中文BOEHFTFTSD超解像技术资料

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1、超级解像技術~S/DPattern(ChannelLength：3.5um)~SK-Electronics2012.2制作Introduction(1/4)利用半导体业界中广泛应用的AssistPattern开发Mask新产品利用AssistPattern光回折效果，提高解像度。IntensityIntensityUP无AssistPattern有AssistPatternAssistPattern解像极限以下的SlitIntroduction(2/4)利用Halftone型PSM,实现解像度的提升。QZ

2、PhaseShiftfilm随PhaseShift膜，它的波長将180deg.Shift。同样Phase不同PhaseLine＆Space界限部位的Contrast将会提升、随之解像度也会上升。光束的抵消现象Introduction(3/4)利用光回折效果，实现Intensity的提升。IntensityBinaryHTMTOPIntensityUP两种成分合二为一，达到Intensity提高的效果透过率3～10%的HalfTone膜Contrast恶化Introduction(4/4)接下来将着重介绍以

3、下2种解像技术。IntensityTOPViewSideView光振幅分布ReferencePSHTPhaseShiftfilmHalftonefilm+-+-+-SimulationResults~SSM~MaskDesign&ConditionMaskDesignCondition初期膜厚：2.2umREFPSMHTCrPSHTCutlineSimulationResult:IntensityRoundtypeIntensitySimulationREFPSMHTSimulationResult:Re

4、solutionTarget→0.6um(ComparisonofDOSE、ResistProfile)DOSE比較(EOP)ResistProfileUnit：mj与Ref相比，未发现任何差别Cut_line：Xsourcechanneldrain与其它相比，HT(8%)的Contrast(TaperAngle)较低。SimulationResult:ResolutionTarget→0.6um(ComparisonofRTPR：Channel)PR残膜厚RangeのSimulation実施。Cutli

5、ne依赖性(x、y、r)RTPR:Channelpart与Ref相比，没有任何差别。SimulationResult:ResolutionTarget→0.6um(ComparisonofRTPR：Channel、RTPR：SourcePart)PR残膜厚RangeのSimulation実施。Defocus依赖性(0、15、30um)RTPR:ChannelpartSourcepart(Top-Resist)：RTPR与Ref相比，RTPR的变化幅度也没有因为Defocus而产生差距。与Ref相比，还是未

6、产生任何差距。未产生Top-Loss。总结：SSM总结・SSM类型分别和Binary，PSM，HTM相比，没有任何差别。・可以利用BinaryPattern，足可以达到窄宽效果。SimulationResults~全解像~SimulationResult:ResolutionTarget→3.5um(ComparisonofDOSE、ResistProfile)DOSE比較(EOP)ResistProfileUnit：mj与Ref相比,HT(8%)对产生能削减24%Dose的效果。同时削减了TactTim

7、e。Cut_line：Xsourcechanneldrain与其它相比，HT(8%)的Contrast(TaperAngle)是比较小的。PSM和HT(8%)，有些许Top-Loss。SimulationResult:ResolutionTarget→3.5um(ComparisonofCD：Channel、RTPR：SourcePart)PR残膜厚RangeのSimulation実施。Defocus依赖性(0、15、30um)CD:Channelpart与Ref相比，随着Defocus变化，PSM的CD

8、变化幅度约有的改善，而HT(8%)有近130nm恶化。Sourcepart(Top-Resist)：RTPR随Defocus而产生的RTPR的变化幅度，只有对PSM造成影响(2846Å)。而PSM和HTM，与Ref相比较，存在约200ÅTop-Loss。Conclusion：S/D全解像(3.5um)