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1、半导体硅片的化学清洗技术$l:N/Q.V1m7t%@,d @(f*J4l;L#e%i,M1{一.硅片的化学清洗工艺原理-C;O1f,f1A$W#3_!M.A z0V0X3P$Q4W*
2、-J2Y 硅片经过不同工序加工后，其表面已受到严重沾污，一般讲硅片表面沾污大致可分在三类：$} v%}#h'?2K"T)e$O8N-V"U;Q'r+p'g A.有机杂质沾污：可通过有机试剂的溶解作用，结合超声波清洗技术来0E%L-@%l:g$Q+y%[/a X去除。+k0N$X2R'u7E0v;P+p'b B.颗粒
3、沾污：运用物理的方法可采机械擦洗或超声波清洗技术来去除粒径≥0.4μm颗粒，利用兆声波可去除≥0.2μm颗粒。;G&U%i+x(N'q/e C.金属离子沾污：必须采用化学的方法才能清洗其沾污，硅片表面金属杂质沾污有两大类：9X(@8O5Y:A:V a.一类是沾污离子或原子通过吸附分散附着在硅片表面。/
4、,O9_!H,S4V0l3z b.另一类是带正电的金属离子得到电子后面附着（尤如“电镀”）到硅片表面。2[8S+1L$O.x$a']:?9_&X7c4i+X'];B;E&[)s硅抛光片的化学清洗目的就在于
5、要去除这种沾污，一般可按下述办法进行清洗去除沾污。,y%t)s%M&.{0]'B a.使用强氧化剂使“电镀”附着到硅表面的金属离子、氧化成金属，溶解在清洗液中或吸附在硅片表面。3v'`1c*s*X;q b.用无害的小直径强正离子（如H+）来替代吸附在硅片表面的金9
6、.j'b;d:y(M+V$Z(L2u6Y属离子，使之溶解于清洗液中。0T4e*n w1W;s%}.P"O c.用大量去离水进行超声波清洗，以排除溶液中的金属离子。(d'B9R+^'A*?:T!f }+{1A5u 自1970年美国RCA实
7、验室提出的浸泡式RCA化学清洗工艺得到了广泛应用，1978年RCA实验室又推出兆声清洗工艺，近几年来以RCA清洗理论为基础的各种清洗技术不断被开发出来，例如：;f.@,L7K+b1^;O5A-^4]'c:_9q8y't-r'E⑴美国FSI公司推出离心喷淋式化学清洗技术。6p6H+s$v6F⑵美国原CFM公司推出的Full-Flowsystems封闭式溢流型清洗技术。4w-G#U&H;_⑶美国VERTEQ公司推出的介于浸泡与封闭式之间的化学清洗技术（例GoldfingerMach2清洗系统）。4T+i$R!D*L
8、)`9G⑷美国SSEC公司的双面檫洗技术（例M3304DSS清洗系统）。)m%u7D(s!E5I*T)v#d⑸曰本提出无药液的电介离子水清洗技术（用电介超纯离子水清洗）使抛光片表面洁净技术达到了新的水平。.@9B!t(p3o;a1`4?9A#G⑹以HF/O3为基础的硅片化学清洗技术。3O3`:W-h6Q-p+
9、:c"F/F&K*M+e&E;q 目前常用H2O2作强氧化剂，选用HCL作为H+的来源用于清除金属离子。2~"X;b2v0A6h/C'T*H8k0J82,f l5o SC-1是H2O2和NH4O
10、H的碱性溶液，通过H2O2的强氧化和NH4OH的溶解作用，使有机物沾污变成水溶性化合物，随去离子水的冲洗而被排除。3a7K;p$j:L2E!x)d/d:f.H)H"C8x 由于溶液具有强氧化性和络合性，能氧化Cr、Cu、Zn、Ag、Ni、Co、Ca、Fe、Mg等使其变成高价离子，然后进一步与碱作用，生成可溶性络合物而随去离子水的冲洗而被去除。7L,M G/G*~*S0a7j*@&]4y-r4~4n&Q'h,q 为此用SC-1液清洗抛光片既能去除有机沾污，亦能去除某些金属沾污。(J#d4o,g)p:`5v/
11、{,j6O9t7Y0e!Z;S5]7n'X SC-2是H2O2和HCL的酸性溶液，它具有极强的氧化性和络合性，能与氧以前的金属作用生成盐随去离子水冲洗而被去除。被氧化的金属离子与CL-作用生成的可溶性络合物亦随去离子水冲洗而被去除。-o'i87O6y v2y#K3F'w F(N2Q-{ 在使用SC-1液时结合使用兆声波来清洗可获得更好的效果。(`)~*
12、"
13、!U0L+b!a#a0C)k,^'U$Z二.RCA清洗技术7w:n"{;s,E+x%s6Q:A8C%];n3d7T1G 传统的RCA清洗技术：所
14、用清洗装置大多是多槽浸泡式清洗系统%O1H1@.W:K+c&F$d d;C+C%S.t6Y,r3Y 清洗工序：SC-1→DHF→SC-2$V#F1m$m:p.M&l @/N"i,q!a8t&C 1.SC-1清洗去除颗粒：;Q6V'Q7f"X6`(D,K:G c9`)G+q;R8P(]⑴目的：主要是去除颗粒沾污（粒子）也能去除部分金属杂质。)H; Y-R"n)x0Z!
