nand flash和nor flash概述new

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1、NANDFlash和NORFlash概述区分NANDFlash和NORFlash的原理及应用ApplicationNoteV1.01Date:2014/08/08产品应用笔记文件信息类别内容关键词NANDFlash和NORFlash本文介绍NANDFlash和NORFlash的特点、应用领摘要域广州致远电子股份有限公司编程器应用文档广州致远电子股份有限公司区分NANDFlash和NORFlash修订历史版本日期原因V1.002014/08/08创建文档产品应用笔记©2010GuangzhouZHIYUANEle

2、ctronicsCO.,LTD.i编程器应用文档广州致远电子股份有限公司区分NANDFlash和NORFlash目录1.NANDFlash和NorFlash各自特点概述...............................................................12.NANDFlash和NorFlash的电子结构...................................................................2产品应用笔记©2010Guangz

3、houZHIYUANElectronicsCO.,LTD.i编程器应用文档广州致远电子股份有限公司区分NANDFlash和NORFlash1.NANDFlash和NorFlash各自特点概述NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NORflash技术，彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着，1989年，东芝公司发表了NANDflash结构，强调降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。但是经过了二十多年之后，仍然有相当

4、多的硬件工程师分不清NOR和NAND。要说明NANDFlash和NORFlash的各自特点，请看下表：NANDFlashNORFlash芯片容量＜32GBit＜1GBit访问方式顺序读写随机读写接口方式任意I/O口特定完整存储器接口读写性能读取快（顺序读）读取快（RAM方式）写入快写入慢擦除快（可按块擦除）擦除慢使用寿命百万次十万次价格低廉高昂从实用的角度来看,和Flash和NAND闪存之间的主要区别在于接口。NORFlash全随机访问内存映射和专用接口(如EPROM)地址和数据行。另一方面,NAND闪存没有地

5、址专线。它是由通过8/16发送命令,地址和数据总线位宽(I/O接口)内部寄存器，这样就为许多主控提供了更灵活的配置方式。NANDFlash更适合在各类需要大数据的设备中使用，如U盘、各种存储卡、MP3播放器等，而NORFlash更适合用在高性能的工业产品中。产品应用笔记©2014GuangzhouZHIYUANElectronicsStockCO.,LTD.1编程器应用文档广州致远电子股份有限公司区分NANDFlash和NORFlash2.NANDFlash和NorFlash的电子结构我们再来了解一下两种存储的

6、内部结构：图1.1NANDFlash和NORFlash的电子结构左上图就是众所周知的单电子(SLC)技术的NADNFlash，右上图则是NORFlash的电子结构。一个存储单元持有一个比特的信息表达的“H”或“L”电压。同时多层电子(MLC)结构的也应运而生。MLC的结构能在一个存储单元能容纳两个或两个以上的信息。MLC实现比SLC更快的传输速度、低功耗和低电池耐力比。从而有更低的单位成本，更大的存储容量和更好的性能。NORFlash内的工艺能保证每个存储单元都保证是好的，类似与ROM一样。而NANDFlash

7、的结构及生产工艺，会随机产生无效块。这些无效块无法确定编程时的状态，就是大家常说的“坏块”。NandFlash芯片厂商为了区分好块与坏块，会在出厂的时候在备用区某个地址中标记非FFh表示坏块。Flash工厂在宽温和宽电压范围内测试了NAND；一些由工厂标记为坏的区块可能在一定的温度或电压条件下仍然能工作，但是，将来可能会失效。所以不要擦除坏块标记，这一点很重要。如果坏块信息被擦除，就无法再恢复，将给你的存储文件带来隐患。产品应用笔记©2014GuangzhouZHIYUANElectronicsStockCO.

8、,LTD.2