wolt3gt基功能陶瓷高价氧化物掺杂的研究

wolt3gt基功能陶瓷高价氧化物掺杂的研究

ID:33958562

大小:1.72 MB

页数:60页

时间:2019-03-02

wolt3gt基功能陶瓷高价氧化物掺杂的研究_第1页
wolt3gt基功能陶瓷高价氧化物掺杂的研究_第2页
wolt3gt基功能陶瓷高价氧化物掺杂的研究_第3页
wolt3gt基功能陶瓷高价氧化物掺杂的研究_第4页
wolt3gt基功能陶瓷高价氧化物掺杂的研究_第5页
资源描述:

《wolt3gt基功能陶瓷高价氧化物掺杂的研究》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在学术论文-天天文库

1、西南交通大学硕士研究生学位论文第1页摘要三氧化钨(W03)是一种具有广泛应用前景的功能材料,在诸如电致变色、有毒气体探测和光化学催化等方面已得到较系统的研究。近年来,人们逐步认识到W03陶瓷的非线性电学性质。由于W03的介电常数高,因此可以在微电子学领域中得到应用。但是,与其它的变阻器材料相比,对W03陶瓷的研究还远远不够,很多电学性质用现有的非线性理论不能完全解释。因此通过对钨基氧化物掺杂改善功能陶瓷电学性质,并对相关的物理机理进行分析研究,具有重要的科学意义和应用价值。本文从制备高价氧化物和碱金属化合物掺杂的W03多晶陶瓷样品出发,以其非线性电学性质为主要研究内容

2、,试图进一步深入了解W03功能材料的电性质。1)采用一般的电子陶瓷制备工艺,制备了高价掺杂的W03基复合陶瓷,研究了不同高价氧化物掺杂对样品的电学行为的影响,并分析了相应样品的微观结构、相结构、非线性等电学性质。主要结论有:(1)高价氧化物掺杂对W03晶粒的影响。V205、Nb205、TazOs掺杂W03均抑制了W03晶粒的生长,(2)高价氧化物掺杂能抑制了三斜相W03的生成,使W03单相化,提高了W03陶瓷在高电场下的电学稳定性,这对W03陶瓷作为压敏电阻是十分有利的。(3)高价氧化物掺杂对于提高W03陶瓷的非线性系数的作用不大。非线性系数基本上在1~3之间。(4)

3、当W03陶瓷中Ta205掺杂量为5%的时候,样品的伏安特性出现了负阻现象。2)研究了高价和低价氧化物混合掺杂的三氧化钨陶瓷的电学性质。实验结果表明,五价金属氧化物和碱金属氧化物共同掺杂的W03陶瓷具有较高的致密性和较大的非线性系数,而且电学性能稳定,没有出现负阻现象。西南交通大学硕士研究生学位论文第1

4、页3)研究了两种高价氧化物(V205,Ta205)混合掺杂W03陶瓷的显微形貌、相结构、I-V特性、阻抗谱。用电子陶瓷工艺制备了(V205,Ta205)双掺杂的W03电子陶瓷。研究了(V205,Tar05)双掺杂对W03陶瓷的微观结构与电学行为的影响。X射线衍射结果表明

5、,(V205,Ta205)掺杂W03能明显的抑制三斜相的形成,使W03陶瓷单相化。I-V特性测试表明,掺杂V205和Ta205后,陶瓷的压敏电压明显增大,非线性系数显著减小。关键词:三氧化钨,压敏电阻,高价氧化物,微结构,相结构,非线性系数,肖特基势垒,负阻现象西南交通大学硕士研究生学位论文第lIl页AbstractTungstentrioxide(W03),部onekindoffunctionalmaterials,hasbeeninvestigatedsystematicallybecauseofitspotentialfortechnologicalapplic

6、ations,such船electrochromicdevices.gasdetectionandchemicalcatalyst.Inrecentyears,ithasbeenfoundthatdopedW03ceramicsshowgoodnonlinearelectricalpropertiescharacterizedbylowbreakdownvoltageandlowoperatingcurrent.becausethedielectricconstantofW03ishigh,it’Spossibleforpotentialapplicationsinm

7、icro-electronicarea.However,comparewithothervaristormaterial,non-linearcoefficientofW03ceramicsisn’thighenough,thestabilityofI·VcBrveisdebatableandserioushysteresisexist.SOelectricalbehaviorCannotbeexplainwithexistingtheoryaboutnonlinear.Soithasscientificandpracticalsignificanttoinvesti

8、gatethedetailedelectronicpropertiesofdopedtungstenandinvolvedphysicalprinciple.Inthisthesis,startingfromfabricatingW03ceramicsdoped谢mllighvalenceandalkalimetalelementoxides.thenonlinearelectricalpropertiesaremainlyin'FestigatedtounderstandthephysicalmechanismofW03functionalmate

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文

此文档下载收益归作者所有

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文
温馨提示:
1. 部分包含数学公式或PPT动画的文件,查看预览时可能会显示错乱或异常,文件下载后无此问题,请放心下载。
2. 本文档由用户上传,版权归属用户,天天文库负责整理代发布。如果您对本文档版权有争议请及时联系客服。
3. 下载前请仔细阅读文档内容,确认文档内容符合您的需求后进行下载,若出现内容与标题不符可向本站投诉处理。
4. 下载文档时可能由于网络波动等原因无法下载或下载错误,付费完成后未能成功下载的用户请联系客服处理。