《电子封装》习题选解

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1、《电子封装》习题选解中英文概念对应（1）ALIVHAnyLayerInnerViaHoleStructure任意层内互联孔结构BBitBuriedBumpInterconnectionTechnology埋置凸点互联技术BGABallGridArray球栅阵列封装CSPChipScalePackage芯片级封装FCAFlipChipAttach倒装芯片封装FCBFlipChipBonding倒装焊微互联HTCCHighTemperatureCofiredCeramics高温共烧陶瓷ILBInnerLeadBonding内侧引线键合LSILargeScaleIntegration大规模集

2、成电路OLBOuterLeadBonding外侧引线键合PCBPrintedcircuitboard印制电路板PCVDPlasmaChemicalVapourDeposition等离子体化学气相沉积PDPPlasmaDisplayPanel等离子体显示板中英文概念对应（2）QFDQuadFlatPackage四侧引脚扁平风阻昂RCCResinCoatedCopper涂树脂铜箔SiPSysteminaPackage封装内系统（系统封装）SoCSystemonaChip芯片上系统（系统集成）SMDSurfaceMountDevices表面贴装元件SMTSurfaceMountTechnol

3、ogy表面贴装技术TABTapeAutomaticBonding带载自动键合TFTThinFilmTransistor薄膜三极管UBMUnderBumpMetal凸点下金属ULSIUltraLargeScaleIntegration超大规模集成电路WBWireBonding引线连接7.请比较干法刻蚀和湿法刻蚀的优缺点。干法刻蚀优点：各向异性好，选择比高，可控性、灵活性、重复性好，细线条操作安全，易实现自动化，无化学废液，处理过程未引入污染，洁净度高。干法刻蚀缺点：成本高，设备复杂。湿法刻蚀优点：选择性好、重复性好、生产效率高、设备简单、成本低。湿法刻蚀缺点：钻刻严重、对图形的控制性较差

4、，不能用于小的特征尺寸，会产生大量的化学废液。11.比较真空蒸镀、磁控溅射、等离子化学气相沉积（PCVD）的工艺特征从气氛压力、材料供给（方法）、材料温度、基板温度和材料、膜面积、膜厚、膜厚控制、析出速度、附着性、外延特性、可应用的对象、激发介质等方面进行比较。参考田民波《电子封装工程》清华大学出版社2003年9月版，145页21.对比SoC与SiPSoC（系统集成）是CPU及其周边电路搭载在同一芯片上，SiP（系统封装）将不同种类的元件，通过不同种技术，混载于同一封装之内，由此构成系统封装形式。异种器件的集成化，通过芯片层叠化来实现，SiP比SoC易于小型化。生产数量多，如100万个

5、以上，SoC价格比SiP低；生产数量少，如100万个以下，SiP价格比SoC低。SiP可以使用既存的芯片，SiP开发供货期比SoC短。SiP可以实现现有设计资产芯片化，SiP对设计资产的再利用性比SoC好。SoC母线宽度容易扩大，SoC比SiP有利于实现高速化。SoC负荷较小，故SoC比SiP易于实现低功耗。说明：参考田民波《集成电路（IC）制程简论》清华大学出版社2009年12月版，154页23.简述Ag-Pb导体浆料与Al2O3基板烧结结合的机理。Ag中添加Pd，当Pd含量超过0.1时即产生效果，但当Pd加入太多时，其中的Pd在厚膜电路外敷层温度300-760℃范围内，发生氧化生成

6、PdO，不仅使焊接性能变差，而且造成导体电阻增加。因此Ag:Pd应控制在2.5:1~4.0:1。通过粒度控制，采用球形Ag颗粒，防止凝聚，使膜的导电密度提高。为提高Ag-Pd导体焊接浸润性，以及导体与基板的结合强度，需要添加Bi2O3。在烧成过程中，部分Bi2O3溶入玻璃中，使玻璃相对成分增加的同时，与Al2O3基板发生反应：Al2O3+Bi2O3→2(Bi·Al)2O3随着Bi含量增加，膜的结合强度增大。但焊接时对膜加热，金属粒界与玻璃之间的Bi2O3会发生还原反应：2Bi2O3+3Sn→4Bi+3SnO2。由于Bi的生成而使结合强度下降。由于基板与导体界面之间发生还原反应，在极端情

7、况下，附着力会变得很差。另外焊接后样品在老化也会使导线的结合强度下降。这是因为老化时，焊料主要成分Sn向导体内部扩散，除引起Bi的还原反应外，还会产生PdSn3、Ag5Sn、Ag3Sn等化合物，导致膜的比容增加而使内部玻璃网络被破坏。36.常用积层（build-up）式基板共有哪几种类型，分别给出其制作工艺流程。铜箔掩膜-激光制孔-全面电镀方式（涂树脂铜箔方式（RCC））：芯板（多层板）→铜箔粘压→光刻法刻蚀铜箔成孔做掩膜（或直接）激光制孔→去