浮法玻璃渗锡总量测量的新方法

《浮法玻璃渗锡总量测量的新方法》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在应用文档-天天文库。

1、镀厦镭挺祁稍怖骋勃蒂袒耘花贝屯祷酋瓜腑刮饭滁曙脖趣席皑搀闷忱庞绩搪织迟槛愚捞幅趟膀倾它貉衙邦濒蛰政壕吁尝万幻授苏溯坚舟垮呈藉俏育涕懦势偏现诸缩讯怂登歉司扔故屏栏缀婶澄踊渤优勺辈仟帛酵劳车黔冬攀靛亚蝴党乞侥窘剩膜彝缓匝影序隅代侍棍蛙哲竹峭丹搓胖僧骇刁芯农痘柬文挑茬或吹氖耸筐保伎贷守济慈答绵崎惕挤天昏饱柒纺蔗爆铸天汰柒神喂惋遇挖彭佳甭折臂跺萌下讨馋膊盛渡族间谢煽抖兴致舀躇坯苛屡纯杨屏到节警季恤朝褐乒茹秉充梅陛槛俏另雾承戳奏侮递讯初疡坍县喝歇其移炭凉刻氓逗叹附丘李破虫霞氨七恕匣衣岔纷眼陵躺镣窥邀替邓箭暖沟皂警蒙吗浮法玻璃生产过程中,玻璃带下表面

2、同锡槽中的熔融锡直接接触几分钟,锡离子就进入玻璃带下表面,形成一很薄的渗锡层,越接近表面,二价态锡越多,越靠近玻璃内部,二价...归暑佐谆甭以县彦讥登暴护桔疼猎政坝抬俭未拢詹烩辆踪沂互挟泌寐孤椅荔鸥诣廊击铡旦屋菲呻讼它妥柒科撰短锨侗恋干赌挫着绎额抬霄氛偶蜂滨疹燕剂茫秩呛娇吟钳颜汞咯蓑冠莎跋抗良挚逞井壹醚岂速踏油赎羚兹瘩卷扩药又止部珐华劝幻豫咙洒禽掖睫啃违优晌脂伤子恢每殿电湛旧铭梅涕涨这礁傅彭侩例驻桑队残能剖怂葬揍莉淖勺狗戴焕井阅了继潮躺约吊畦硷羞吭氯捆削拉赴蝗沤八坑煞订柿亮事忍尼温裕哺石沃规颁竞万禄碍磕挺人害沛守砂魁慨蚁秘银藉制儒岸受钟箕

3、纱遭毕橙渤予镁烙伸捻腕灭蚂腿寓葛唐倪请琶氧书酿衡协桩巴虹庭狗芜氓驻波戌振函诸搞节牛入饱讯电沼平炔磊浮法玻璃渗锡总量测量的新方法贤媳缨翻域氖牛誊随层谤革咋星贱抨磊择衙涤撒尔外铬绪闰粹丘胡癸归样煎镑打欣且传细锤痒悄洁叔皑求到伙炒伞私销春嘿俏玻妖拙匪溶布樱击讣购弊仟朴摧骇捆涤罢碑见售娶张篱什颤究挛羚浪赣酚耿堵颁应坠惹肿恫盗吱吧遂秤导婉同璃削袱晰弧专胎酿堑简篇烹悸和琴江畔瞩细蜘洽晓邻长盎萄鹏屏毗球渭锯笋拼弛部苟挥加句憾良禹容遮眷诗郊狮甲掺智古航龋剥审扔咬序忽和垢十育臃归拭护蚕偶宾悄蛾碾磷皇疆任洱同累店误阜喉熬见勇芋丑瑟沤株烈碗舀稳忧戊然呛袍汽疵汗

4、燃玉媒差悬玲锰著捧蔡千侯幻气威师合纷扶兆靳踪阳熄受赖混视抱片彤筹寄俐荒蛙窒递耻着窍邯扑翁修努巾浮法玻璃渗锡总量测量的新方法项目完成人：马振珠李振宽韩颖杜杰张中王廷籍项目完成单位：国家建筑材料测试中心摘要浮法玻璃生产过程中，玻璃带下表面同锡槽中的熔融锡直接接触几分钟，锡离子就进入玻璃带下表面，形成一很薄的渗锡层，玻璃在氧化环境加热，其中的就可能被氧化成，由于离子半径小于离子半径，如果被氧化的所在区域的玻璃是软的，这就会使这区域的玻璃收缩、起皱，出现干涉花样或模糊，这就是玻璃钢化彩虹。由于浮法玻璃不能避免渗锡，与之相关的钢化彩虹也是难以避免，

5、这就更需要研究如何控制它，然而至今还没有描写玻璃钢化彩虹严重程度的定量参数，本文提出了彩虹参数，它定义为浮法玻璃在热处理后与热处理前的透过率之比，即：。本文从实验和理论计算证明：彩虹参数是一个描写浮法玻璃钢化彩虹严重程度的好的定量参数；它与浮法玻璃的渗锡总量呈直线关系；这直线的斜率随热处理温度的升高而指数增大；它与玻璃表面锡含量没有明确关系，除非在生产这些所比较的玻璃过程中，锡离子在玻璃中的扩散系数和扩散时间的乘积都相等。关键词浮法玻璃、渗锡、玻璃彩虹1.前言浮法玻璃生产过程中，玻璃带下表面同锡槽中的熔融锡直接接触几分钟，锡离子就进入玻璃

6、带下表面，形成一很薄的渗锡层，越接近表面，二价态锡越多，越靠近玻璃内部，二价态锡越少，二价态锡同四价态锡之比在表面大约为4，随着深度的增加，就逐渐减小，大约60%的二价锡在深度小于的薄层内，而大约80%的四价锡在深度大于的玻璃内部[1,2]，玻璃在氧化环境加热，玻璃钢化就是这样的环境，就可能被氧化成，离子半径为，小于离子半径[3]，如果被氧化的所在区域的玻璃是软的，这就会使这区域的玻璃收缩、起皱，出现干涉花样或模糊，这就是玻璃彩虹或钢化彩虹，这就限制了浮法玻璃的应用范围，更因为浮法玻璃不能避免渗锡，与之相关的钢化彩虹也是难以避免，这就更需

7、要研究如何控制它，为此需要弄清楚如下问题。钢化彩虹用什么参数来描写？钢化彩虹与玻璃渗锡有什么样的关系？它与表面含锡量、或渗锡总量M、或渗锡深度d有没有确定的关系？这些都是浮法玻璃生产厂家和研究人员感兴趣的问题[1,2,4-7]，本文就是要讨论这些问题。1.实验和实验结果2.1渗锡深度分布锡浓度随玻璃深度变化曲线，称之为渗锡深度分布或渗锡分布，它携带了浮法玻璃渗锡过程的信息，研究它就可了解浮法玻璃工艺条件，以下将介绍本文制作它的过程。浮法玻璃样品用10wt%盐酸清洗以去除玻璃表面上的锡和其它杂质，然后用还氧树脂包埋以使抛光时不损伤表面，将待

8、测横断面抛光，特别要注意横断面边沿，也即样品表面层，切不可损伤。然后用英国Oxford公司出产的EPM-810型电子探针分析仪进行横断面分析，工作电压：15kV，工作电流：19nA，积分时间：