多孔阳极氧化铝模板的制备及形成机理研究

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1、南京理工大学硕士学位论文多孔阳极氧化铝模板的制各及形成机理研究摘要本文利用阳极氧化的电压．时间曲线、扫描电子显微镜、能量色散X射线谱、X射线粉末衍射仪、电容器模型等仪器对氧化过程及氧化膜进行表征。分刖采用～次阳极氧化和二次阳极氧化制备了多孔氧化铝模板。结果表明，随着氧化时间的增长，多孔氧化膜的有序度增加。经过二次氧化后得到的氧化膜虽然氧化的时间较短，但有序度比一次氧化的多孔氧化膜要高，可以形成排列规则的六角蜂窝形孔洞。通过自制的电解电容器模型，利用氧化铝薄膜的介电性能计算氧化膜的厚度。结果表明：利用其介电性能可以准确的计算

2、阻挡层氧化膜厚度，阻挡层生成率为1．219。讨论了电解液的种类以及氧化时间、环境温度、电流密度、电解液浓度等条件研究了这些因索对氧化过程的影响。并提出了多孔氧化铝膜的形成与发展模型，认为02的产生对多孑L氧化膜的产生和发展有着促进的作用。对于溶解能力较强的酸性溶液，02的产生有着扩孔的作用：对于溶解能力较弱的近中性溶液j02的存在对孔的产生起着至关重要的作用。利用氧化铝模板制备导电聚吡咯，聚吡咯在三氧化二铝模板的孔洞中只能以高度有序的共轭结构～维生长，当其长出模板时，由于高分子长链的交联作用，聚毗咯已形成的高度有序一维结构

3、有利于其继续按照一维结构生长。关键词：氧化铝多孔膜阳极氧化介电性形成机理聚吡咯纳米线Abstract硕士论文Theanodizingprocessandanodicaluminumoxide(AAO)filmswerecharacterizedbymeansofVoltage-timecurves，SEM，EDAX，XRDandelectrolytecapacitormodel．Porousaluminatemplateswereobtainedbyoneandtwo-stepanodizationrespectively

4、．Theresultsindicatethattheorderdegreeraiseswithprolongedtime．Theregularityofholesarrangementinthemembranemadebytwo-stepanodicoxidationdisplayedbetterthanthatofthemembraneanodizingonlyoncefromexperimentalresults．Itwasswiftlytoobtainthethicknessofaluminafilmbyuseofi

5、tsdielectricpropertyandelectrolytecapacitormodel．Theresultsshowthat，thethicknessofbarrieroxidefilmsCanbecalculatedaccuratelybyuseofitsdielectricproperty．ThebarrierlayerproducerateiS1219．Variousfactors(e．g．electrolytes，anodizin曼time，temperature，currentdensity,elect

6、rolyteconcentration，ere．)influencedtheanodizafionprocesswereinvestigated．Theresultsshowthatthenanomcterporeshaveformedbeforereachingthepeakpointinacidelectrolyte．NanometerporesalsoCanbeobtainedinnearlyneutralelectrolyte．Differentfactorsaffecttheregularityofporousd

7、istributiontogetherinanodizingprocess．ThemodelofAAOfilmsWaSfoundedwhichadmitsthatOzhasthepositiveeffectontheforminganddevelopingofAAOfilms．ElectricPPynanowairswassynthesizedbyaluminatemplates．Polypyrrolenanowiresgrowingwithone—dimensioninnanometerpores．PPykeepsond

8、evelopingwithhighregularityinone-dimensionoutofmembraneowingtotheCROSS—linkeffect．Keywords：PorousaluminafilmsAnodicoxidationDielectricpropertyFormationm