低频电子线复习题一

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1、低频电子线复习题一1.1在晶体管放大电路中，测得晶体管的各个电极的电位如图1.1所示，该晶体管的类型是[]A.NPN型硅管B.PNP型硅管C.NPN型锗管图1.12V6VD.PNP型锗管1.3V1.2某三极管各个电极的对地电位如图1-2所示，可判断其工作状态是[]A.饱和B.放大C.截止图1.2D.已损坏1.3在如图1.3所示电路中，当电源V=5V时，测得I=1mA。若把电源电压调整到V=10V，则电流的大小将是[]A.I=2mAB.I<2mAC.I>2mAD.不能确定图1.3PE电子线WWW.DGMSDZ.COM1.4在如图1-7所

2、示电路中电源V=5V不变。当温度为20OC时测得二极管的电压UD=0.7V。当温度上生到为40OC时,则UD的大小将是[]A.仍等于0.7VB.大于0.7VC.小于0.7VD.不能确定图1.41.5在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于[]A.温度B.掺杂工艺C.杂质浓度D.晶体缺陷1.6对于同一个晶体管而言，反向电流最小的是[]A.ICBOB.ICESC.ICERD.ICEO1.7二极管的主要特性是[]A.放大特性B.恒温特性C.单向导电特性D.恒流特性1.8温度升高时，晶体管的反向饱和电流ICBO将[]A.增大B.减少C.不变

3、D.不能确定1.9下列选项中，不属三极管的参数是[]A.电流放大系数βB.最大整流电流IFC.集电极最大允许电流ICMD.集电极最大允许耗散功率PCMPE电子线WWW.DGMSDZ.COM1.10温度升高时，三极管的β值将A.增大B.减少C.不变D.不能确定1.11在N型半导体中，多数载流子是[]A.电子B.空穴C.离子D.杂质1.12下面哪一种情况二极管的单向导电性好[]A.正向电阻小反向电阻大B.正向电阻大反向电阻小C.正向电阻反向电阻都小D.正向电阻反向电阻都大1.13在如图1.13所示电路中，设二极管的正向压降可以忽略不计，反

4、向饱和电流为0.1mA,反向击穿电压为25V且击穿后基本不随电流而变化，这时电路中的电流I等于[]A.0.1mAB.2.5mAC.5mAD.15mA图1.131.14在P型半导体中，多数载流子是[]A.电子B.空穴C.离子D.杂质1.15下列对场效应管的描述中，不正确的是[]A场效应管具有输入电阻高，热稳定性好等优点；B场效应管的两种主要类型是MOSFET和JFET；PE电子线WWW.DGMSDZ.COMC场效应管工作时多子、少子均参与导电；D场效应管可以构成共源、共栅、共漏这几种基本类型的放大器。1.16在放大电路中，场效应管应工作

5、在漏极特性的[]A.可变电阻区B.截止区C.饱和区D.击穿区1.17表征场效应管放大作用的重要参数是[]A.电流放大系数βB.跨导gm=ΔID/ΔUGSC.开启电压UTD.直流输入电阻RGS1.18下列选项中，不属场效应管直流参数的是[]A.饱和漏极电流IDSSB.低频跨导gmC.开启电压UTD.夹断电压UP1.19双极型晶体三极管工作时参与导电的是[]A多子B少子C多子和少子D多子或少子1.20双极型晶体三极管在放大状态工作时的外部条件是[]A发射结正偏，集电结正偏B发射结正偏，集电结反偏C发射结反偏，集电结反偏D发射结反偏，集电结

6、正偏1.21选择括号中的答案填空（只填答案a、b、c、……）。PE电子线WWW.DGMSDZ.COM1、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于，而少数载流子的浓度则与有很大关系，（a.温度，b.掺杂工艺，c.杂质浓度，d.晶体缺陷）2、当PN结外加正向电压时，扩散电流漂移电流，耗尽层。当PN结外加反向电压时，扩散电流漂移电流，耗尽层。(a.大于，b.小于，c.等于，d.变宽，e.变宽f.不变)3、温度升高时，晶体管的电流放大系数β，反向饱和电流ICBO，正向结电压UBE。(a.变大，d.变小，c.不变)4、温度升高时，晶体管的共射

7、输入特性曲线将，输出特性曲线将，而且输出特性曲线之间的间隔将。(a.上移，b.下移，c.左移，d.右移，e.增大，f.减小，g.不变)1.22用大于号(>)、小于号(<)或等号(=)填空：1、在本征半导体中，电子浓度空穴浓度；2、在P型半导体中，电子浓度空穴浓度；3、在N型半导体中，电子浓度空穴浓度。1.23判断下列说法是否正确，并在相应的括号内画√或×。1、P型半导体可通过在纯净半导体中掺入五价磷元素而获得。（）2、在N型半导体中，掺入高浓度的三价杂质可以发型为P型半导体。（）3、P型半导体带正电，N型半导体带负电。（）4、PN结构

8、的扩散电流是载流子在电场作用下形成的。（）PE电子线WWW.DGMSDZ.COM5、漂移电流是少数载流子在内电场作用下形成的。（）6、由于PN结交界面两边存在电位差，所以，当把PN结两端短路时就有电流流过。（）7、PN结