不同臭椿种源苗期生长和光合特性研究

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1、不同臭椿种源苗期生长及光合特性研究摘要臭椿属苦木科臭椿属,在我国分布普遍,生长迅速,适应性强、容易繁殖,病虫害少,材质优良,用途广泛,同时耐干旱、瘠薄,是一种优良的用材、绿化、观赏、药用、油料和盐碱地造林的良好树种。近年来,国内对臭椿开展了一定研究和探讨,特别在自然分布、人工栽培、育苗技术、生物学特性及利用等方面取得了不少研究成果。本文通过研究不同臭椿种源1年生苗木苗高、地径、生物量、叶面积和光合特性等的变化规律,为了解臭椿的生物学特性和优良臭椿种源的进一步筛选提供理论依据。关键词:臭椿生长特性光合特性1臭椿研究进展近年来,国内对臭椿

2、开展了一定研究和探讨,特别在自然分布、人工栽培、育苗技术、生物学特性及利用等方面取得了不少研究成果。1.1基础研究臭椿[Ailanthusaltissima(Mill.)Swingle]属苦木科臭椿属,落叶乔木,树皮灰白色至黑灰色,平滑或浅裂。小枝粗壮,缺顶芽,叶痕大而倒卵形,内具9维管束痕。奇数羽状复叶,小叶13~25个,卵状披针形,长4~15cm,先端渐长尖,基部具1~2对粗齿,齿端有臭腺点,中上部全缘。花杂性异株,成顶生圆锥花序。翅果,扁平,纺锤形。花期4~5月,9~10月果成熟。臭椿地理分布较广。水平分布在北纬22~43度之间

3、,垂直分布可达海拔1800m。我国北起辽宁、河北,南达江西、福建、云南,东起海滨,西至甘肃、新疆均有分布,其中以华北、西北地区栽培最多。河南平原、黄土丘陵区、石质山区、城市绿化区均有广泛分布与栽培。多数为野生或零星栽植,大面积人工造林很少。臭椿对气候条件要求不高,能耐不良气候。在年降水量400~1400mm,平均气温2~18℃的条件下均可正常生长,对极端温度的耐性很强,在绝对低温-35℃、绝对高温47℃的情况下极少受害。臭椿喜光照,在次生林或混交林中臭椿均居于林冠上层。极耐干旱,喜潮湿,但不耐水淹,适应性很强,能耐盐碱和瘠薄,对微酸性

4、、中性和石灰质土壤都能适应,在各类土壤均能正常生长。且抗污染力强,对烟尘及二氧化硫等抗性较强。臭椿根系发达,为深根性树种,萌蘖性强,生长较快。其高生长幼龄期较快,10年生前后达最大值,以后高生长渐缓,有利于造林地的郁闭;粗生长10年生前最为迅速,生长减缓期到来较迟;材积生长量第一次高峰期出现在15~20年生,第二次高峰期出现在50年生,且第二次高峰生长量比第一次高峰要大50%,由此可知,臭椿不仅早年材积增长较快,而且中后期材积增长更快,无论是零星种植或规模造林营林,这种生长特性都是值得注意开发的生产潜力。有实验报道通过对臭椿5个家系1

5、年生实生苗的高生长和地径的调查数据分析,苗高生长差异显著,地径生长差异不显著。按照苗高H+10%H、地径D+10%D的标准进行超级苗选择,共选出312株超级苗,苗高范围在124~290cm之间,平均地径为2.24cm。干形通直圆满的株数比率达94%以上[1]。“优良抗逆、专用林木品种选育”课题组,从2006年开始,从济南、沂水、薛城、山亭等地共选出臭椿优树60株,对其中的30株进行采种,在山东省林科院东营分院盐碱地造林试验站播种育苗,通过调查测定苗木生长量,进行超级苗选择并造林,为进一步选出综合性状优良的家系做准备。在臭椿苗生长停止后

6、,采用“机械抽样法”,每隔3行抽1行,测量每株苗木高度和地径。共调查了臭椿苗木89143株。超级苗选择标准为:H超=H+10%H;D超=D+10%D(H超-超级苗高,D超-超级苗地径,H-苗木总体平均高度,D-苗木总体平均地径)。凡是臭椿苗木高度和地径均超过各家系中超级苗最低苗高和超级苗最低地径的苗木,即为超级苗。入选超级苗比率在4/1000~1/1000之间比较适宜[2,3]。超级苗选择标准即苗高和地径均在一定标准以上的为超级苗木。根据此标准,将初选超级苗进行淘汰。(1)地径不符合标准者,即臭椿地径小于1.54cm的初选超级苗;(2

7、)干形较差者;(3)超级苗周围有缺苗者;(4)受病虫害危害或机械损伤者。经淘汰保留下来的苗木即为定选超级苗[4]。魏文波对臭椿的物候规律、年生长节律和生长周期进行了观察,将其生长过程划分成幼年期、速生期和成熟期三个阶段。并对臭椿的适生条件作了初步分析,平原以潮土中的攘土上生长较好,山地以50厘米以上厚土层造林较好。此外,还建立了胸径与冠幅的直线回归方程[5]。闫兴富等在不同光照梯度(55144%自然全光照、21112%自然全光照、3147%自然全光照和0186%自然全光照)的人工遮荫条件下,研究了不同光照强度对臭椿幼苗早期生长的影响。

8、结果表明:移栽后约3个月的臭椿幼苗株高、基径、复叶数、主根长、单株叶面积、总干质量、根冠比、相对生长率和净同化率等生长参数均以55144%自然全光照处理最大,分别为77130cm、13182mm、17180、67120c

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