2010低频总复习(本部)

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1、2010总复习低频电子线路一、半导体二极管及其基本应用电路1.PN结特性、导通和截止工作机理。2.二极管基本电路分析。（导通、截止判断，参考期中考试）1.理想二极管构成的电路如题2图所示，其输出电压u为（）0A.-15VB.-9VC.-6VD.+9V3、判断图所示电路中各二极管是否导通,并求A,B两端的电压值。设二极管正向压降为0.7V。二、三极管及其基本放大电路1.特性；2.放大区判断方法；3.三种基本组态（共射、共基、共集）特点。（1）静态工作点的计算4.计算（2）画微变等效电路（3）动态参数Au,Ri,Ro等重点：分压偏置共射放大电路和共集放大电路

2、构成两级放大。（一）、特性（一）、特性双极型半导体三极管（晶体三极管BJT）两种载流子导电晶体三极管1.形式与结构NPN三区三极两结PNP2.特点基极电流控制集电极电流并实现放大放大条件发射结正偏、集电结反偏3.电流关系I=I+II=I+IECBECBI=βII=βI+ICBCBCEOI=(1+β)II=(1+β)I+IEBEBCEO（二）、（二）、放大区判断方法判断是否放大：1.电位判别法NPN管U>U>UCBEPNP管U

3、为共××极电路共射电路：基极输入,集电极输出;电压、电流都放大共集电路：基极输入,发射极输出;电流放大,电压不放大共基电路：发射极输入,集电极输出;电压放大,流不放大共集电路：Au≤1，Ri高，Ro低；输入、输出级、隔离级（四）、计算1.分压偏置共射放大电路UBQ−UBEQ+12VIEQ=Rb1RcR30k3.3KEC2+C1+…+T+RsR'1kRLU0LUiRb2Re3.3KA=−β+u15k2KC3rUsbe__R=R'//riBbeR=RoC2.共集放大电路VCC−UBEI=BR+(1+β)RBE+VCC（1+β）R′RLBA=ur+(1+β)R

4、′CbeL1C2R=R//{r+(1+β)R′}iBbeLuRuiRELr+R′oR=R//besoE1+β重点：分压偏置共射放大电路和共集放大电路构成两级放大。三、场效应管及其基本放大电路1.场效应管特点；2.基本共源放大电路分析（结型）。1.特点栅源电压改变沟道宽度从而控制漏极电流输入电阻高，工艺简单，易集成2.基本共源放大电路分析（结型）例1．分析共源放大电路四、集成运算放大电路1.多级放大电路的耦合方式及特点。2.差模信号、共模信号概念及计算；3.差分电路计算（单入单出）；4.共模抑制比；5.镜像电流源计算；6.OCL电路计算；1.多级放大电路的

5、耦合方式及特点。极间耦合形式：直接AA耦合12能够放大变化缓慢的信号，便于集成化，Q点相互影响，存在零点漂移现象。阻容AA耦合12Q点相互独立。不能放大变化缓慢的信号，低频特性差，不能集成化。变压器AA12耦合Q点相互独立，能够实现阻抗变换。不能放大变化缓慢的信号，低频特性差，不能集成化。2.差模信号、共模信号概念及计算；差模信号v是指在两个输入端加上幅度相等，id极性相反的信号。v=v–vidi1i2共模信号v是指在两个输入端加上幅度相等，ic极性相同的信号。1vic=(vi1+vi2)23.差分电路计算（单入单出）；1β(R∥R)cLA=−⋅vd2R

6、+rbbeR=2(R+r)，R=Ribbeoc4.共模抑制比；AvdK=CMRAvc5.镜像电流源计算；V−UICCBEC又：I==I+2I=I+2⋅RCBCRββI=⋅ICRβ+26.OCL电路计算；输出功率效率21uπuomomP=η=×om2R4VLCC最大输出功率()21V−VCCcesP=om2RL晶体管的极限参数⎧VCC⎪ICM>iCmax≈R⎪L⎪⎨UCEO(BR)>uCEmax≈2VCC⎪2V⎪CCP>P≈0.2×CMTmax⎪2R⎩L五、放大电路中的反馈1.反馈组态的判断；2.四种反馈组态的特点；3.同相放大、反相放大电路分析、设计；4

7、.深度负反馈下电压放大倍数计算（虚短、虚断）；5.负反馈对放大电路性能的影响；6.单限比较器电路分析。（一）.反馈组态的判断；1.正反馈和负反馈采用瞬时极性法，看反馈是增强还是削弱净输入信号对于串联负反馈，反馈信号与输入信号极性相同；对于并联负反馈,，反馈信号与输入信号极性相反。2.四种反馈组态电压和电流反馈：规则：R短路，反馈消失则为电压反馈，存在为电流反馈。L规律：电压反馈取自输出端或输出分压端；电流反馈取自非输出端。串联和并联反馈：规则：串联负反馈：uid=ui−uf并联负反馈：iid=ii−if规律：反馈信号与输入信号在不同节点为串联反馈；反馈信

8、号与输入信号在同一个节点为并联反馈。（二）.四种反馈组态的特点；反馈组态功能电压