2012模拟电子电路试卷A卷

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1、物理与电信工程学院（系）2012－2013学年第一学期期末考试《模拟电子技术基础》课程试卷（A）专业年级班级姓名学号题号一二三四五六七八总分得分一、填空(20分)1.本征半导体掺入价元素可生成P型半导体，其少数载流子的浓度主要取决于。2.某放大电路中的三极管，在工作状态中测得它的管脚电压Va=1.2V，Vb=0.5V,Vc=3.6V,试问该三极管是管（填硅、锗），型（填NPN或PNP）的三极管，该管的集电极是a、b、c中的。3．放大电路在高频时放大倍数下降主要是因为_______密勒_____电容的影响；低频时放大倍数下降则主要是因为_耦合______________电容

2、的影响。当工作频率等于上限频率()时,放大倍数的幅度下降为中频时的_______倍，此时与中频时相比，附加相移约为_______________。4．图1.3所示的复合管中，已知T1的β1=40，T2的β2=30，则复合管的导电类型为__________，电流放大系数β为___________。5．根据放大管的导通角，我们可把放大器分为几类工作状态：当导通角θ____________时，称为甲类；当导通角θ_________时，称为乙类；当导通角__________时，称为甲乙类。6.某放大电路在负载开路时的输出电压为4V，接入12kΩ的负载电阻后，输出电压降为3V，这说

3、明放大电路的输出电阻为。两级放大电路的第一级电压放大倍数为100，即电压增益为dB，第二级电压增益为26dB，则两级总电压增益为dB。57、差分放大电路能够抑制信号，放大信号。在双端输入、单端输出的差动放大电路中，发射极Re公共电阻对信号的放大作用无影响。二、选择填空（14分）1．测得工作于放大电路中的晶体管的三个电极对地电位分别V1=-0.7伏，V2=0伏，V3c=-7.8伏，则该晶体管为______。(a)NPN型硅管(b)PNP型硅管(c)NPN型锗管(d)PNP锗管2．差动放大器的共模抑制比越大，表示该电路______。(a)放大共模信号的能力越强(b)放大差模信

4、号的能力越强(c)抑制零点漂移的能力越强(d)零点漂移越大3．N型半导体是本征半导体中______而成。(a)光热作用(b)加入3价元素(c)加入5元素4．引起交越失真的原因是_______。(a)信号太强(b)功放管静态电流太大(c)信号太弱(d)功放管静态电流太小5．稳压管的稳压作用是利用其_______特性来实现的。(a)单向导电性(b)正向导通(c)反向击穿6.判断下图各电路能否组成低频放大电路。（A）不能，能（B）不能，不能（C）能，不能（D）能，能7．负反馈使放大器的非线性失真______。5(a)增大(b)减少(c)不变三、电路如图3示，(v),D为理想二极

5、管，试绘出的波形。(6分)四、理想运放组成电路如下图所示，试求Vo与Vi1、Vi2、V3的关系（8分）五、在图4所示电路中R2=R3=2K，RW=4K，Uz=3.3V。求输出电压的调节范围。（10分）5六、如图所示电路：1）如果电路要组成电压串联负反馈，电阻Rf因接在那两端。（6分）2）设电路满足深度负反馈的条件，计算电路的反馈系数和闭环电压增益，R1=10K,R2=500K（6分）图6七、图7为互补对称功率放大器，已知Vcc=16V，RL=8Ω，功放管的饱和压降UCES＝2V，求：（1）最大不失真输出功率Pom、电源提供的功率PD，功放管的耗散功率PC和电路的效率η；（

6、2）当输入信号(V)时的输出功率Po、电源提供的功率PD、功放管的耗散功率PC和电路的效率η。（14分）图75八、差分放大电路如图所示，晶体三极管的参数相同，UD=0.7V，β＝100，rbe=2.4k，Rs=100Ώ，Rc＝6k，Re＝5.6K，Vcc＝VEE＝12V（16分）1)计算三极管的静态工作点；2)画出该放大电路的小信号H参数等效电路；3)计算电路的差模电压放大倍数5