电工学(电子技术)课后答案秦曾煌

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时间:2018-10-20

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1、第14章晶体管起放大作用的外部条件,发射结必须正向偏置,集电结反向偏置。晶体管放大作用的实质是利用晶体管工作在放大区的电流分配关系实现能量转换。2.晶体管的电流分配关系晶体管工作在放大区时,其各极电流关系如下:3.晶体管的特性曲线和三个工作区域(1)晶体管的输入特性曲线:晶体管的输入特性曲线反映了当UCE等于某个电压时,和之间的关系。晶体管的输入特性也存在一个死区电压。当发射结处于的正向偏压大于死区电压时,晶体管才会出现,且随线性变化。(2)晶体管的输出特性曲线:晶体管的输出特性曲线反映当为某个值时,随变化的关系曲线。在不同的下,输出特性曲线是

2、一组曲线。=0以下区域为截止区,当比较小的区域为饱和区。输出特性曲线近于水平部分为放大区。(3)晶体管的三个区域:晶体管的发射结正偏,集电结反偏,晶体管工作在放大区。此时,=,与成线性正比关系,对应于曲线簇平行等距的部分。晶体管发射结正偏压小于开启电压,或者反偏压,集电结反偏压,晶体管处于截止工作状态,对应输出特性曲线的截止区。此时,=0,=。晶体管发射结和集电结都处于正向偏置,即很小时,晶体管工作在饱和区。此时,虽然很大,但。即晶体管处于失控状态,集电极电流不受输入基极电流的控制。14.3典型例题例14.1二极管电路如例14.1图所示,试判断

3、二极管是导通还是截止,并确定各电路的输出电压值。设二极管导通电压=0.7V。256例14.1图解:图(a)电路中的二极管所加正偏压为2V,大于=0.7V,二极管处于导通状态,则输出电压=—=2V—0.7V=1.3V。图(b)电路中的二极管所加反偏压为-5V,小于,二极管处于截止状态,电路中电流为零,电阻R上的压降为零,则输出电压=-5V。图(c)电路中的二极管所加反偏压为(-3V),二极管截止。二极管所加正偏压为9V,大于,二极管处于导通状态。二极管接在B点和“地”之间,则导通后将B点电位箝位在(-0.7V),则==-0.7V。如果分别断开图(

4、d)电路中的二极管和,处于正偏压为15V,处于正偏压为25V,都大于。但是,二极管所加正偏压远大于所加正偏压,优先导通并将A点电位箝位在=-10V+0.7V=-9.3V,实际上,二极管处于反偏压,处于截止状态。则输出电压==-9.3V。例14.2电路如例14.2图所示,已知=(V),二极管导通电压=0.7V,试画出与的波形,并标出幅值。解:在正半周,当大于3.7V时,二极管处于正偏压而导通,输出电压箝位在=3.7V,此时的二极管D2截止。当小于3.7V时,二极管和均处于反偏压而截止,输出电压=。在的负半周,当小于(-3.7V),二极管处于正偏压

5、而导通,输出电压=-3.7V,二极管截止。257当大于(-3.7V)时,二极管和均处于反偏压而截止,输出电压=。例14.2图例14.3电路如例14.3(a)图所示,设稳压管的稳定电压=10V,试画出0V30V范围内的传输特性曲线=f()。解:当<10V时,反向截止,所以=-;当10V时,反向击穿,所以=—10—10=—20V。所以传输特性曲线=f()如图(b)所示。例14.3例14.4晶体管工作在放大区时,要求发射结上加正向电压,集电结上加反向电压。试就NPN型和PNP型两种情况计论。和的电位哪个高?是正还是负?和的电位哪个高?是正还是负?和的

6、电位哪个高?是正还是负?解:先就NPN管来分析。>,为正。>,为正。>,为正。258PNP管的各项结论同NPN管的各项结论相反。例14.5用直流电压表测量某电路三只晶体管的三个电极对地的电压分别如例14.5图所示。试指出每只晶体管的C、B、E极。例14.5图解:管:为C级,为B极,为E极。管:为B极,为E极,为C极。管:为E极,为B极,为C极。例14.6在例14.6图中,晶体管、、的三个电极上的电流分别为:例14.6图=0.01mA=2mA=—2.01mA=2mA=—0.02mA=—1.98mA=—3mA=3.03mA=—0.03mA试指出每只

7、晶体管的B、C、E极。解:管:为B级,为C极,为E极。管:为E极,为B极,为C极。管:为C极,为E极,为B极。14.4练习与思考259答:电子导电是指在外电场的作用下,自由电子定向运动形成的电子电流。空穴导电是指在外电场作用下,被原子核束缚的价电子递补空穴形成空穴电流。由此可见,空穴电流不是自由电子递补空穴所形成的。练习与思考14.1.2杂质半导体中的多数载流子和少数载流子是怎样产生的?为什么杂质半导体中少数载流的子的浓度比本征载流子的浓度小?答:杂质半导体中的多数载流子是由掺杂产生的,少数载流子是由本征激发产生的。本征激发产生电子空穴对,其中

8、有一种载流子和多数载流子相同,归于多数载流子,所以少数载流子的浓度比本征载流子的浓度小。练习与思考14.1.3N型半导体中的自由电子多于空穴,而P型半

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