6、学位论文答辩记录（打印2份）

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1、研究生学位论文答辩记录院、系、研究所电子科学与工程学院学科、专业名称研究方向电子科学与技术、微电子学与固体电子学宽带隙半导体材料申请学位级别硕士研究生李永安指导教师修向前教授2015年5月22日答辩时间2015年10月26日下午14：30答辩地点南京大学蒙民伟楼801室出席委员人数缺席委员人数会议主席会议秘书记录人50陈敦军刘斌刘斌论文题目微纳米GaN衬底模板制备及外延研究论文答辩记录：1、陈鹏：如果十二而锥和六棱锥的低边直径相同，哪个高度高？回答：十二面锥的侧面与基底的夹角为51。〜52。，六棱锥的侧面与基底的夹角63。，因此，

2、如果低边直径相同，六棱锥更高。2、陈敦军：如何通过改变腐蚀条件，获得高质量的模板，有没有总结出规律？回答：主要通过改变KOH浓度和光强这两个条件，KOH浓度从1M降低到0.1M,光强从70mW/cm2增加到140mW/cm»总结出腐蚀规律：在高浓度KOH(1M)和低强度紫外光照下，腐蚀出髙质量的腐蚀坑和微纳米柱模板；在低浓度KOH和髙强度紫外光照下，以光助腐蚀为主，主要受光生载流子的影响，腐蚀出锥体和晶须。因此可以采取高浓度KOH和低光强获得高质量的模板。3、徐庆宇：是否有研究者采用多次腐蚀GaN多次同质外延的方法，制备出非常完美

3、的晶体？回答：目前，研究者主要在一次腐蚀GaN模板进行一次同质外延，多次腐蚀GaN多次同质外延的研究目前国内外尚未有相关报道。这是获得更高质量GaN晶体的理想技术，可以通过每次腐蚀外延逐渐减少位错，这是我们下一步工作的重点。4、徐庆宇：相同的腐蚀条件下，N面GaN与Ga面GaN的腐蚀形貌有何不同？回答：相同的腐蚀条件下，N面GaN腐蚀出六棱锥结构，Ga面GaN腐蚀出六边形的腐蚀坑。5、李忠辉：N面GaN与GaffiGaN相比，哪个样品的腐蚀速率快？回答：Ga面GaN中，N的悬挂健的排斥，阻止OH-攻击Ga原子；N面GaN中，Ga的

4、悬挂健吸附OH-到表面，然后反应。因此，N面比Ga面更容易被腐蚀，N面GaN的腐蚀速率更快。6、陈敦军：是否对P型GaN进行腐蚀？回答：没有对P型GaN进行腐蚀。因为半导体与电解质接触吋，会产生载流子的转移，形成耗尽区，从而产生能带的弯曲。P型GaN的能带弯曲为空穴提供的是势垒，而为电子提供了势阱，空穴很难移向表面，从而大大减少了空穴参与化学反应的几率，腐蚀效率比较低。7、李忠辉：腐蚀模板的六棱锥尺寸有多大差别？六棱锥如何分布？回答：六棱锥的尺寸不均匀，有微米量级和纳米量级。尺寸的大小与位错密度有关，位错密度越大，尺寸越小。另外，

5、六棱锥的分布与位错的分布也有关。8、陈敦军：腐蚀后，GaN的减薄厚度的速率是多少？回答：减薄速率大约为5微米/小时。9、陈鹏：CLmapping中，为什么量子阱的侧面｛10亠1｝发光没有｛10・22｝面的发光强？回答：模板上已经形成｛10-1-1）品面，而｛11・22｝品面是量子阱新生长出的，表明本实验条件更有利于｛11-22｝晶面的生长，｛11・22｝晶面的品体质量较高。此外｛11-22）晶面比｛10-1-1）品面的极化效应弱，导致发光增强。10、谢自力：为什么考虑生长15个周期的量子阱结构？回答：如果量子阱太薄，CL测试中量子

6、阱的信号太弱，而GaN的信号强，观察不到量子阱的发光峰。为了得到较强的量子阱信号，增加量子阱的周期（15个）。11、陈敦军：十二面锥体的面都是半极性面吗？回答：测得十二面锥的侧面与底而夹角约为51。〜52。，｛2023｝和｛2245｝面与底面夹角分别为51.4。和52.5°,由此确定锥体由｛2023｝和｛22^5｝两组品面组成，都是半极性面。12、陈敦军：为什么In组分从底部到顶部越来越高？回答：在同质外延生长过程中，In组分相比Gi较易从半极性面的底部向上迁移，形成了高In组分量子阱。因此，从底部到顶部，In组分逐渐增加。