高热导LTCC复合陶瓷基板.doc

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1、中国科学院科技成果（LED产业）2011年1月目录1.制造LED芯片专用光刻机12.半导体深紫外LED光源23.大功率白光LED器件44.第三代宽禁带半导体材料—氮化镓衬底晶片及相关产品55.基于同质外延技术的超大功率单芯片LED产业化86.平板显示关键技术及产业化开发97.高效率高光通量LED关键技术及3W级LED芯片开发118.OLED有机太阳能电池产业的关键材料119.新型LED光源-量子点的制备及量产放大技术1310.紫外LED-纳米光催化空气净化技术与产品开发1411.紫外LED纳米光催化污水深度处理技术与装备开发1512.LED图形化衬底刻蚀系统1613.高热导LTC

2、C复合陶瓷基板1714.LED高效封装光学设计1815.新型LED用红色荧光粉的制备1916.白光LED光固化封装树脂2017.燃烧合成氮化物陶瓷荧光粉211.非晶晶化法制备YAG:Ce3+微球荧光粉222.异型微热管散热技术253.大功率LED液态金属散热技术264.大功率LED灯具体式热管散热技术275.蒸发冷却散热技术286.大功率LED驱动技术307.高亮度、低功耗LED平板灯技术328.LED照明产品的设计技术集成339.高热导氮化铝陶瓷散热基板3410.高热导LTCC复合陶瓷基板3511.LED陶瓷散热技术3612.微槽群复合相变冷却技术38【编号：0】制造LED芯片

3、专用光刻机技术来源单位：成都光电所技术简介：中国科学院光电技术研究所研发光刻机已经近30年的历史，近年来研发成功的URE-2000系列光刻机在集成电路等领域已经获得广泛应用，相对于国内外同类产品具有极高的性价比，已经销售200多台，稍加改进即可满足LED芯片制作和封装要求。技术特点及优势：（1）技术指标曝光面积：150mm×150mm；分辨力：0.8～1mm（胶厚2mm正胶）；对准精度：±0.6mm；照明均匀性：±3.5%(f100mm)；±5.5%(f150mm)掩模尺寸：3inch、4inch、5inch、7inch；样片尺寸：直径f15mm-f150mm、厚度0.1mm-6

4、mm；（2）技术优势URE-2000系列光刻机已经销售200多台套（其中出口美国、新加坡、越南、朝鲜等10多台），目前占据国内最大市场份额，产品深受国内外用户欢迎，产品2007年获全国创新技术与产品称号，2008年获四川省科技进步奖，产品无论技术—24—指标、性价比、外观、模块化、售后服务相对于国内外同行优势明显。我们光刻机共有八种型号，其中单面有五种:URE-2000A、URE-2000B、URE-2000/35、URE-2000/25、URE-2000/17，双面有三种:URE-2000S/A、URE-2000S/B、URE-2000S/25。相关图片：图1不同型号的光刻机【

5、编号：0】半导体深紫外LED光源技术来源单位：中国科学院半导体研究所技术简介：半导体深紫外光源的研究在印刷、水净化、医疗、环境保护、高密度的信息储存和保密通讯等领域都有重大应用价值。而以AlGaN合金为有源区的LED的发光波长能够覆盖210-400nm的紫外波段，是实现该波段深紫外LED器件产品的唯一理想材料。同时紫外LED具有其它紫外光源无法比拟的优势。本项目为“863”计划支持项目，已完成小试。获得两项发明专利和国家科技进步二等奖。—24—技术特点及优势：通过详细研究铝镓氮材料生长的预反应问题，解决了外延晶体质量差、容易在表面形成由于应力而产生的裂纹等问题。获得了无裂纹的高结

6、晶质量铝镓氮材料，大幅度改善了铝镓氮材料的晶体质量，其（0002）面的X射线双晶衍射半高宽小于200弧秒，表面AFM测试表明其粗糙度小于1nm，并获得了Al组分高达85％的AlGaN材料；铝镓氮材料的CL发光波长为260nm。实现了深紫外UVLED器件的300nm以下室温荧光发光，并在国内首次制备成功了300nm以下的深紫外LED器件，波长为280nm的深紫外器件在20mA连续驱动电流下输出功率大于0.6mW。相关图片：—24—图2半导体深紫外LED光源应用于所区路灯进行示范验证【编号：0】大功率白光LED器件技术来源单位：中国科学院半导体研究所技术简介：—24—LED作为照明光

7、源与现有的照明光源相比具有节约能源、寿命长、体积小、发光效率高、无污染以及色彩丰富等优点。虽然GaN基功率型LED的发光效率迅速提高，但量子效率、电流分布均匀性和器件散热能力仍是制约功率型LED性能提高的技术瓶颈。本课题重点研究了不同正装LED结构对散热与光提取效率的影响以及光学增透膜、高反膜与N电极对提取效率的影响，通过优化正装芯片结构设计和光学膜系设计，研制出高性能大功率蓝光和白光LED。本项目为“863”计划支持项目，已完成小试。获得两项发明专利和国家科技进步二等奖。技术特