玻璃浆料在mems圆片级气密封装中的应用研究

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时间:2019-02-28

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1、硕士论文玻璃浆料在MEMS圆片级气密封装中的应用研究摘要MEMS器件通常包含一些可动部分,这些可动部件很脆弱,容易受到划片和装配过程中的灰尘、水汽等因素的影响,造成器件毁坏或整体性能的下降,因此需要进行气密封装。与其他圆片级键合技术相比,玻璃浆料低温键合技术具有工艺简单、键合强度高、密封效果好、生产效率高等优点,是一种高产率、低成本的封装技术。玻璃浆料圆片级气密封装过程包括丝网印刷、预烧结、键合和后续测试。本文采用先进的丝网印刷设备和精密印刷技术,对MEMS器件玻璃浆料气密封装技术进行了深入研究

2、。在丝网印刷工艺中,Mark点采用干法刻蚀制作成直径为2mm的圆形,可以提高玻璃浆料印刷的精准度。采用8mm/s刮刀速度的二次印刷工艺,可以提高玻璃浆料的均匀性。采用真空气氛、峰值温度4500C、保温15.20mm的预烧结工艺,可以提高玻璃浆料印刷的平整度。在键合工艺中,采用键合峰值温度为4500C,键合压力为300mbar的真空封装工艺得到的封装样品,其键合层致密,剪切强度较大。但是键合后部分样品的玻璃浆料线宽过大,导致MEMS器件失效。采用了带有刻蚀槽的改进工艺,阻止了玻璃浆料进一步变宽,提

3、高圆片级封装的成品率和可靠性。对工艺改进后的封装样品进行测试。封装样品剪切强度很高,全部达到了美国军用标准的要求。气密性检测的封装样品经过氦气精检和氟油粗检,合格率高达95%。对真空封装前后的MEMS器件进行了品质因数Q值的测量,真空封装后的Q值升高近一倍,说明玻璃浆料圆片级真空封装MEMS的工艺提高了MEMS器件自身的传感性能。关键词:MEMS器件;玻璃浆料;圆片级键合;气密封装Abstract硕士论文Waferbondingisallessentialtechnologicalstepfor

4、waferencapsulationofsensitivestructureslikefreelymoveableMEMS.Inthelastyears,differentwaferbondingtechnologywereestablishedinresearchandinindustrialproductionprocesses.Thewaferbondingstepshavetobeadaptedtothespecialapplicationorthetechnologyenvironme

5、nt.Thereforewewerelookingforabondingtechnology,whichisuniversallyuseableforawiderangeofapplications,independentonprecedingprocessstepsanddesignvariations.Glassflitwaferbondingfulfilstheserequirementsandprovidesfurthermoreasafeprocess晰mhighbondingyiel

6、d,verywellsuitableforindustrialproduction.Thispaperdemonstratedonthepackageprocess,fromscreenprinting,glassflitfiringtowaferbonding.Toimproveglassflitprintinguniformity,detailprocesscharacterizationofglassflitprintingbyusingprecisionscreenprintingmac

7、hineandfiringwerecarriedonanddiscussedinthiswork.Toreachhighaccuracyofscreenprinting,adiameterof2mmofcirclemark,whichisetchedbydryetching,Wasfabricated.Andtoimproveglassflituniformityandsmoothness,printingspeedof8mm/sandtwotimesprintingwasused,andthe

8、firingprocessof15-20minholdingtimeat4500CinvacuumatomphereWasadopted.Inthebondingstep,4500Cofbondingtemperatureand300mbarofbondingpressurewereselected.Afterbonding,novoidbutfeworganicsolventswereobservedthroughpolishedcross—sectionofbondingareaandthe

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