gjb548b-2005微电子器件试验方法和程序

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1、专业技术资料分享GJB548B-2005微电子器件试验方法和程序点击次数：181发布时间：2011-3-114:24:07GJB548B-2005代替GJB548A-1996 中华人民共和国国家军用标准微电子器件试验方法和程序Testmethodsandproceduresformicroelectronicdevice方法1009.2盐雾(盐汽)1目的本试验是为了模拟海边空气对器件影响的一个加速的腐蚀试验1.1术语和定义1.1.1腐蚀corrosion指涂层和(或)底金属由于化学或电化学的作用

2、而逐渐地损坏1.1.2腐蚀部位corrosionsite指涂层和(或)底金属被腐蚀的部位，即腐蚀位置1.1.3腐蚀生成物(淀积物)corrosionproduct(dcposit)指腐蚀作用的结果(即锈或氧化铁、氧化镍、氧化锡等)。腐蚀生成物可能在原来腐蚀部位，或者由于盐液的流动或蔓延而覆盖非腐蚀区域。1.1.4腐蚀色斑corrosionstain腐蚀色斑是由腐蚀产生的半透明沉淀物。1.1.5气泡blister指涂层和底金属之间的局部突起和分离1.1.6针孔pinhole指涂层中产生的小孔，它是

3、完全贯穿涂层的一种缺陷。1.1.7凹坑pitting指涂层和(或)底金属的局部腐蚀，在某一点或小区域形成空洞1.1.8起皮flaking指局部涂层分离，而使底金属显露WORD文档下载可编辑专业技术资料分享2设备盐雾试验所用设备应包括：a)带有支撑器件夹具的试验箱。该箱及其附件应彩不会与盐雾发生作用的材料(玻璃、塑料等)制造。在试验箱内，与试验样品接触的所有零件，应当用不产生电解腐蚀的材料制造。该箱应适当通风，以防止产生“高压”，并保持盐雾的均匀分布；b)能适当地防止周围环境条件对盐溶液容器的影响

4、。如需要，为了进行长时间试验，可采用符合试验条件C和D(见3.2)要求的备用盐溶液容器；c)使盐液雾化的手段，包括合适的喷嘴和压缩空气或者由20%氧、80%氮组成的混合气体(应防止诸如油和灰尘等杂质随气体进入雾化器中);d)试验箱应能加热和控制e)在高于试验箱温度的某温度下，使空气潮湿的手段；f)空气或惰性气体于燥器；g)1倍~3倍、10倍~20倍和30倍~60倍的放大镜。3程序3.1试验箱的维护和初始处理试验箱的清洗是为了保证把会对试验结果产生不良影响的所有物质清除出试验箱。使试验箱工作在(3

5、5±3)℃，用去离子水或蒸馏水进行必要的清洗。每当容器里的盐溶液用完时，就应当清洗试验箱。某些试验可能在清洗之前进行，这取决于盛盐溶液的容器的大小和所规定的试验条件(见3.2)。当需要做长时间试验(见3.2的试验条件C和D)时，盛盐溶液的容器可采用备用的容器来补充，以便试验不中断。清洗后，试验箱开始工作时，盐溶WORD文档下载可编辑专业技术资料分享液应补满该容器，并且应对试验箱进行适当地控制，使其温度稳定(见3.1.4)。如果试验箱中断工作超过一个星期，即使还留有盐溶液，也应废弃。而且试验箱在重

6、新开始工作之前应当进行清洗。如果盐溶液的pH值和浓度保持在3.1.1中规定的范围之内，允许试验箱不连续工作。3.1.1盐溶液为了达到3.1.4所要求的淀积速率，盐溶液的浓度应为0.5%~3.0%(重量百分比)的去离子水或蒸馏水溶液。所用的盐应为氯化钠，其碘化钠的质量百分比不得多于0.1%，且总杂质的质量百分比不得多于0.3%。在(35±3)℃下测量时，盐溶液的pH值应在6.5~7.2之间。只能用化学纯的盐酸或氢氧化钠(稀溶液)来调整pH值。3.1.2引线的预处理除另有规定外，试验样品不应进行预处

7、理。当有要求时(见4c)，样品进行试验之前，器件引线应按方法2004试验条件B1的要求，承受弯曲应力的初始处理。如果进行试验的样品已经作为其他试验的一部分进行过所要求的初始处理，那么，其引线无需重新弯曲。3.1.3试验样品的安置样品应按下述方位安置在固定的夹具上(有机玻璃棒、尼龙或玻璃纤维筛、尼龙绳等)。样品应这样安置，使它们彼此不接触，彼此不遮挡，能自由地接受盐雾作用，腐蚀生成物和凝聚物不会从一个样品落到另一个样品上。a)引线固定于封装侧面或引线从封装侧面引出的双列封装(例：侧面纤焊双列封装和

8、陶瓷玻璃熔封双列封装)：盖面向上，偏离垂直方向15°~45°。将有引线的一个封装侧面向上，偏离垂直方向大于或等于15°(见图Ia)WORD文档下载可编辑专业技术资料分享)b)引线固定于封装底部(与盖板相对的那一面)或引线从底部引出的封装(例如金属圆形封装，金属平板封装)：盖板偏离垂直方向15°~45°。试验时一半样品应盖面向上；剩下一半，引线向上(见图1b)c)引线固定于封装某一面或从某一面引出，且与盖板平行的封装(例如扁平封装)：盖板偏离垂直方向15°~45°将有引线的封装面向上，且偏离垂直方