实验七MOS场效应管常数测试.doc

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1、实验七MOS场效应管常数测试实验项目性质：普通实验所涉及课程：半导体物理微电子器件物理微电子器件工艺薄膜电子材料计划学时：2学时一、实验目的1．熟悉场效应管参数测试仪的使用；2．测量场效应管的饱和漏电流IDSS，夹断电压VDsat开启电压VT和沟道电导gm。二、实验原理1．饱和漏源电流IDSS定义：栅源电压为0，漏源电压为规定值时的漏极电流称为IDSS。测试原理如图1所示：图1IDSS测试原理图先设定VDS、Vgs满足测试条件，再按下IDSS键测试参数。2．夹断电压VP或开启电压VT。定义：漏源电压VDS和漏源电流IDS为规定值时，栅—源间的电压值称为

2、VP（耗尽型）或VT（增强型）测试原理如图2所示图2VP和VT测试原理图说明：先设定VDS、IDS满足测试条件，再按下VP（T）键测试参数。3．低频正向跨导gm定义：输出交流短路，漏源输出交流电流与栅—源输入交流小信号电压之比称为跨导gm。测试原理如图3图3gm测试原理图1/（wxRD）<

3、S——读做毫西门子说明：先设定VDS、Vgs(或IDS)、f(1000HZ固定频率，机内已保证)满足测试条件，再按下gm键测试参数。一、实验内容和实验步骤一）使用说明1面板旋钮位置整机出厂时，面板旋钮位置预置于下列位置（可供平时使用参考）电源开关——关（倒向左侧）VGS——地键（中）按下VGS调节——反钟向到底VDS——N+键按下VDS调节——反钟向到底nIDS(uA)——10uA键（中）按下n校——DC键按下（显示器右侧）n参数选择（位于显示器下面，简称下排）——校键按下2使用性校准按通整机电源（电源开关由左侧倒向右侧），预热15分钟，然后顺便校准一

4、下整机（步骤简单，但是十分必要）。1）DC校准：先按下参数选择（下排）中的校键（前已设定）。再按下显示器右侧校中的DC键（前已设定），显示器显示应为100.00.1，否则应微调其下方暗孔中的电位器（220W）2）AC校准：按下校（显示器右侧）中的AC键，显示器显示为100.00.1，否则其下方暗孔中的电位器（100W）至此，校准已毕，参数测试工作即可以进行。注：上述DC、AC校准工作，通常需要重复进行几次。另外，当参数测试工作持续时间较长时，上述校准工作还可以随时返回再进行一次，这样其测试结果就变得更为有效。3参数测试本仪器可测试场效应管IDSS、VP

5、（T）、gm三个参数，通常应根据场效应管的不同类别来选取相应漏源、栅——源工作电压极性和大小，具体选择应以器件参数技术手册规定为依据，不可大意，否则易招致器件损伤或仪器的损坏，务必注意。现以3DJ6G为例说明1）饱和电流IDSS测试A.由器件手册查知，该器件测试条件：VDS=10VVgs=0VB.先按下VDS键（下排），再按下VDS极性N+键，且顺钟向调节VDS按钮，至数字表指示欲10V；C.按下VGS；极性N-键，反钟向调节VGS钮至尽端（前已设定，此时Vgs=0）D.注：也可直接按下VGS中的地键也同样可以实现Vgs=0之目的，且省去了Vgs调节步

6、骤。建议设定Vgs=0时，优先使用该键，更简便，准确！插入被测管，按下参数选择中的IDSS，再将测试盒上的扳键开关倒向被测管一边，此时，数字表显示之值即为所测IDSS值。注：（1）、如若IDSS较大，超过20mA（即按下）´10键，自然这时的IDSS等于显示值´10（即扩大10倍）（2）、该项参数测试完毕后，如欲转向另一项参数测试，则需先将测试盒上的“左·右”扳键置中间“断”的位置，再进行下项参数转换操作，这样可以隔离被测器件与整机线路的联系，而确保被测器件及仪器的安全。2）夹断电压VP测试A、右3器件手册查知，该参数测试条件：VDS=10VIDS=1

7、0uA（或50uA）B、按下VDS键，设定VDS值C、按下IDS（uA）——10uA键（中），设定10uA电流值D、按下VP（T），此时，数字显示之值即为所测VP值3）低频正向跨导gm测试A、由器件手册查知，该参数测试条件；VDS=10VVgs=0f=1KHZB、VDS、Vgs上已设定完毕（如有不同，可另行设定）；f=1KHZ这一条件，已由整机设计中保证，实际使用中无需另行操作C、按下gm键，此时，数字表显示之值即为所测gm值，D、IDS设定：如若gm测试条件中给定的不是Vgs=0,而是IDS=3mA，那么，这时就应当该设IDS这一测试条件了，其具体步

8、骤是：按下IDS键，再按下Vgs中的N-键，且顺钟向调节Vgs钮至数字表所显示IDS值为3mA