高效太阳电池制造原理

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1、高效太阳电池的制造原理GuoLihui光电效应1839年,法国物理学家A.E,贝克勒尔(A.E,Bequral)发现金属浸入溶液的“光生伏打效应”1883年,有人在半导体硒和金属接触处发现了固体光伏效应。GuoLihuiD.ChapinG.PearsonC.Fuller第一个具有实用性的Si太阳电池(6%)GuoLihui1957年,前苏联第一颗卫星,“Spurnik”;1958年,美国“先锋一号”卫星;1971年,中国“实践二号”卫星。GuoLihuiPVSystem并网系统(Grid-connected)独立用户系统(Off-grid,Stand-alone)GuoLihuiWaferCe

2、llModule太阳电池及组件从硅片(wafer)到太阳电池组件(module)高纯硅原料单晶、铸锭切片电池组件系统GuoLihui背铝电极+------++P-Si扩散n区入射光SiN层银栅电极GuoLihuiSiSiSiSiSiSiSiSiSi------------------------------------------------SiSiSiPSiSiSiSiB-------------------------------------------------+EcEvEf非平衡载流子EcEvEfEcEvEf非平衡少数载流子空穴非平衡少数载流子电子掺杂磷—P掺杂硼—B光生少数载流子的

3、产生GuoLihui体内复合—少子寿命+------++P-Si扩散n区入射光SiN层背铝电极银栅电极++GuoLihuiPN结(掺硼)p-typeSiSub(掺磷)n-typeGuoLihuiA0=1,由基区、发射区决定的复合;A0=2,由耗尽层决定的复合。太阳电池的等效电路基区、发射区复合耗尽层复合GuoLihui硅太阳电池生产技术的研发增大捕获入射光表面织构技术;表面抗光反射膜;背面光反射;电极合理化设计。减少光生少子在体内、表面的复合表面低温钝化工艺;尽量采用全低温工艺;吸杂技术;晶界悬挂键饱和(多晶硅)。电极接触减小自身电阻;减小与硅的接触电阻。由于采用薄硅片碎片产生的原因、相应的解

4、决方法;减少光生少子在背面的复合速度;增加长波长光的背反射;GuoLihui晶体硅太阳电池单晶硅(mono-crystallineSi)多晶硅(multi-crystallineSi)GuoLihui获得高效率Si太阳电池的原则需采用长少子寿命(lifetime达到ms)的高品质硅衬底;良好的正、背面表面钝化(surface-passivation),使表面具有低的复合(recombination)速度(小于102m/s);良好的表面“陷光”(light-trapping)结构,使正表面具有低的入射光反射率;合适的发射区(emitter)设计,以获得全部的光生载流子;良好的正、负电极欧姆接触,

5、以获得低的串联电阻。GuoLihui少子寿命在电阻率相同的情况下,n-type硅具有比p-type硅更长的少子寿命;但具有相同少子寿命时,p-type硅比n-type硅具有更长的扩散长度;对超薄、高效、高稳定硅太阳电池,n-type硅更具有优势;N-type问题:拉单晶掺杂均匀性、扩散工艺、金属电极。GuoLihui良好的表面钝化方法氯基氧化(Chlorinebased,TCA),或干氧氧化;氧化后辅施以退火处理;PECVDSiNx钝化;非晶硅a-Si:H钝化。GuoLihui欧姆接触具有线性的和对称的电流-电压关系;不引入明显的附加阻抗。WmWsEf,mEf,sE0Ef,mEf,sWmWsE

6、0GuoLihui三种超高效单晶硅太阳电池GuoLihuiLGBC太阳电池LGBC太阳电池全称是激光刻槽埋栅电池(lasergroovedburiedcontact)。最初源于澳大利亚新南威尔士大学马丁格林实验室的原理性研发,BPSolar太阳能公司,最新采用了该工艺和太阳电池结构,GuoLihuiPERL或LBSF电池PERL(钝化发射极和背面局部扩散)/LBSF(局部背场)电池主要特点是磷扩散并被热氧化钝化的选择性发射极,极少的正表面的金属化部分(~1%),背面局部扩散(局部BSF)基础上的点接触(金属化部分~1%)及非接触背面的热氧化钝化。当用抛光硅片时,这种电池的VOC可达到717mV

7、。当在硅片上制作绒面后,PERL电池的效率可高达24.7%。GuoLihui高效地面太阳电池简介:埋栅电池这种电池先在硅片表面用激光或机械刻槽,然后通过电镀镍、铜或银填充这些槽(~20μm)制备电极。电池采用了选择性发射极概念,并在无金属正表面区进行了很好的表面钝化,这些设计使得埋栅电池比丝网印刷电池的效率提高不少。(平均17-18%)。GuoLihui背电极电池(backcontactsolar

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