电工学课件8_1509834927

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1、电工学课件8_1509834927本文由第十三亿人贡献ppt文档可能在WAP端浏览体验不佳。建议您优先选择TXT，或下载源文件到本机查看。半导体二极管及整流电路半导体导电能力介于导体和绝缘体之间。导电能力介于导体和绝缘体之间。硅、锗、硒及大多数金属氧化物和硫化物均为半导体。硒及大多数金属氧化物和硫化物均为半导体。纯净半导体导电能力不强，加入杂质后，纯净半导体导电能力不强，加入杂质后，导电能力增强。利用该特性，制成半导体二极管、三极管、增强。利用该特性，制成半导体二极管、三极管、晶闸管等。晶闸管等。PN结结N型半导体型半导体半导体P型半导体型半导体通过

2、一定的工艺，使半导体一部分是型通过一定的工艺，使半导体一部分是P型，一部分N型则中间交接面形成PN结一部分型，则中间交接面形成结。PN结结PNPN结的单向导电性结的单向导电性PINPRI≈0N++RPN结正向偏置时，导通电流大，电阻小，称导通结正向偏置时，导通电流大，电阻小，结正向偏置时PN结反向偏置时，导通电流小，电阻大，称截止结反向偏置时，导通电流小，电阻大，结反向偏置时二极管的伏安特性曲线二极管的伏安特性曲线指流过二极管的电流与二极管两端的电压之间的关系。电压之间的关系。不同二极管的伏安特性曲线有差别，但形状相似：有差别，但形状相似：-50特点

3、：非线性特点：I(mA806040-25200.4-20-40-600.8)U（V）（）I(μA)I(mA806040-50-2520)当二极管正向偏置：当二极管正向偏置：死区:当正向电压低于某一值，死区当正向电压低于某一值，硅管约0.5V，锗管约0.1V，正向，锗管约硅管约，电流非常小,这一电压称死区电压电流非常小这一电压称死区电压0.5-20-40-600.7U（V）（）I(μA)导通：超过死区电压后,导通：超过死区电压后电流在很大范围内变化，电流在很大范围内变化，而电压变化很小。硅管约0.6～变化很小。硅管约～0.7V，，锗管约0.2～锗管约～

4、0.3VI(mA)806040-50-25200.4-20-40-600.8当二极管反向偏置关断：关断：当二极管反向偏置,反向当二极管反向偏置反向电流很小,锗管约几十锗管约几十μ电流很小锗管约几十μA,小功率硅管小于1μ小功率硅管小于μA击穿：U(V)击穿：当反向电压加大到某一值，当反向电压加大到某一值，反向电流突然急剧增大，反向电流突然急剧增大，二极管击穿烧坏。二极管I(μA)理想二极管正向压降为0正向压降为反向电阻无穷大二极管的命名规则：二极管的命名规则：2CP102：二极管：C：N型硅材料A:P型锗材料型硅材料,：型硅材料型锗材料P：普通型，K

5、:开关管，Z：整流管：稳压管：普通型，开关管，：整流管,W：10：序号：二极管的主要技术参数：二极管的主要技术参数：如何选用二极管1）最大整流电流ICM：）最大整流电流二极管长期使用时,允许通过的最大正向平均电流。二极管长期使用时允许通过的最大正向平均电流。2）反向工作峰值电压URWM：）反向工作峰值电压保证二极管不击穿而给出的反向电压峰值，保证二极管不击穿而给出的反向电压峰值，一般为击穿电压的1/2。一般为击穿电压的。二极管整流电路将交流电变为脉动的直流电的过程，将交流电变为脉动的直流电的过程，称整流利用二极管的单向导电性可实现整流变压整流u0tu

6、0t分析时可把二极管当作理想元件处理：分析时可把二极管当作理想元件处理：二极管的正向导通电阻为零，反向电阻为无穷大。二极管的正向导通电阻为零，反向电阻为无穷大。单相半波整流电路1.电路结构Di0u1+Tru2RL+u0元器件：元器件：u2为正弦交流电源，正弦交流电源，D为二极管R为负载电阻Tr为变压器图中电流、图中电流、电压正方向为正弦交流电正半周的方向2.工作原理3.工作波形Tra+–u–+bu正半周，Va>Vb，正半周，二极管D导通；二极管D导通；u负半周，Va

7、tωt2U只有在交流的正半周，只有在交流的正半周，才有电流流过负载4负载上电压电流的计算通过半波整流，负载上得到大小变化的单极性电压，称脉动电压，通过半波整流，负载上得到大小变化的单极性电压，称脉动电压，常用一个周期内脉动电压的平均值来描述脉动电压的大小1.半波整流电压的半波整流电压的平均值为：平均值为：1Uo=2π=22.半波整流电流的半波整流电流的平均值为：平均值为：UoU2Io==0.45RLRL∫π02U2sinωtd(ωt)πU2=0.45U2u2U0Tωt5整流二极管的选择二极管最大整流电流IOM：IOM≥ID=IR(流过二极管的电流与负

8、载电流相等流过二极管的电流与负载电流相等)流过二极管的电流与负载电流相等反向工作峰值电压U反向工作峰值电压R