187-提高多晶si薄膜太阳电池转换效率地途径

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1、实用标准文案“微纳电子技术”2008年第4期专家论坛187-提高多晶Si薄膜太阳电池转换效率的途径纳米器件与技术193-小尺寸超高频双极晶体管工艺及特性模拟198-单电子晶体管的蒙特卡罗模拟及宏观建模纳米材料与结构205-腐蚀法制备绒面ZnO透明导电薄膜209-Bi2O3/TiO2纳米复合物的微波合成及光催化性质MEMS器件与技术214-基于MEMS技术的微波滤波器研究进展219-新型三轴MEMS热对流加速度传感器的研究显微、测量、微细加工技术与设备222-纳米光刻对准方法及其原理231-变温腐蚀法制备纳米光纤探针235-一维纳米结构的拉伸力学测试

2、240-Si基GaN薄膜的制备方法及结构表征=======================================精彩文档实用标准文案专家论坛187-提高多晶Si薄膜太阳电池转换效率的途径彭英才1，2，姚国晓3，马蕾1，王侠1（1.河北大学电子信息工程学院，河北　保定　071002；2.中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室，北京100083；3.中国天威英利新能源有限公司，河北　保定　071051）摘要：多晶Si薄膜对可见光进行有效地吸收、光照稳定性好、制作成本低，被公认为是高效率和低成本的光伏器件材料。以提高多晶Si薄膜太阳电池

3、转换效率为主线，介绍了增大晶粒尺寸以增加载流子迁移率、进行表面和体内钝化以减少复合中心、设计p-I-n结构以增加光收集效率、制作绒面结构以提高对入射光的吸收效果、改进电池结构以谋求最大效率等工艺措施；综述了近5年来多晶Si薄膜电池在材料生长、结构制备和性能参数方面取得的最新进展，并对其发展前景做了预测。关键词：多晶Si薄膜；大晶粒；氢钝化；p-I-n结构；太阳电池；转换效率纳米器件与技术193-小尺寸超高频双极晶体管工艺及特性模拟赵守磊，李惠军，吴胜龙，刘　岩（山东大学孟堯微电子研发中心，济南　250100）摘要：基于通信系统中射频电路设计的特殊要

4、求，对小尺寸（基区宽度低于100nm）、超高频（特征频率高于15GHz）双极晶体管工艺制程和器件的物理特性进行了模拟，为工艺线流片进行可行性研究。该器件采用BiCMOS制程结构实现，在对小尺寸、超高频双极性器件物理模型进行详尽分析的基础上，实现了该器件工艺级（SentaurusProcess）及器件物理特性级（SentaurusDevice）的仿真，提出TCAD工艺及器件的一体化设计方案。模拟结果表明，在高频指标参数17GHz下，所得β值接近于80，满足设计要求。关键词：小尺寸；双极器件；频率特性；工艺仿真；特性模拟精彩文档实用标准文案198-单电

5、子晶体管的蒙特卡罗模拟及宏观建模孙海定，江建军（华中科技大学电子科学与技术系，武汉430074）摘要：以单电子晶体管为研究对象，系统阐述了库仑阻塞、库仑台阶、单电子隧穿等物理现象的产生机理。微观模拟与宏观建模相结合,着重介绍了如何用蒙特卡罗方法和Matlab相结合对上述各种物理现象进行数值模拟,同时对单电子晶体管进行宏观电路等效,用一些常用元器件进行宏观建模。采用强大的模拟集成电路软件Hspice进行分析模拟,大大减少了计算及仿真时间。通过分析比较,两者曲线得到了较好的吻合,直观地反映了单电子晶体管的电学特性,为进一步研究复杂系统提供了理论依据。关

6、键词：单电子晶体管；单电子隧穿；库仑阻塞；库仑台阶；蒙特卡罗；Hspice纳米材料与结构205-腐蚀法制备绒面ZnO透明导电薄膜刘佳宇，朱开宇，王文辕（河北理工大学信息学院，河北　唐山　063000）摘要：利用中频脉冲磁控溅射系统制备高透过率、高电导率的平面ZnO薄膜。对平面ZnO薄膜进行短时间弱酸腐蚀，可以获得绒面效果的ZnO透明导电薄膜。分析了工作气压和衬底温度对薄膜绒面结构的影响，获得了适合薄膜太阳能电池的绒面ZnO透明导电薄膜。当压力控制在1.92Pa左右，衬底温度150~170℃范围内沉积的薄膜具有最佳的绒面和较低的电阻率，电阻率可达5.

7、57×10-4Ω·cm，载流子浓度2.2×1020cm-3，霍尔迁移率40.1cm2/V·s,在可见光范围平均透过率超过85％。关键词：中频脉冲溅射；绒面ZnO；透明导电膜；腐蚀；结构209-Bi2O3/TiO2纳米复合物的微波合成及光催化性质廖学红，王小佳（黄冈师范学院化学系，湖北　黄冈　438000）摘要：以硝酸铋和硫酸钛为原料，通过直接投料微波辐射水解合成法制备了掺铋TiO2精彩文档实用标准文案纳米复合物，并用XRD、TEM进行了表征。结果表明，直接投料摩尔比为1∶10掺铋TiO2纳米复合物，经500℃热处理后晶型为锐钛矿型，粒径为6~10n

8、m。以催化降解甲基橙来考察其光催化活性，结果表明所制备的纳米复合物是一个好的催化剂。研究了Bi3+的掺杂量、热处理温度、催