北京科技大学物理实验考试

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1、北京科技大学_工科物理实验II题集作者： 刘鹏操作题1、受迫振动测振幅2、(据说，操作题不考全系照相）3、(据说，K组做牛顿环实验)4、弗朗克赫兹实验（A组的），...画两个峰值的就行了5、声速的测量——XX和三个不同组的同学不约而同的考到了这个实验！建议大家好好把公式看两遍，能背就背吧，尤其是那些恶心人的误差公式，真的是要一步一步算的！！！实验特好做，数据特纠结！6、7.4实验（非牛顿环部分），听说和咱们实验时做的不一样，就是让测量是个条纹的间距，都是测距离，还算好做。7、分光仪实验（我们没有做，是别的同学做的）笔试题：1、金属镀膜中电压值是多大？在镀膜中的作用？

2、    V=1000V，在接近真空的条件下，高电压使氩气进行“辉光放电”，氩原子电离成氩离子，并在电场力的作用下，加速轰击靶材，靶材原子则会被溅射出来而沉积到玻璃衬底上。2、本学期测金属薄膜的实验中的方法能否测所有厚度的薄膜？说明理由。（不行！（这个肯定对吧）。理由：51#：不能。膜太厚的话，将不能分辨出左右（有膜和无膜处）到底相差几个二分之一波长。厚膜需要换一种方法：将空气劈尖转90°就能观测了。如图所示 3、传感器的定义4、画出全息照相光路图5、全息照相的影响因素6、什么是禁带宽度禁带宽度是指一个能带宽度.固体中电子的能量是不可以连续取值的，而是一些不连续的能带

3、。要导电就要有自由电子存在。自由电子存在的能带称为导带。被束缚的电子要成为自由电子，就必须获得足够能量从而跃迁到导带，这个能量的最小值就是禁带宽度。禁带非常窄就成为金属了，反之则成为绝缘体。半导体的反向耐压，正向压降都和禁带宽度有关。7、锗的适用温度  小于45℃8、还有个望远镜调法（答案是自准法）9、游标卡尺上读两个示数的原因（棱镜分光仪吧，消除偏心差）10、画出受迫振动的幅频相频曲线11、关于误差分配的12、最小偏向角与波长关系的13、改变原子状态一般几种方式，分别是？      1、以一定频率的光子来实验2、具有一定能量的原子与其碰撞进行能量交换15、声速的理

4、论值公式是什么？其中的T指的是什么？c0的值是多少？（此题变态程度一般，看了就会，没看就真是不知道。。。那个c0的值不是应该直接给出的么！！！！）16、在单色仪实验中，如何提高分辨能力？17、全息照相和普通照相的区别（巨简单巨简单！！！）18、6.6设计测量电阻率实验的电路图19、7.7传感器实验中三个金属片哪个在测量时出现了零值区，为什么？        铁片，因为金属片的磁导率和电导率越大，线圈和金属片的间距越小，涡流的反作用越强，输出电压越低，甚至输出为零，所以铁片有零值区出现。20、全息照相中的感光片是否有正反面？21、当标准电阻R为0.1级时，其误差为多少

5、？（在6.6实验中实验器材里有）22、单色仪的光路图23、涡流传感器的实验原理由于电流的周期性变化，产生交变磁场H1，金属片靠近时产生磁场H2，电感线圈的等效阻抗发生变化，当各参数、系数保持不变时，阻抗Z只与线圈和金属片的距离X有关。24、四引线法适用于什么电阻测量电阻阻值较低的电阻25、全息照相实验失败率很高，怎样改进？27、四探针法与四引线法有什么异同？同：都是用来测量低电阻阻值的方法，都比较有效低消除了接线电阻和接触电阻的影响。异：四探针法比四引线法测得低电阻更为精确，可以测半导体，薄膜的电阻。28、有和我们做的不一样实验的同学考到，声速的测量，全息照相，高温

6、超导，幅频特性和相频特性曲线，四选二画图。29、受迫振动实验中驱动力与***（忘记了，大家看书吧~我实在是懒得查了，书上有）为什么查90°相位角。      当驱动力f与震动物体固有f相同时，受迫振动速度幅max，产生速度共振，所以物体振动位移比驱动力之后90°。30、在涡流传感器实验三种金属片中哪个有空隙区间，为什么？31、全息照相与普通照相的本质区别？32、如何提高单色仪的分辨率？33、声速测量中声速的理论公式是什么？T代表什么？C0为多少？34、画出Fe-Al-Gr实验中的电路图35、直流溅射法的制膜原理？溅射完成后步骤实验完成后关机操作；荷能粒子轰击固体表面

7、，使固体表面的原子从表面射出，它们沉积到衬底上形成了薄膜。关闭针阀，关机，放气，打开取样。36、高温超导曲线特点？37、什么是分振幅法？38、什么是误差分配法？39、声速测量行波法实验原理？40、P-H实验曲线特点？41、在7.7节的的实验中为什么需要分段处理实验数据42、测单色仪分辨率时，要用到什么光？为什某？P109汞光灯因为有2个波峰~~ 43、“误差等分配原则”就是各直接测量量所对应的误差分项尽量相等，而间接测量量对应的误差合成项又满足精度的要求。44、硅和锗的禁带宽度分别为1.12eV和0.66eV（有说硅为0.95，我没这个实验，都放这里吧，自己看着