电力电子电路i（高起专）模拟试卷（二）

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1、电力电子电路I（高起专）模拟试卷（二）一、单选题（每题2分，共10分）1.晶闸管的额定电压是（）。A.断态重复峰值电压B.反向重复峰值电压C.A和B中较大者D.A和B中较小者2.晶闸管是（）。A.四层三端器件B.三层四端器件C.四个PN结的器件D.电压驱动型器件3.锯齿波触发电路，整定初始相位时需要调整（）。A.电源电压UEB.控制电压UctC.偏移电压UpD.同步电压UTS4.三相半波可控整流电路，大电感负载，晶闸管的电流有效值是（）。A.B.C.D.5.三相桥式全控整流电路，电阻性负载，脉冲的移相范围是（）。A.90°B.120°C.150°D.180°二

2、、多选题（每题2分，共10分）1.自然换流点在相电压波形负半周的电路是（）。A.三相半波共阴极组整流电路B.三相半波共阳极组整流电路C.三相半波共阴极组逆变电路D.三相半波共阳极组逆变电路2.三相桥式逆变电路触发脉冲需要满足的条件是（）。A.宽脉冲或双窄脉冲B.必须严格按相序给出A.控制角b一定小于bminB.控制角b一定大于bmin3.三相桥式全控整流电路，触发信号应采用（）。A.宽脉冲B.窄脉冲C.双宽脉冲D.双窄脉冲4.下列描述中正确的有（）。A.共阴极组变流电路，整流电压负半波大于正半波。B.共阳极组变流电路，整流电压负半波大于正半波。C.共阴极组变流

3、电路，逆变电压负半波大于正半波。D.共阳极组变流电路，逆变电压正半波大于负半波。5.造成逆变失败的原因有（）。A.交流电源缺相B.电源频率较低C.触发脉冲丢失D.主回路电阻较大E.脉冲相序不对F.逆变角过小G.整流角过小H.晶闸管击穿短路I.触发脉冲不整齐J.报警电路失灵三．（1）晶闸管的额定电流IT(AV)是怎样定义的？（5分）（2）GTO为什么能用负脉冲关断？它与普通晶闸管在结构和参数上有何不同？（5分）（3）IGBT栅极串联电阻有何作用？应如何正确选择？（5分）（4）全控型开关元件：GTO、GTR、IGBT、MOSFET、达林顿管中，属于电流型驱动的开关

4、管是哪几种？属于电压型驱动的是哪几种？（5分）四．（1）电路如图，VT导通，画出负载电阻R上的电压波形。（5分）u20wtwt0u2u2pp2p2pRVT(a)(b)（2）在图中，晶闸管阳极总加正向电压，只要在VT1与VT2的控制极分别加上脉冲，可实现两只晶闸管轮流导通，试分析工作情况。（5分）ER1VT1R2VT2C五．（1）有一感性负载单相桥式半控整流电路，当触发脉冲突然消失或α突然增大到180°时，电路会产什么现象？电路失控时，可用什么方法判断哪一只晶闸管一直导通，哪一只一直阻断？（5分）（2）锯齿波触发电路主要包括哪几个基本环节？（5分）（3）一个移相

5、触发电路，一般都由哪些基本环节组成？（5分）（4）三相半波可控整流电路，电阻性负载，晶闸管承受的最大正、反向电压为多少？（5分）六．下图波形的阴影部分为晶闸管中的电流波形，其最大值为Im，计算其电流平均值、有效值与波形系数。（10分）若设Im为200A，在不考虑安全裕量时，应选择额定电流为多大的晶闸管？4π/3Im22πππ/30wti2七．额定电流为100A的晶闸管，通过如下波形的电流，求允许的峰值电流和平均值电流（取2倍安全裕量）。（10分）0wtiImpp/22π八．带续流二极管的单相半控桥式整流电路，阻感负载，U2=220V，负载电阻R=5W，L=∞，

6、α=60°，求Ud，Id，晶闸管和续流二极管中电流有效值IT，IDR，作出ud，iDR和iT的波形。（10分）DRL=∞R=5Wu2wt02πiTwtiDRwtudwtπ000u2电力电子电路I（高起专）模拟试卷（二）参考答案一、单选题（每题2分，共10分）1.答：（D）2.答：（A）3.答：（C）4.答：（D）5.答：（B）二、多选题（每题2分，共10分）1.答：（BD）2.答：（ABD）3.答：（AD）4.答：（BCD）5.答：（ACEFHI）三．（1）答：环境温度40°C，规定的冷却条件，导通角不小于170°，电阻性负载，不超过额定结温，允许通过的工频、

7、正弦、半波电流的平均值。（2）GTO为临界饱和导通，因此可以加负脉冲使其关断。GTO是集成元件结构，α1+α2≈1.05。而普通晶闸管是独立元件结构，α1+α2≈1.15。（3）IGBT的导通与关断是通过栅极电路的充放电实现的，栅极电阻对IGBT的动态特性会产生较大的影响。1~400Ω。（4）答：电流型驱动：GTO、GTR、达林顿管。电压型驱动：IGBT、MOSFET。四．（1）答：负载电阻R上的电压波形如下：u20wtu20wtu2wt0wt0uR(a)(b)（2）答：当触发VT1时，正电源经R2、C、VT1为电容器充电，其极性为左负右正。如果触发VT2导通

8、，电容器两端的电压将会使VT1承受反压