国内外几种衰减材料的制造工艺及结构性能比较

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1、维普资讯http://www.cqvip.com真空电子技术30VACMELEC1RONICS2002年第3期国内外几种衰减材料的制造工艺及结构性能比较刘敏玉(国光电气股份有限公司，四川成都610051)TheAttenuationMaterial’SManufactureTechnologyandStructurePerformanceComparisonbetweenDomesticandOverseaProductsLIUMin—yu(GuoguangElectronCo．，Dd，CherLgdu6

2、10051，China)Abstract：Inthefieldofvacuumelectronicdevicetechnolo~'，themicrowaveabsorbingnmterialhavebeenwidelyused．W．fhthepow—erincreaseofthedevice，thedemandsforimprovethepmpen)'ofthesematerialsarealsoincreased．Thispaperwilldescribethecharaeteficsthatconce

3、rningthestmctme，performanceandmantdaemretechnolo~'ofseveralmicrowaveattenuationceramicsmaterialfromoverseaandcomparethemwithdomesticproducts．then，theprimarydemandforattenuationmaterialpropertiesareconcluded．Keywords：Attenuationceramics；Manufacturetechnolo

4、gy；Structrueperformance；Microwave摘要：在电真空器件中广泛使用吸收微波的材料，随着器件功率增大，对此种材料的要求也越来越高。本文讨论了几种国外做波衰减瓷材料在结构性能和制造工艺方面的特点，以及与几种国产衰减瓷材料的比较对衰减瓷材料提出了主要要求；叙述了表征吸收做波电磁能量的参数和制造材料的物化原理关键词：衰减瓷；制造工艺；结构性能；微波中图分类号：TB756文献标识码：B文章编号：1002—8935(2002)03—0030—03其它形式，如在材料内部转变成焦耳热能形式。l

5、对真空微波衰减材料的要求一般情况下，在频率为cU时，体积．的金属粒真空衰减器用于以下目的：信号的全吸收降低子平均吸收的能量Q．可以用下式确定：反射和有选择地抑制不需要的各种模式的波。用来制造真空衰减器的材料应具备稳定的结构、低的饱Q，=V，(a十a)lEl和蒸气压和较高的使极限温度等特点，同时还要式中a和a为粒子电极化率和磁极化率的虚放气量小，以保证它的使用不致于使器件的真空度部；E为被耗散波的电场。变差。此外，还应保证同其它材料有良好的焊接性场强幅值为E和H的电磁场作用于1c的物能，有牢固的连接。质上，

6、在1s内释放的平均热量为Q，在CGS制内可2表征材料吸收微波的参数用公式确定此值Q，：材料吸收微波的特性，可以用两个复数参量Q2=(eE十H)——复介电常数￡=e和复导磁率：一j来加以表征。式中Q，为衰减材料的微波吸收能量。复数e和决定介质中电磁能量的贮存和耗3几种国内外衰减材料的结构性能和制造散。介电常数和导磁率的虚数部分e和决定着工艺能量的耗散。假如不能忽略e和，则材料(媒介)3．1含碳衰减材料具有吸收电磁波的特性，此时电磁场的能量转变成多孔陶瓷浸入有机物质的液体中，用碳化的方收稿日期：2002—04

7、．09作者简介：刘敏ji(1965一)，女，1984年9月-1988年7月在电子科大攻读学士学位，现攻读MBA硕士学位：1988年7月至今在目光电气股份彳『公，dJ：怍，现陶瓷研究所所长中共党员，高级：I：程师维普资讯http://www.cqvip.com第3期刘敏王等：国内外几种衰减材料的制造工艺及结构性能比较法制造含碳微波体衰减瓷，制造方法是将氧化铝、铝的制作工艺与t述不同，它是在氧化铝瓷粉的基础硅、镁铝硅、氧化铍等多孔瓷用蔗糖、乳糖、葡萄糖溶上按比例加入碳化硅，再在一定的条件下烧结而成，液将其浸泡

8、，采用不同孔率的陶瓷、改变含碳溶液的其性能参数如表l。浓度、浸泡的规范和碳化规范可以调整衰减瓷的体表1含碳衰减材料性能参数电阻及其衰减特性。在上述材料中，铍瓷具有较高参数参数值体积密度／g·Clr／I。3．3的导热率，图1示出A1，O致密陶瓷及BeO多孔陶吸水率／c琵<0．25瓷(4L隙率25．5％)导热率和温度关系的比较曲线。显气孔率／％<1图2是以BeO瓷为基础的碳衰减瓷的特性(孔度、体线膨胀系数(20～500cc)／1X