zaocuzao透明导电薄膜的制备与特性研究

《zaocuzao透明导电薄膜的制备与特性研究》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在学术论文-天天文库。

1、分类号⋯⋯⋯⋯⋯UDC⋯⋯⋯⋯⋯⋯．丰南大学密级⋯⋯⋯⋯⋯编号⋯⋯⋯⋯⋯．．CENTRALSOUTHUNIVERSITY硕士学位论文论文题目ZAO／Cu／ZAO透明导电薄膜●⋯⋯⋯⋯⋯●⋯⋯⋯●⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯●⋯⋯⋯一的制备与特性研究⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯●⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯¨学科、专业⋯⋯⋯⋯⋯。物理学⋯⋯⋯⋯⋯⋯研究生姓名⋯⋯⋯⋯⋯．．杨廷挞⋯⋯⋯⋯⋯⋯导师及职务⋯⋯⋯⋯．周继承⋯教授⋯⋯⋯⋯原创性声明本人声明，所呈交的学位论文是本人在导师指导下进行的研究工作及取得的研究成果。尽我所知，除了论文中特别加

2、以标注和致谢的地方外，论文中不包含其他人已经发表或撰写过的研究成果，也不包含为获得中南大学或其他单位的学位或证书而使用过的材料。与我共同工作的同志对本研究所作的贡献均已在论文中作了明确的说明。作者签名：扭型上区。日期：竺!兰年』月上日学位论文版权使用授权书本人了解中南大学有关保留、使用学位论文的规定，即：学校有权保留学位论文并根据国家或湖南省有关部门规定送交学位论文，允许学位论文被查阅和借阅；学校可以公布学位论文的全部或部分内容，可以采用复印、缩印或其它手段保存学位论文。同时授权中国科学技术信息研究所将本学位论文收录到《

3、中国学位论文全文数据库》，并通过网络向社会公众提供信息服务。摘要平面显示技术与光电器件的飞速发展，对透明导电薄膜(TCO)提出了越来越高的要求。目前应用最广泛的透明导电薄膜当属In203：Sn(ITO)膜，ZnO：AI(ZAO)膜作为新一代透明导电薄膜的代表，已有取代ITO膜的趋势。但半导体透明导电薄膜受制于其半导体导电机制，已不能满足人们与日俱增的要求，于是金属夹层透明导电复合薄膜应运而生。深入探索ZAO／Cu／ZAO多层膜的制备原理与工艺技术具有重要的意义。本文通过直流磁控溅射法，在普通玻璃衬底上制备了ZAo／Cu／

4、ZAO透明导电薄膜。用X射线衍射仪、原子力显微镜、紫外．可见光分光光度计及四脚探针对样品的晶体结构、表面形貌与光电性能等进行了表征。研究和分析了ZAO／C州ZA0多层膜中各膜层厚度、溅射温度及退火温度对于样品显微结构及光电特性的影响。实验结果表明：Cu层厚度对于ZAO／Cu／ZAO多层膜的光电性能具有决定性的影响，Cu层最佳厚度为8nm。顶层ZAO膜比底层ZAO膜对该薄膜结构的表面粗糙度及透过率影响更明显，其厚度分别为50nm／8nm／50nm时，样品的方块电阻可低至10．10Q／口，可见光平均透过了达到85．78％，品

5、质因数2．14×10之Q～。适当提高溅射工艺温度，可有效改善ZAO／C吡AO透明导电薄膜质量。溅射温度为100℃时，样品的品质因数为2．62×10乏f2～，此时可见光平均透过率为86．64％，电阻率为9．8×10’5Q·cm。当溅射温度高于150℃后，ZAO／C吡AO多层膜光电性能开始变差。快速热退火处理可使样品出现Cu(111)的衍射峰，并改善样品的光电性能。当退火温度达到400℃时，多层膜的可见光平均透过率达到了88．33％，电阻率低至8．81×10巧Q·cm，品质因数达到最大值3．54×10。2Q一。关键词：磁控溅

6、射，ZAO／Cu／ZAO，透明导电薄膜，显微结构，光电特性中南大学硕士学位论文ABSTRACTTherequirementstotransparentconductivefilm(TCO)areever-increasing，withtherapiddevelopmentoftheflatpaneldisplaytechnologyandoptoelectronicdevices．CurrentlyIn20a：Sn(ITO)filmwasthemostwidelyusedtransparentconductivefilm

7、，ZnO：AI(ZAO)filmsasarepresentativeofthenewgenerationoftransparentconductivefilmshavethetrendofreplacingtheITOfilm．Nevertheless，semiconductortransparentconductivefilmislimitedbythesemiconductorconductivemechanismcannolongermeettheincreasingrequirementsofpeople．The

8、reupon，metalsandwichtransparentconductivecompositefilmarises．IthasimportantvaluetodeeplyinvestigatethepreparationprinciplesandprocesstechnologyofZAO／Cu／ZAOmult