NOR Flash行业趋势分析 浅谈NOR Flash原理及性能.doc

NOR Flash行业趋势分析 浅谈NOR Flash原理及性能.doc

ID:27520016

大小:64.50 KB

页数:13页

时间:2018-12-04

NOR Flash行业趋势分析 浅谈NOR Flash原理及性能.doc_第1页
NOR Flash行业趋势分析 浅谈NOR Flash原理及性能.doc_第2页
NOR Flash行业趋势分析 浅谈NOR Flash原理及性能.doc_第3页
NOR Flash行业趋势分析 浅谈NOR Flash原理及性能.doc_第4页
NOR Flash行业趋势分析 浅谈NOR Flash原理及性能.doc_第5页
资源描述:

《NOR Flash行业趋势分析 浅谈NOR Flash原理及性能.doc》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在应用文档-天天文库

1、NORFlash行业趋势分析浅谈NORFlash原理及性能  本文主要是关于NORFlash的相关介绍,并着重对NORFlash的原理性能及其行业趋势进行了详尽的阐述。  NORFlash  它是现在市场上两种主要的非易失闪存技术之一。Intel于1988年首先开发出NORFlash技术,彻底改变了原先由EPROM(ErasableProgrammableRead-Only-Memory电可编程序只读存储器)和EEPROM(电可擦只读存储器ElectricallyErasableProgrammableRead-Only

2、Memory)一统天下的局面。紧接着,1989年,东芝公司发表了NANDFlash结构,强调降低每比特的成本,有更高的性能,并且像磁盘一样可以通过接口轻松升级。NORFlash的特点是芯片内执行(XIP,eXecuteInPlace),这样应用程序可以直接在Flash闪存内运行,不必再把代码读到系统RAM中。NOR的传输效率很高,在1~4MB的小容量时具有很高的成本效益,但是很低的写入和擦除速度大大影响到它的性能。NAND的结构能提供极高的单元密度,可以达到高存储密度,并且写入和擦除的速度也很快。应用NAND的困难在于F

3、lash的管理需要特殊的系统接口。通常读取NOR的速度比NAND稍快一些,而NAND的写入速度比NOR快很多,在设计中应该考虑这些情况。——《ARM嵌入式Linux系统开发从入门到精通》李亚峰欧文盛等编著清华大学出版社P52注释APIKey。  性能比较  flash闪存是非易失存储器,可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任何flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行,所以大多数情况下,在进行写入操作之前必须先执行擦除。NAND器件执行擦除操作是十分简单的,而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的

4、位都写为0。  由于擦除NOR器件时是以64~128KB的块进行的,执行一个写入/擦除操作的时间为5s,与此相反,擦除NAND器件是以8~32KB的块进行的,执行相同的操作最多只需要4ms。  执行擦除时块尺寸的不同进一步拉大了NOR和NAND之间的性能差距,统计表明,对于给定的一套写入操作(尤其是更新小文件时),更多的擦除操作必须在基于NOR的单元中进行。这样,当选择存储解决方案时,设计师必须权衡以下的各项因素。  l、NOR的读速度比NAND稍快一些。  2、NAND的写入速度比NOR快很多。  3、NAND的4ms

5、擦除速度远比NOR的5s快。  4、大多数写入操作需要先进行擦除操作。  5、NAND的擦除单元更小,相应的擦除电路更少。  此外,NAND的实际应用方式要比NOR复杂的多。NOR可以直接使用,并可在上面直接运行代码;而NAND需要I/O接口,因此使用时需要驱动程序。不过当今流行的操作系统对NAND结构的Flash都有支持。此外,Linux内核也提供了对NAND结构的Flash的支持。  详解  NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NORflash技术,彻底改变了原先由E

6、PROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着,1989年,东芝公司发表了NANDflash结构,强调降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。但是经过了十多年之后,仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR和NAND闪存。  像“flash存储器”经常可以与相“NOR存储器”互换使用。许多业内人士也搞不清楚NAND闪存技术相对于NOR技术的优越之处,因为大多数情况下闪存只是用来存储少量的代码,这时NOR闪存更适合一些。而NAND则是高数据存储密度的理想解决方案。  NOR的特点是芯片内执行(XIP,eX

7、ecuteInPlace),这样应用程序可以直接在flash闪存内运行,不必再把代码读到系统RAM中。NOR的传输效率很高,在1~4MB的小容量时具有很高的成本效益,但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。  NAND结构能提供极高的单元密度,可以达到高存储密度,并且写入和擦除的速度也很快。应用NAND的困难在于flash的管理需要特殊的系统接口。  NORFlash行业趋势分析    1汽车与工控拉动2016趋势反转  从各方面验证,2016年是NOR的拐点。首先,NOR市场为什么过去持续下跌?一方面是NAND由于

8、更高的性价比在智能机领域替代NOR,另一方面是功能机出货持续下滑。但目前情况是NAND替换已经完成,在智能机应用稳定在ISP、TDDI、AMOLED等领域以及低端功能机,而功能机领域还有较大市场且增速的下滑也已经趋于平缓。根据Gartner,2016年功能机出货3.96亿部,同比增速-5.71%,远小于过去几年两位数

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文

此文档下载收益归作者所有

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文
温馨提示:
1. 部分包含数学公式或PPT动画的文件,查看预览时可能会显示错乱或异常,文件下载后无此问题,请放心下载。
2. 本文档由用户上传,版权归属用户,天天文库负责整理代发布。如果您对本文档版权有争议请及时联系客服。
3. 下载前请仔细阅读文档内容,确认文档内容符合您的需求后进行下载,若出现内容与标题不符可向本站投诉处理。
4. 下载文档时可能由于网络波动等原因无法下载或下载错误,付费完成后未能成功下载的用户请联系客服处理。