乙二醇)甲基醚甲基丙烯酸酯,Mn~475克/摩尔),4-苯乙烯磺酸钠盐水合物(SSA),二甲亚砜(DMSO)和氯化铜(I)(氯化亚铜),1,1,4,7,10,10-六甲基三亚乙基四胺(HMTETA)均购自Aldrich,并且不经进一步

6、纯化使用。2.2、硅烷醇基团(-OH)的活化:SiO2-OH的合成在一个500毫升的烧杯中,将10克二氧化硅纳米颗粒(SiO2)分散在50毫升的H-Cl(10%,体积/体积)中,并搅拌1小时。用水洗涤几次,在真空下蒸发溶剂,得到活化的二氧化硅。该产品的产率为90%。2.3、表面改性氯(-Cl)基团:SiO2-Cl的合成在一个250毫升圆底烧瓶中,0.92克DMAP溶液中加入10毫升MC,0.7毫升TEA放入0℃冰冷的烧杯中。接着,10毫升含有1.2毫升CPC的MC加入到该溶液中。将5,0克二氧化硅的逐滴加入到50毫升的MC溶液中,并

7、不断搅拌。该溶液被用氮气吹洗30分钟。将混合物放置在室温下连续搅拌18小时。将所得的溶液用己烷洗涤并过滤。最后,该产品在室温下的干燥烘箱中干燥24小时,并在真空烘箱中进一步干燥24小时。该产品的产率为85%。2.4、接枝纳米粒子聚合物:SiO2-G-POEM或SiO2-G-PSSA的合成在100毫升圆底烧瓶中,6毫升的POEM或SSA加入15毫升的DMSO。0.16克Cu-Cl和0.5毫升HMTETA添加到该溶液中,随后1克SiO2-Cl的纳米颗粒也添加进去。将混合物放置在90。C的油浴中24小时。聚合后,将所得溶液加到甲醇中沉淀,

8、并用甲醇洗涤数次,以除去未反应的原料。一步干燥24小时。2.5、表征样品FT-IR光谱的采集使用64-64扫描、信号平均分辨率在4cm-1Excalibur系列的FT-IR(DIGLAB有限公司)仪器,而频率范围在4000-60℃m-

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