特高压直流输电线下电场和电晕损耗分析

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时间:2019-03-08

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1、重庆大学硕士学位论文中文摘要摘要我国地域辽阔,经济发展和资源分布极不均衡。发展特高压直流输电,有助于实现全国范围内的资源优化配置和能源优化供给。近年来,随着人们环保意识的提高,要求在发展特高压直流输电的同时要考虑线路电磁环境必须满足环保要求。影响直流输电线路电磁环境的主要因素是合成电场和离子流密度,而这又与导线表面的电场分布密切相关。本文以模拟电荷法为理论基础,首先分析了特高压直流分裂导线表面电场的分布特性,对基于Deutsch假设计算直流线路离子流场的传统方法进行了改进,进而提出了一种较准确的

2、计算特高压双极直流输电线路离子流场和电晕损耗的方法。同时,借鉴发射电荷的思想,又提出了一种计算单极直流输电线路地面电场和电晕损耗的简单方法,该方法与已有的计算离子流场的方法相比,无需Deutsch假设,且同时避开了求解复杂的离子流控制微分方程的过程,计算简单。在验证方法的正确性之后,对±800kV线路的参数(导线高度、极间距、子导线半径、分裂间距)和地面合成电场、离子流密度以及电晕损耗的关系进行了分析。论文最后讨论了+800kV同塔双回直流输电线路结构参数对地面电场、地面离子流密度的影响,通过科

3、学分析,从电磁环境的角度给出了+800kV同塔双回直流输电线路结构参数的设计建议参考值。分析表明,+800kV同塔双回直流输电线路地面电磁环境明显优于同电压等级的单回直流输电线路,且所需的线路走廊也较小,既提高了线路的传输能力又减少了投资,改善了电磁环境,同时节约了土地资源。论文的研究工作对特高压直流输电线路建设具有一定的指导意义。关键词:特高压直流,同塔双回,合成电场,离子流密度,电晕损耗重庆大学硕士学位论文英文摘要ABSTRACTDuetothevastterritory,theeconom

4、icdevelopmentiSnotbalancedwiththeresourcedistributionofChina.DevelopingtheUHVDC(Ultra-HighVoltageDirect)transmissionishelpfultooptimizeresourceallocationandenergysupply.Inrecentyears,theimprovementofpeople’Senvironmentalisawareness.SoUHVDCpowertransm

5、issionisdevelopedatthesametimetoletlines’electromagneticenvironmentmeettherequirementsofenvironmentalprotection.Thefactorsaffectingelectromagneticenvironmentaretotalelectricfieldandioncurrentdensitythekeyfactors.Besides,thedistributionsofthesurfaceel

6、ectricfieldoflinesarealsocloselyrelatedtotheelectromagneticenvironmentofUHVDCtransmissionlines.Thechargesimulationmethodasthetheoreticalbasis,atfirst,UHVDCsplitconductorsurfaceelectricfielddistributionhastobeanalysis.ThetraditionalmethodbasedonDeutsc

7、hhypothesiscalculatingDCionflowfieldisimproved,andthenputforwardamoreaccuratecalculationofbipolarUHVDCtransmission1ineionflowfieldandcoronalossmethod.Atthesametime,drawlessonsfromemittingchargedthoughts,asimplemethodispresentedtocomputegroundelectric

8、fieldandcoronalossofsingle-stageDCtransmissionline.Themethodwasprovedcorrectandthenthispaperhasdiscussedtherelationshipbetween±800kVlineparametersandthetotalelectricfieldatgroundlevel,thedensityoftheionflow,coronaloss.Thepaperfinallydiscusses±800kVdo

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