人造宝石专业术语

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1、人造宝石专业术语专业术语1.合成宝石（syntheticstone）用人为方法全部或部分地进行加工后得到的材料，其物理性质、化学成分以及晶体结构与相应的天然宝石基本相似。例如，合成红宝石具有与天然红宝石基本相似的物理性质、化学成分及晶体结构。2.焰熔法（flamefusiontechnique）该法是于19世纪由E.弗雷米发明，19世纪末由其助手维尔纳叶推向市场，故又称维尔纳叶法。该方法是原料的粉末在通过氢氧火焰时熔融落在籽晶棒上然后再结晶的过程，此过程是在维尔纳叶炉中进行的。可以生产各种品种的刚玉、

2、尖晶石、金红石、钛酸锶、白钨矿等宝石晶体。此法生长晶体的速度快，获得的晶体常含有气泡和弯曲生长纹。3.维尔纳叶法（Verneuiltechnique）见焰熔法。4.维尔纳叶炉（Verneuilfurnace）由维尔纳叶发明的，故得名。上部给料区为一料筒，内装合成粉末及添料，筒底为一筛状平底，中部贯通有一根震动装置使粉末少量、等量、周期性地自动释放，通过向下变尖的吹管下落。氧气通过同一吹管喷出与外吹管携带的氢气在喷嘴处混合燃烧。吹管至喷嘴处有一冷却水套，使氢气和氧气处于正常供气状态。落下的粉末经过氢氧火

3、焰熔融，并落在旋转平台上的籽晶棒上，逐渐长成一个晶棒（梨晶）。水套下为一耐火砖围砌的保温炉，保持燃烧温度及晶体生长温度，近上部有一个观察孔，可了解晶体生长情况。5.梨晶（boule）又称“晶棒”。由焰熔法和提拉法生长的晶体。梨晶是从种晶棒一端开始生长，经过接种、扩肩，然后等径生长而成，并结束于一向上微凸的弧形平台。梨晶的横断面多为圆形或椭圆形，一般无平坦的晶面，但合成尖晶石的横断面则为近方形，局部可发育一些较平坦的晶面。梨晶的生长层为微向上凸的弧面，垂直梨晶的延伸方向。合成刚玉的光轴方向与梨晶的延伸方

4、向有一定的夹角。一般在取下梨晶时，它会沿纵轴自动裂开或为了释放应力故意将其沿纵轴劈为两半。梨晶一般长10至30cm，直径为几个厘米。6.籽晶（seedcrystal）又称“种晶”。是人工合成晶体时人为提供的晶核。从已有的大晶体上切取籽晶是最方便并广泛使用的方法。籽晶上的缺陷，如位错、开裂、晶格畸变等在一定的范围内会“遗传”给新生长的晶体。在选择籽晶时要注意避开缺陷。根据晶体生长习性和应用的要求，籽晶可采用粒状、棒状、片状等不同的形态。籽晶的光性方位对合成晶体的形态、生长速度等有很大的影响。7.提拉法（

5、pullingtechnique）此法是Czochralski于1918年发明的，故又称为“丘克拉斯基法”。该法可以获得高质量的大晶体，主要用于工业和科学研究目的。将已配好的原料装入铱（熔点24420C）坩埚中，在坩埚上方的可旋转的提拉杆下端的夹头上装上籽晶。用高频线圈加热，使坩埚内的原料都熔化成熔体。此时降低提拉杆使籽晶接触熔体表面，然后缓慢旋转并向上提拉，便可长出晶体。整个装置放在一封闭的钟形外罩里，以便控制生长的环境气氛。通过外罩的窗口可观察生长过程。该法可用于生产各种刚玉、变石、YAG、GGG

6、、铌酸锂等宝石材料。生长出的梨晶较大。具弯曲生长纹、有时可见气泡及铱金片等包裹体。8.丘克拉斯基法（Czochralskitechnique）同提拉法。9.冷坩埚法（skullmeltingprocess）又称“壳熔法”。此法最初由法国科学家Roulin发明，后由前苏联的列别捷夫物理研究所完善于1972年获得美国专利。氧化锆原料的熔点达27500C，找不到合适的坩埚材料。此方法是利用原料本身的外壳作为“坩埚”，为此使用了由许多铜管围成的似坩埚的容器，铜管内通有循环冷却水形成了一个冷坩埚，内装有配比合适

7、的原料及一根金属锆。铜管外缠绕着高频线圈用以加热。受热的金属锆使周围的氧化锆导电并开始熔化，直到整个容器内的氧化锆都被熔融，只有最外层约1mm厚的壳在冷却水的作用下保持未熔。然后将容器向下从高频线圈中缓慢脱出，因底部最先冷却，故结晶从底部开始并向上逐渐长成许多柱状晶体。长成的晶体需要在空气中退火以消除内应力。合成的晶体有的含有气泡和未熔粉末。10.壳熔法（skullmeltingprocess）同冷坩埚法。区域熔炼法（zonemeltingtechnique）由Keek和Golay于1953年创立的。

8、该方法在整个生长过程中的任何时刻都只有一部分原料被熔融，熔区由表面张力支撑，故又称“浮区法”。所用原料一般先制成烧结棒。将烧结棒用两个卡盘固定并垂直安放在保温管内。利用高频线圈或聚焦红外线加热烧结棒的局部，使熔区从一端逐渐移至另一端以完成结晶过程。该方法不需要坩埚，生长出的晶体质量高，常用于材料的物理提纯，也用于生长晶体。可生产刚玉、YAG及白钨矿等宝石材料。生长的晶体可含有气泡和未熔粉末。11.浮区法（zonemeltingtechnique）同区域熔