欢迎来到天天文库
浏览记录
ID:36784649
大小:1.12 MB
页数:34页
时间:2019-05-15
《硅外延片生产工艺技术研究》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在学术论文-天天文库。
1、摘要随着国内电子信息产业的飞速发展,对电子元器件的需求量越来越大,对电子元器件材料及其制备工艺的研究也越来越重要。外延层工艺材料最初用于双极集成电路、高压器件,在M0S集成电路中主要用于电路性能的改善。随着半导体工业的发展,对硅外延片的需求量大大增加,国内分立器件厂商纷纷上马4—6英寸工艺生产线。P型硅外延片是制备VDMOSFET、IGBT等多种新型电力电子器件的主要原材料,现在已越来越多地受到人们的重视。本论文针对电子元器件生产厂商的需求,研制开发硅外延片生产工艺技术,解决批生产工艺问题。批量生产中的核心问题是产品参数控制的稳定性、均匀性和可重复性,从而提高外延片的成品率。本文讨论了影响硅
2、外延片外延层电阻率稳定控制的主要因素,对硅外延片的生长原理、测试技术、生长参数的影响和生长工艺进行了深入研究。通过采用常压外延、背面封闭等技术,充分抑制高温状态下低阻重掺硼衬底的杂质自掺杂效应,使得外延层电阻率得到精确的控制。本文的研究结果已成功地应用到4英寸P/P+高阻厚层硅外延片的生产中,降低了生产成本,提高了经济效益。关键词:外延,掺杂,背封,电阻率▲■■lr.一,、●,}3ABSTRACTWiththerapiddevelopmentoftheelectronicinformationindustryofourcountrytherearegreaterdemandsfortheel
3、ectroniccomponents,therefore,itbecomesveryimpoaanttodosomeresearchesontheelectronicmaterialsanditsfabricatedprocess.TheepitaxialmaterialisoriginallyusedinthebipolarICsandhighvoltagedevices,speciallyitismainlyusedtoimprovetheperformanceofMOSICs.Alongwiththedevelopmentofsemiconductorindustrygreaterde
4、mandsforsiliconepitaxialwafersappear.Thedomesticdiscretedevicesmanufacturersinitiatetheconstructionof4---6incheswaferlines.Ptypesiliconepitaxialwafers,whicharetheimportantmaterialsfortheproductionofmanynewkindsofelectronicdevicessuchasVDMOSFET.IGBTandSOon,aremoreandmoreattractingtheattention.Thispa
5、peremphasizestheR&Dofthefabricatingprocesstechnologyandbatchproductiontechnologyofsiliconepitaxialwafersondemandofthemanufacturerofelectroniccomponentsanddevices.Thekeytoincreasetheyieldofsiliconepitaxialwafersinthebatchproductionisthestability,uniformityandrepeatabilityinparametercontr01.Themainfa
6、ctorswhichaffectthestabilitycontroloftheresistivityofthesiliconepitaxialwafersarediscussed.Andthewafergrowingprinciple,testingtechnology,theeffectofgrowingparameterandgrowingprocessarealsostudied.Theself-dopingeffectofthelow—resistanceheavyborondopedsubstrateinhightemperatureisrestrainedbyconstantp
7、ressureepitaxial,backblockingandothertechnologies,whichresultintheprecisioncontroloftheresistivityoftheepitaxiallayer-Theresearchresultshavebeensuccessfullyappliedintheproductionof4inchesP/P+high-resistance
此文档下载收益归作者所有