先进半导体材料及器件的辐射效应

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1、为了适应公司新战略的发展，保障停车场安保新项目的正常、顺利开展，特制定安保从业人员的业务技能及个人素质的培训计划先进半导体材料及器件的辐射效应　　刘忠立，1940年生，武汉市人，1964年毕业于清华大学无线电电子学系半导体材料及器件专业。历任中国科学院半导体研究所微电子研究及发展中心主任、研究员、博士生导师、博士后合作导师、所学术委员会副主任、学位委员会委员、国家传感技术重点实验室副主任，创新重大项目“特种半导体器件及电路”负责人等。现任中国科学院微电子研究所特聘研究员，传感技术国家重点实验室学术委员会委员、北京市传感技术实验室学术委员会委员、中国电子学

2、会核辐射电磁脉冲专委会委员、中国国际工程咨询公司项目评估专家等职，微电子学杂志编委会委员，科学出版社“半导体科学与技术丛书”编委会委员。　　已在国内外重要刊物上发表论文120余篇，撰写专著4本，译著2本，拥有国家发明专利8项，指导已毕业的博士生12名，博士后1名，指导已毕业的硕士生12名。　　工作经历：　　1964年毕业于清华大学半导材料及器件专业。　　1964-XX年在中科院半导体研究所工作，XX年起被中科院微电子研究所聘为教授继续工作。1980-1982年作为访问学者在联邦德国多特蒙德大学从事新CMOS器件研究。目的-通过该培训员工可对保安行业有初步

3、了解，并感受到安保行业的发展的巨大潜力，可提升其的专业水平，并确保其在这个行业的安全感。为了适应公司新战略的发展，保障停车场安保新项目的正常、顺利开展，特制定安保从业人员的业务技能及个人素质的培训计划　　1990-1991年在联邦德国HMI研究任客座教授所事MOS器件辐射加固物理研究。　　学术兼职：　　1、传感技术国家重点实验室学术委员会顾问。　　2、北京市传感技术国家重点实验室学术委员会委员。　　3、中国电子学会核辐射电磁脉冲专委会专家委员。　　4、中科院军工项目监理部监理。　　5、“微电子学”杂志编委会委员。　　6、科学出版社半导体技术书籍编委会委员

4、。　　7、中电集团SOICMOS技术研发中心专家委员会专家。　　研究方向：　　主要从事从事半导体器件、电路、微传感器的设计、制造及辐射加固研究，近年来重点研究抗辐射SOICMOSSRAM、抗辐射SOICMOSFPGA及宽带隙半导体SiC功率器件。　　承担的科研项目情况：目的-通过该培训员工可对保安行业有初步了解，并感受到安保行业的发展的巨大潜力，可提升其的专业水平，并确保其在这个行业的安全感。为了适应公司新战略的发展，保障停车场安保新项目的正常、顺利开展，特制定安保从业人员的业务技能及个人素质的培训计划　　长期从事辐射加固集成电路、微传感器及半导体功率器

5、件研究，是我国最早研制成功MOSFET及JFET器件的主要研究人员之一。20世纪60年代后期至70年代中期，在高质量SiO2生长、检测以及MOS器件稳定性和可靠性方面，做出了很多有意义的开拓性研究成果，1974年负责研制成功CMOS指针式电子手表电路，荣获北京市科技二等奖。1980－1982年，作为访问学者在德国多特蒙德大学电子系从事新CMOS器件研究，首创性地提出并负责研制成功离子注入氮形成隐埋Si3N4的CMOS/SOI器件，得到国际同行的认可。1990-1991年，在德国HMI核研究所任客座教授从事MOS器件辐射物理研究，取得有意义的成果。1982

6、年-1989年，负责研制成功“抗辐射CMOS/SOS集成电路”及“长寿命卫星抗辐射集成电路”，电路的抗辐射指标达到国际上相应电路的最好水平，分别获1987年及1991年中科院科技进步二等奖；1992年获国防科工委光华基金二等奖；1993年获国家政府特殊津贴及中科院优秀教师称号；1995负责研制成功重点工程CMOS/SOS抗辐射CMOS/SOS集成电路，获中科院科技进步三等奖。“八五”、“九五”及“十五”期间，负责多项国家重大研究课题，均已通过验收，其中同中科院微电子所合作完成的”64K抗辐射CMOS/SOISRAM”院重点创新项目，同中电集团58所合作完

7、成的十五预研项目”128K抗辐射CMOS/SOISRAM”,开拓了我国抗辐射CMOS/SOI辐射加固集成电路的研究领域。此外，“九五”至“十五”期间还负责研制成功高反压SiC二极管、SiC肖特基二极管、SiCMOS管等国内一流的研究成果，十一五责研制成功5万门抗辐射CMOS/SOIFPGA电路已通过验收，辐射指标达国际先进水平。　　科研成果：　　1、1974年负责研制成功我国第一个CMOS指针式电子手表电路，获北京市科技二等奖。目的-通过该培训员工可对保安行业有初步了解，并感受到安保行业的发展的巨大潜力，可提升其的专业水平，并确保其在这个行业的安全感。为

8、了适应公司新战略的发展，保障停车场安保新项目的正常、顺利开展，特制定安保从业人员