掺镧ito纳米粉体、薄膜制备与光电性能研究

掺镧ito纳米粉体、薄膜制备与光电性能研究

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时间:2019-02-25

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1、掺镧ITO纳米粉体、薄膜制备与光电性能研究盖‰裟纛砉冀氽薛硕士研究生(签名):徐浑指导老师‘签孙鹕雹以摘要本文采用两种方法分别制备掺镧和未掺镧ITO薄膜,一种方法是采用溶胶一凝胶法浸涂镀膜;另一种方法采用共沉淀法合成纳米ITO粉末,压制并烧结成靶材后,真空热蒸发镀膜。采用DSC、XRD、TEM和SEM研究薄膜微观结构,采用台阶仪测量薄膜厚度,四探针电阻仪测量方阻,分光光度计测量可见光透过率。重点讨论了掺镧对ITO薄膜微观结构和光电性能的影响。f实验结果表明:(1)采用上述两种方法可以制备出方阻小于400Q、/口(8.80X10

2、。Q·cnl),可见光透过率大于84%的性能优良的透明导电ITO薄膜,达到国内先进水平。(2)随着热处理温度升高,两种方法所制备ITO薄膜的晶粒尺寸增大,薄膜结构比较均匀致密;ITO粉末粒径为20nm~40nm;掺镧后ITO粉末粒径有所增大。(3)适量掺镧可以促进La“、sn“对In3的置换,过量掺镧会使固溶到In。0。中的Sn“析出,析出的Sn“以SnO。存在。(4)适量掺镧对可见光透过率无明显影响,但会显著降低ITO薄膜的方阻;过多的掺镧会降低可见光透过率,对方阻的影响不大。掺镧与末掺锎的ITO薄膜比较,方阻可降低30%~

3、60%,透过率下降约5%。(5)溶胶一凝胶法制备掺镧ITO薄膜的合适工艺条件为:热处理温度为700"C,涂覆层数为10层,氧化镧掺杂量为3.Owt%,薄膜厚度约220nm时,方阻为240Q/口(电阻率为5.28×10。Q·锄),可见光透过率为84%。真空热蒸发镀膜制备掺镧ITO薄膜的氧化镧最佳掺杂重为4.5wt%时,薄膜厚度约300hm时,方阻为40Q/n(电阻率为1.20×10_3Q·cm),可见光透过率为88%。实验表明,掺镧可以提高ITO薄膜的导电性能。、,一/节l/一f,,,7关键词:溶胶一凝胶法;共沉淀法:铟锡氧化物

4、r—+’‘~‘。。H—一’。-_。__。。。。‘。。’一可见光透过率‘⋯∥’e商>;掺塑!里塑璺;亳阻PreparationofLadopedITOfiIIllsandIlORano—powdersandStudyoftheiropticaI—eIectricaIpropertiesInthispaper,indiumtinoxide(ITO)thinfilmsandLadopedITOfilmswerepreparedbytwomethodsonK9glassandquartzglass,oneofwhichisSol。Ge

5、lmethod,anotherischemicalCO—precipitationprocesstosynthesizeITOnano—powder.ThepowderswerecompactedintoITOtargetandsintering,thenvacuumthermalevaporatingITOtargetsontothesubstratespreparedITOfilms.DSC,XRD,TEMandSEManalyzedthemicrostructuresandphasesofITOfilmsandpowde

6、rs.ThicknessofthefilmsWasmeasuredbySidestepinstrurnent.SheetresistanceWasmeasuredbyusingthefour—pointprobemethod.Theopticaltransmittanceofthefilmswasalsomeasuredbyspectrophotometeroverwavelengthrangeof400NS00nrn.TheeffectofLadopedITOfilmsonmicrostructuresandopticala

7、ndelectricalpropertieswereprimarilydiscussed.Theexperimentresultsdemonstratethat:(1)TransparentconductiveITOfilmswithlessthan400D./口ofthesheetresistanceandmorethan84%ofthevisibletransmittancehaveachieyedadvancedlevelinOUrcountrywhichwerepreparedbythetwomethods.(2)Th

8、estructureofITOfilmshomogenizesandcrytallizeswiththeincreasingtempemture.TheGrainsizesofITOpowdersareintherange20-40rim.AfterdopedLa,parti

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