碱土氟化物发光性质及X射线影像板增感机理的研究

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1、摘要紫外线(UV)同可见光一样是一种电磁波。但是，紫外线的频率范围刚好高于可见光，其波长完全不在人类可视范围之内。紫外线根据其波长可分为三类：UV—A、UV—B和Uv—C。Uv—A(315nm<^<400nm)几乎接近可见光，已广泛应用于生产和生活中；Uv—B(280nm<^<315nm)居中；UV—C的波长集中于254nm，具有杀菌作用。紫外光线的广泛应用，使得紫外光的荧光粉的研究也日益重要。在众多荧光粉中以稀土产生的波长最接近紫外光。本文探索性的研究了几种发紫外光的荧光材料，在材料本身的发光特性上作了研究

2、。并在开发紫外荧光材料的应用上作了大胆性的设想一一根据X射线增感屏可以使x光胶片增感这一理论。通过对制成IP的主要材料BaFBr：Eu”的光激励发光机理进行研究，采用紫外(UV)和真空紫外(VUV)光模拟荧光材料的发光，看哪个波段的光对IP起增感作用。为今后紫外荧光材料的应用开辟了新的方向。本论文的的主要研究内容：1、研究紫外发光材料LiXAlF6：Ce”(X=Ca，Sr,Ba)、XBaAIF6：Ce”(X=Li，Na，K)、LiBaXF6：Ce3+(X=AI，Ga，In)的发光性质和Ce3十的掺杂浓度对发光

3、的影响。Ce”在LiXAlF6(X=Ca、Sr、Ba)基质中的发光都在紫外区域，而且发光峰值各异。随着x元素原子序数的增大，ce3+的发光峰向短波方向移动。首次研究了一价和三价离子对Ce3+发光的影响，发现基质中的一价和三价元素的变化不影响发射光谱的峰值，它们在晶格中起一个填隙和电荷补偿的作用，有利于Ce”的发光。2、研究了在不同的激发波长下BaY：F。：Er”材料的发射光谱和发光性质。①首次研究了Er”在BaY：F。基质中各个能级跃迁对发光的贡献。②首次利用电偶极和磁偶极跃迁计算了Er”在BaY：F。中可能

4、占据的格点位置与其跃迁特征。并完成了Er“的电子能级跃迁在各波长激发下的发射光峰值的指认。3、分析总结了x光胶片增感屏增感的原理和各类增感屏的优、缺点。首次提出IP的增感，分析得出荧光增感法适合IP的增感。4、利用uv光和VUV光分别模拟了紫外光和真空紫外光对IP板的增感，得出了IP板在uv光和VUV光激发下的一些特性。①首次应用光电子和热电子与发光中心复合和被陷阱俘获几率的不同，在理论上对处于Eu”的激发态电子遂穿模型作了定性的分析。②首次通过对经x射线辐照过的样品的光激励发光的监测，找出了真空紫外光对样品

5、起增感作用的波段。关键词紫外荧光材料：激发光谱；发射光谱：增感；光激励发光；复合；俘获AbstractU[traviolet(UV)lightisakindofelectronmagneticwavesasthevisiblelight，butwithhigherfrequency．ItcanbedividedintoUV-A，UV-BandUV-Caccordingtoitswavelength．ThemeritsofUVlighthavebeenwidelyrecognizedandthestudyofU

6、Vphosphorhasbeenferventlycarriedon．Inthispaper，severalphosphors，whichemissionislocatedbetweenUv’werestudied，andtheapplianceofthesephosphorswasconceived．ThesephosphorscanbeusedtointensifyBaFBr：Eu”，anexcellentradiationstoragephosphor．Theintensifyingeffectwasf

7、irstlysimulatedwithUVandVUVastheemissionofthesephosphors．Creationsobtained：TheluminescentpropertiesofLiXAlF6：Ce”(X=Ca，Sr，Ba)、XBaAIF6：Ce”(X=Li，Na，K)andLiBaXF6：Ce”(X=A1，Ga，In)werestudied．Fromthat．weknewtheemissionsofthesephosphorswerealllocatedintheUVregionan

8、dtheemissionpeaksweredifierent．TheeffectofdopedCe’+ontheluminescenceiSalsostudied，theemissionpeaksofCe”shifttoshorterwavelengthwiththeincreasingofthenuclearnumber．Theeffectofmono-valentcationsandtri—va